Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grodecki, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Drabińska, A.
    Bożek, R.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Strupiński, W.
    Borysiuk, J.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791292.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Tr
    78.40.Ri
    78.30.Na
    63.20.dd
    63.20.kd
    Opis:
    Optical absorption and Raman scattering studies of few-layer epitaxial graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) on-axis substrates are presented. Changing the pressure and annealing time, different stages of the graphene formation were achieved. Optical absorption measurements enabled us to establish average number of graphene layers covering the SiC substrate. Raman scattering experiments showed that integrated intensity of the characteristic 2D peak positively correlated with the number of graphene layers deposited on the SiC substrate. The spectral width of the 2D peak was found to decrease with the number of the deposited graphene layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 835-837
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Piezospectroscopy of Phonons in Bulk 6H-SiC
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J.
    Hofman, W.
    Tymicki, E.
    Grasza, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791360.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.50.-p
    42.65.Dr
    63.20.-e
    78.30.-j
    Opis:
    Raman piezospectroscopy of high quality 6H-SiC crystals is presented. The crystals used in experiments were grown by the seeded physical vapor transport method. Uniaxial stress up to 0.9 MPa, obtained using a spring apparatus, was applied along [11-20] and [10-10] directions. It was found that the application of uniaxial stress led to different energy shifts of the observed phonon excitations in the investigated 6H-SiC crystals. The obtained pressure coefficients vary in the range 0.98-5.5 $cm^{-1}$ $GPa^{-1}$ for different transverse optical phonon modes. For longitudinal optic phonon modes pressure coefficients in the range 1.6-3.6 $cm^{-1}$ $GPa^{-1}$ were found. The data obtained could be useful in evaluation of local strain fields in SiC based structures and devices including epitaxial graphene.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 947-949
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Bożek, R.
    Borysiuk, J.
    Strupinski, W.
    Wysmolek, A.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047919.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.48.Gh
    78.30.Fs
    Opis:
    The Raman scattering studies of multi-layer graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) substrates are presented. Intensity ratio of the D and G bands was used to estimate the average size of the graphene flakes constituting carbon structures. The obtained estimates were compared with flake sizes from atomic force microscopy data. We found that even the smallest structures observed by atomic force microscopy images are much bigger than the estimates obtained from the Raman scattering data. The obtained results are discussed in terms of different average flake sizes inside and on the surface of the multi-layer graphene structure, as well as different type of defects which would be present in the investigated structures apart from edge defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 595-596
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
    Autorzy:
    Słysz, W.
    Guziewicz, M.
    Borysiewicz, M.
    Domagała, J.
    Pasternak, I.
    Hejduk, K.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Węgrzecki, M.
    Grabiec, P.
    Grodecki, R.
    Węgrzecka, I.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wybrane problemy budownictwa podziemnego
    Selected problem of the underground construction
    Autorzy:
    Grodecki, W.
    Madryas, C.
    Tajduś, A.
    Tokarz, A.
    Wichur, A.
    Żyliński, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/350033.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    budownictwo podziemne
    bariera rozwoju
    rozwój
    underground construction
    development's barriers
    development
    Opis:
    W pracy omówiono podstawowe problemy polskiego budownictwa podziemnego w skałach zwięzłych oraz w skałach luźnych. Zwrócono uwagę na zagadnienia podziemnej infrastruktury sieciowej miast. W końcowej części pracy przedstawiono wybrane zagadnienia projektowania geotechnicznego w budownictwie podziemnym oraz wzajemne relacje pomiędzy budownictwem podziemnym, geotechniką i geoinżynierią. Pracę kończy podsumowanie wskazujące na perspektywy rozwoju budownictwa podziemnego w Polsce.
    The basic problem of the Polish underground construction both in the rocks (chapt. 2) and grounds (chapt. 3) have been discussed in the paper. The problems of the underground net infrastructure of cities have been focused on in the chapt. 4. Selected topics of the geotechnical designing in the underground construction and cross relations among the underground construction, geotechnics and geoengineering, have been presented in the last part of the paper. It has been finished by the summary indicating the prospects for the development of the underground construction in Poland.
    Źródło:
    Górnictwo i Geoinżynieria; 2005, 29, 3/1; 37-53
    1732-6702
    Pojawia się w:
    Górnictwo i Geoinżynieria
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies