Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gobsch, G." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Superconducting Layers by Gallium Implantation and Short-Term Annealing in Semiconductors
Autorzy:
Fiedler, J.
Heera, V.
Voelskow, M.
Mücklich, A.
Reuther, H.
Skorupa, W.
Gobsch, G.
Helm, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400477.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.78.-w
Opis:
Superconducting layers in silicon and germanium are fabricated via gallium implantation through a thin $SiO_2$ cover layer and subsequent rapid thermal annealing. Gallium accumulation at the $SiO_2//Si$ and $SiO_2//Ge$ interfaces is observed but no pure gallium phases were found. In both cases superconducting transition occurs around 6-7 K which can be attributed to the metallic conducting, gallium rich interface layer. However, the superconducting as well as the normal-state transport properties in gallium overdoped silicon or germanium are different.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 916-919
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies