Autor: Gala, D. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Stem-base disease in winter durum and common wheat cultivation in the years 2009–2011
Autorzy:: Gala, D.
Gorczyca, A.
Oleksy, A.
Kolodziejczyk, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/65347.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Opis:: The occurrence of stem-base diseases in two cultivars of winter wheat were evaluated in a 3-year experiment, using two agrotechnology levels. The two cultivars evaluated were durum wheat of the Komnata cultivar and common wheat of the Ostka Strzelecka cultivar. The highest intensity was noted in the occurrence of two diseases of the complex, i.e. Fusarium foot rot and eyespot. The examined cultivars were characterized by a similar susceptibility to these diseases. There was an observed difference - a slightly higher susceptibility by the Komnata as opposed to the Ostka Strzelecka cultivar - but it was not significant statistically. Significant differentiation in infestation was noted for other experimental factors like cultivation season and the agrotechnology level. Intensification of the occurrence of both stem-base diseases in the experimental seasons did not affect the mean amount and quality of the yield obtained in the experiment.
Źródło:: Journal of Plant Protection Research; 2014, 54, 1
1427-4345
Pojawia się w:: Journal of Plant Protection Research
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Effect of multi-walled carbon nanotubes on the germination and growth characteristics of three fodder grasses in vitro and in chernozem soil
Autorzy:: Radkowski, A.
Radkowska, I.
Gala-Czekaj, D.
Bocianowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/15363.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Źródło:: Journal of Elementology; 2018, 23, 1
1644-2296
Pojawia się w:: Journal of Elementology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Calystegia sepium – an expansive weed of maize fields near Krakow
Calystegia sepium - ekspansywny chwast na polach z kukurydzą w okolicach Krakowa
Autorzy:: Gala-Czekaj, D.
Gasiorek, M.
Halecki, W.
Synowiec, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/28452.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Botaniczne
Opis:: The aim of the present study was to assess the degree of colonization of maize fields by the greater or hedge bindweed, Calystegia sepium L. in the vicinity of Krakow, and to investigate the habitat preferences of this weed. On the basis of field trips, carried out in 88 fields of maize, we found that C. sepium had colonized approximately 30% of the fields investigated. On average, it covered 17.5% of the field area. Multivariate analyses (PCA and RDA) showed that the presence of this species was correlated with that of sandy soils as well as the proximity of streams. Analysis of the morphological features revealed that C. sepium specimens growing both in fields and in natural stands share similar morphological characteristics.
Celem pracy było określenie stopnia kolonizacji upraw kukurydzy w okolicach Krakowa przez kielisznik zaroślowy (Calystegia sepium L.) oraz zbadanie preferencji siedliskowych tego gatunku. Posługując się metodą marszrutową zlustrowano łącznie 88 pól z kukurydzą. Występowanie kielisznika zaroślowego stwierdzono w 30% badanych upraw. Gatunek pokrywał średnio 17.5% powierzchni pola. Analizy wielowymiarowe (PCA i RDA) wykazały, że obecność kielisznika zaroślowego na polach z kukurydzą powiązana jest z występowaniem frakcji piasku w glebie i z bliskością cieków wodnych. Rośliny kielisznika zaroślowego występujące na polach z kukurydzą oraz w pobliskich siedliskach naturalnych mają zbliżone parametry morfologiczne.
Źródło:: Acta Agrobotanica; 2016, 69, 4
0065-0951
2300-357X
Pojawia się w:: Acta Agrobotanica
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi
Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray techniques
Autorzy:: Sakowska, H.
Mazur, K.
Teklińska, D.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Gała, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192399.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: SiC
utlenianie katalityczne
polerowanie
catalytic oxidation
polishing
Opis:: W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu utleniania chemicznego i wygrzewania na poprawę jakości polerowanej, krzemowej, powierzchni płytek SiC. Do chemicznego utleniania zastosowano reakcję Fentona. Czynnikiem utleniającym były rodniki hydroksylowe (OH^*) powstające z rozkładu nadtlenku wodoru (H₂O₂) w obecności jonów żelaza Fe(II). Uzyskano poprawę parametrów chropowatości przy określonych warunkach utleniania. Wygrzewanie płytek polerowanych standardowo, w odpowiednio dobranych warunkach, pozwoliło na uzyskanie chropowatości na poziomie atomowym Ra ∼ 0,1 nm oraz znaczną redukcję warstwy uszkodzonej. Jakość krystaliczną płytek badano przy użyciu metod rentgenograficznych: dyfraktometrii, topografii i reflektometrii. Pomiary gładkości powierzchni, przed i po obróbce badano przy pomocy mikroskopu optycznego z kontrastem Nomarskiego i mikroskopu sił atomowych AFM.
Experimental results of chemical oxidation and thermal annealing and their influence on the improvement of the quality of the polished surface of silicon carbide (SiC) wafers have been presented. The Fenton process was used in the process of chemical oxidation. Hydroxyl radicals (OH^*) generated during the decomposition of a hydrogen peroxide (H₂O₂) solution were the oxidizing agents. The quality of the roughness parametres was improved. After thermal annealing in vacuum at T 900°C a very smooth surface was obtained, subsurface damaged layers were reduced, with Ra ∼ 0,1 nm. Both the crystallographic quality and roughness of the layers were investigated using X-ray methods. The surface smoothness before and after processing was measured using an atomic force microscope (AFM) and an optical microscope.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 3-10
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Gala, D." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język