Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grilli, G." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Stakeholder analysis in the biomass energy development based on the experts’ opinions: the example of Triglav National Park in Slovenia
    Autorzy:
    Grilli, G.
    Garegnani, G.
    Poljanec, A.
    Ficko, A.
    Vettorato, D.
    De Meo, I.
    Paletto, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/38445.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Instytut Badawczy Leśnictwa
    Źródło:
    Folia Forestalia Polonica. Series A . Forestry; 2015, 57, 3
    0071-6677
    Pojawia się w:
    Folia Forestalia Polonica. Series A . Forestry
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Spectroscopy for the Analysis οf Temperature-Dependent Plastic Relaxation οf SiGe Layers
    Autorzy:
    Pezzoli, F.
    Bonera, E.
    Bollani, M.
    Sanguinetti, S.
    Grilli, E.
    Guzzi, M.
    Isella, G.
    Chrastina, D.
    von Känel, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807828.pdf
    Data publikacji:
    2009-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Lk
    61.72.uf
    62.20.mj
    62.20.mm
    78.30.-j
    Opis:
    Novel architectures for electronics and photonics are expected to be developed using the forthcoming $Si_{1-x}Ge_{x}$ technology. However, in $Si_{1-x}Ge_{x}$-based heterostructures, materials and design issues rely on accurate control of strain and composition of the alloy. The Raman spectroscopy has rapidly emerged as a reliable technique for the quantitative determination of such parameters on a sub-micrometric scale. In this work we present an investigation of the effects of the growth conditions of $Si_{1-x}Ge_{x}$ graded layers on dislocation nucleation and interaction. In particular, we focus on the crucial role the deposition temperature plays in the dislocation kinetics. The analysis of threading dislocation densities is accompanied by a quantitative measurement of the residual strain in $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si heterostructures, carried out by means of the Raman scattering. Our approach is effective in studying the physical mechanism governing dislocation multiplication and the sharp transition from a state of brittleness to a state of ductility within a narrow temperature window.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 1; 78-80
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies