Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Golub, L." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Method of distribution network reconfiguration at daily operation scheduling
Metoda rekonfiguracji sieci w codziennym działaniu
Autorzy:
Golub, I.
Voitov, O. N.
Semenova, L. V.
Boloev, E. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/952867.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
ENERGA
Tematy:
distribution network
loss reduction
renewable power generation
reconfiguration
active energy consumer
graph theory
sieć dystrybucyjna
redukcja strat
generacja mocy ze źródeł odnawialnych
rekonfiguracja
aktywny odbiorca energii
teoria grafów
Opis:
The paper suggests a two-stage optimization algorithm of daily load curves of a distribution network to decrease electricity purchase costs and determine a primary distribution network configuration in presence of renewable power generation or without it. The first stage includes optimization of the daily load curves of active consumers, which ensures decrease of electricity purchase costs considering its price and daily consumption invariability. At the second stage the problem distribution network reconfiguration is solved to decrease power losses in it. The numerical calculations for the test distribution networks confirm the efficiency of the suggested algorithms.
W poniższym artykule zaproponowano dwustopniowy algorytm optymalizacji dobowego wykresu obciążenia sieci dystrybucyjnej w celu obniżenia kosztów zakupu energii elektrycznej oraz określenia konfiguracji sieci pierwotnej z uwzględnieniem lub bez uwzględnienia źródeł odnawialnych. Pierwszy etap polega na optymalizacji dobowego wykresu obciążeń dla aktywnych odbiorców energii, co zapewni spadek kosztów zakupu energii ze względu na niezmienność cen i poziom zużycia energii. W drugim etapie zajęto się problemem rekonfiguracji sieci dystrybucyjnej w celu zmniejszenia strat mocy z sieci. Przeprowadzone obliczenia numeryczne dla testowej sieci dystrybucyjnej potwierdzają efektywność proponowanych algorytmów.
Źródło:
Acta Energetica; 2017, 2; 57-62
2300-3022
Pojawia się w:
Acta Energetica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magneto-Optical Studies of Narrow Band-Gap Heterostructures with Type II Quantum Dots InSb in an InAs Matrix
Autorzy:
Mukhin, M.
Terent'ev, Ya.
Golub, L.
Nestoklon, M.
Meltser, B.
Semenov, A.
Solov'ev, V.
Sitnikova, A.
Toropov, A.
Ivanov, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492858.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.75.-c
71.70.Ej
78.55.Cr
78.67.Hc
78.20.Ls
75.40.Mg
Opis:
Magneto-optical properties of type II heterostructures with InSb/InAs quantum dots has been studied at external magnetic field applied in the Faraday geometry. The emission polarization degree can be changed in the range from 100% σ-minus to 10% σ-plus due to excitation intensity and temperature variation. The detailed calculation of the band structure within a tight-binding approximation is presented. The simulation of the experimental data reveals that the oscillator strength of the optical transitions involving electrons with the spin oriented along and opposite to the magnetic field vector differs by approximately 1.8 times in the heterostructures under study.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 868-869
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anomalous Magnetoresistance in Multi-Level Quantum Wells
Autorzy:
Averkiev, N. S.
Golub, L. A.
Pikus, G. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969000.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
71.70.Ej
73.20.Fz
Opis:
Effect of intensive interlevel transitions in quantum well and strong spin-orbit interaction on weak localization is considered. Anomalous magnetoresistance in classically weak fields is calculated for p-type quantum wells based on A$\text{}_{3}$B$\text{}_{5}$ semiconductors. It is shown that the sign of magnetoresistance changes with varying doping level and the role of the intersubband transitions in weak localization effects depends dramatically on a view of the scattering potential.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 229-234
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies