Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gaca, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 24
Tytuł:
Decreasing of the natural background counting - passive and active method
Autorzy:
Kozak, K.
Mietelski, J.
Jasińska, M.
Gaca, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148057.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
active shield
background reduction
environmental radioactivity
Opis:
The methods of passive and active shielding and the results of background gamma measurements, during the years 1996-2000 are presented. The spectrometer background was recorded in various shielding configurations. The ultra-low level gamma-spectrometer (called in the paper the spectrometer E), equipped with a veto-detector for cosmic muons (active shield) was under tests during 1999-2000.
Źródło:
Nukleonika; 2001, 46, 4; 165-169
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High pure, carrier free 85Sr and 83Rb tracers obtained with AIC-144 cyclotron
Autorzy:
Misiak, R.
Gaca, P.
Bartyzel, M.
Mietelski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148437.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
AIC-144 cyclotron
carrier free tracers
environmental radioactivity
ion-exchange chromatography
rubidium-83
strontium-82
strontium-85
Opis:
The method of obtaining carrier free tracers, 85Sr and 83Rb from proton-irradiated natRbCl target is described. The separation of the radionuclides was done using Sr-Resin, the resin based on a crown ether. Current and some other possible applications of the tracers are discussed.
Źródło:
Nukleonika; 2003, 48, 3; 151-153
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Accumulation properties of Norway spruce (Picea abies) for different radionuclides
Autorzy:
Tomankiewicz, E.
Mietelski, J.
Gaca, P.
Błażej, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148612.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
137Cs
50Sr
thorium
spruce tree
Tatra Mts.
aggregation coefficients
Opis:
The paper presents results for the 137Cs, 90Sr, 40K activity concentrations and 228Th/232Th, 230Th/232Th activity ratios in several samples needles from two Norway spruce (Picea abies) trees and two soil samples collected in the Tatra Mountains (Poland) area. Activities for artificial 137Cs and 90Sr show moderate values. Statistically different values were found between the mean concentration of 90Sr and 137Cs in current (C) and two years old (C+2) needles of the first tree, whereas for potassium no significant difference was observed. For the second, fallen tree, no significant difference between the mean activity concentration in needles for C+1 and C+2 was found for each radionuclide, but much lower levels of 137Cs contamination were observed. Observed values of the aggregation coefficients for 137Cs and 90Sr are presented.
Źródło:
Nukleonika; 2006, 51,suppl.2; 59-67
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Activity ratios of thorium isotopes in living species compared with other environmental samples
Autorzy:
Kierepko, R.
Mietelski, J. W.
Gaca, P.
Tomankiewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146760.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
activity ratio 228Th/232Th
activity ratio 230Th/232Th
Opis:
The paper presents the results of alpha spectrometric measurements of 228Th/232Th and 230Th/232Th activity ratios for many samples of some living species analyzed within last years in our laboratory within different projects. The results were compared with typical values for soil or other non-biological samples. All results were obtained by means of alpha spectrometry.
Źródło:
Nukleonika; 2008, 53, 1; 27-30
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Borysiuk, J.
Pathak, A. P.
Sathish, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
heterostruktura
AIIIN
warstwa buforowa
XRD
heterostructure
buffer layer
Opis:
Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultrashort pulses supported by SESAM absorber
Autorzy:
Jasik, A.
Muszalski, J.
Gaca, J.
Wójcik, M.
Pierściński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200639.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
DBR
SESAM
mode-locking
femtosecond pulses
Opis:
We have developed a mode-locked diode-pumped Yb:KYW laser generating nearly band-width limited pulses as short as 101 fs. At 1.1 W absorbed power and 3% transmission output coupler, the laser delivers 150 mW for pulse duration of 110 fs, what corresponds to an efficiency of 14%. It was achieved using semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) grown by molecular beam epitaxy. SESAM contains a distributed Bragg reflector (DBR) completed by single quantum well (SQW) playing role of an absorbing layer. The absorbers were crystallized in accordance with the predicted structure parameters under optimised growth conditions. The resonant-like type of structures ensured relatively high enhancement factor due to antireflective properties of SiO2 capping material and a wavelength independence of a group delay dispersion. The optimisation of the growth conditions of both an absorbing layer and DBR structure were widely carried out. Optical reflectance and high resolution X-ray diffraction have been used for characterization and verification of DBR structures. It results in reduction of the nonsaturable absorption in SESAM and self-starting mode-locking of the ultrashort pulses.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 4; 477-483
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction
Opis:
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oksychlorowanie związków organicznych
Oxychlorination of organic compounds
Autorzy:
Przybyłek, M.
Gaca, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1207647.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
nadtlenek wodoru
chlorowodór
związki chloroorganiczne
hydrogen peroxide
hydrogen chloride
chlorine compounds
Opis:
W artykule omówiono procesy oksychlorowania różnych związków organicznych. Zwrócono również uwagę na proekologiczny aspekt stosowania tych metod. Omówione zostały również szczegółowo mechanizmy oksychlorowania aniliny i eterów tert-butylowych.
In this paper oxychlorination processes were reviewed. We paid special attention to the environmental and ecological aspects of these transformations. Mechanisms of aniline and tert-buthyl ethers oxychlorination were also discussed in detail.
Źródło:
Chemik; 2011, 65, 4; 297-300
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ promieniowania na trwałość wybranych filtrów UV
Effect of UV radiation on the fastness of selected UV filters
Autorzy:
Gackowska, A.
Gaca, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1207646.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
filtry UV
nadtlenek wodoru
fotostabilność
UV
hydrogen peroxide
photostability
Opis:
Przeprowadzono badania trwałości wybranych filtrów UV: 1- (4’ - t -bu t y lof e n y lo) -3- (4’ ’ -me tok s y f e n y lo - )propa no -1,3-dion (MBBM), 1,3-bis-(4’-metoksyfenylo)propano-1,3-dion (MMBM) i 1-(4’-t-metoksyfenylo)-3-fenylopropano-1,3-dion (MBM). Sprawdzono wpływ promieniowania UV oraz obecności czynnika utleniają- cego (nadtlenku wodoru) i źródła jonów chlorkowych (chlorku sodu) na trwałość wybranych filtrów. Wykazano, że istotne znaczenie na trwałość badanych związków mają układy H2 O2 :UV i H2 O2 :NaCl:UV.
Studies on the fastness of selec ted UV filters: 1-(4’-t-butylphenyl)-3-(4’’-methoxyphenyl)propane-1,3-dione (MBBM), 1,3-bis-(4’- methoxyphenyl)propane-1,3-dione (MMBM) and 1-(4’-t-methoxyphenyl)-3-phenylpropane-1,3-dione (MBM) were carried out. Effect of UV radiation, presence of an oxidizing agent (hydrogen peroxide) and source of chloride ions (sodium chloride) on the fastness of selected filters was investigated. It was found that the systems H2 O2 :UV and H2 O2 :NaCl:UV were of the essential importance on the fastness of compounds studied.
Źródło:
Chemik; 2011, 65, 4; 301-304
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Accuracy of the element geometry mapping using non-invasive computer tomography method
Autorzy:
Grzelka, M.
Marciniak, L.
Gapinski, B.
Budzik, G.
Trafarski, A.
Augustyn-Pieniazek, J.
Gaca, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/384351.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
computer tomography
optical coordinate measuring technique
reverse engineering
accuracy of workpiece mapping
Opis:
Non-invasive method of the measurement and identification of shape and geometrical characteristics of measured detail based on the computer tomograph is widely applied in medicine with high efficiency. The paper is aimed at presenting the metrological analysis of the accuracy of shape reproduction. The examined shape was described due to the tomography and compared to the results of coordinate measurement. The comparative accuracy analysis of the tomography was performed for the typical details, as well as for the masters made with high accuracy. Using the results of the analysis, the respective models of measured details were created and used as a nominal in the further investigations. The results of the measurement with tomography were compared with the results achieved from the measurement by means of typical coordinate measuring machines and by means of 3D measurement optical scanner. Analysis of the gained values of the form deviations and important geometrical characteristics enabled to perform complex analysis of the shape reproduction of the examined detail with the method of computer tomography. The main purpose of the performed researches was the determination of the reproduction accuracy of surface measured with non-invasive computer tomography method. The investigations and analysis have been performed with the following equipment: computer tomograph, 3D printer and coordinate optical scanner supported with specialized software for advanced CAD data analysis.
Źródło:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2012, 6, 3; 23-26
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oznaczanie wybranych filtrów UV w próbkach wody
Determination of selected UV filters in water samples
Autorzy:
Gackowska, A.
Gaca, J.
Załoga, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1217169.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
filtry EHMC
MBBM
oznaczanie
walidacja
próbki wody i ścieków
filters EHMC
labeling
validation
samples of water and wastewater
Opis:
W artykule przedstawiono metody oznaczania wybranych filtrów UV w próbkach wody i ścieków. Opisano procedurę wzbogacania i izolacji dwóch filtrów UV z próbek wody i ścieków. Do analizy wykorzystano chromatograf gazowy sprzężony z detektorami płomieniowo-jonizacyjnym i spektrometrii mas (GC-FID-MS) oraz chromatograf cieczowy wyposażony w detektor z matrycą diod (HPLC-UV-DAD). Dla obu metod wykonano walidację. Etyloheksylo- metoksycynamonian (EHMC) i 1-(4'-t-butylofenylo)-3-(4''-metoksyfenylo-)propano-1,3-dion (MBBM) oznaczono w próbkach wody i ścieków kąpielowych. Oznaczono granicę wykrywalności i oznaczalności oraz wartość odzysku badanych związków. Uzyskano zadowalającą precyzję (RSD 5 -15 %). Przeprowadzono wstępne badania trwałości EHMC pod wpływem działania promieniowania UV. Wykazano, że produktem degradacji EHMC jest pochodna kwasu cynamonowego.
Methods for the determination of selected UV filters in water and wastewater samples have been presented. Procedure for enrichment and isolation of two UV filters from water and wastewater samples was described. Gas chromatograph coupled with flame ionization detector and mass spectrometry (GC-FID-MS) as well as liquid chromatograph equipped with UV and Diode Array (HPLC-UVDAD) detectors were used for the analysis. For both the methods, validation was performed. 2-Ethylhexyl 3- (4-methoxyphenyl)-2- propenoate (EHMC) and 1-(4'-t-butylphenyl)-3-(4''-methoxyphenyl-) propane-1,3-dione (MBBM) were determined in samples of water and bathing wastewater. Limit of detection, limit of quantification and recovery of the tested compounds were determined. The precision was satisfactory (RSD 5-15 %). Preliminary studies on stability of EHMC under influence of UV radiation were carried out. It was found that cinnamic acid derivative was the product of EHMC degradation.
Źródło:
Chemik; 2012, 66, 6; 615-620
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192140.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface
Opis:
Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków AIIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for AIIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 48-57
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of the carbo-glass geogrid-reinforcement on the fatigue life of the asphalt pavement structure
Wpływ zbrojenia siatką węglowo-szklaną na trwałość zmęczeniową asfaltowej nawierzchni drogowej
Autorzy:
Górszczyk, J.
Gaca, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/231125.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
geosyntetyk
nawierzchnia asfaltowa
trwałość zmęczeniowa
zbrojenie geosyntetyczne
naprężenie-liczba cykli
geogrid
asphalt pavement
fatigue life
geogrid-reinforcement
stress-number of cycles
Opis:
This paper describes the analyses of the fatigue life of the asphalt pavement reinforced with geogrid interlayer under traffic loading. Finite Element ANSYS package with using nCode applications, as well as macros specially designed in APDL programming script and VBA were used to model the considered problem. Our analysis included computation of stress, fatigue life, damage matrix and rainflow matrix. The method applied was the one of fatigue calculation: stress - number of cycles in short S-N. On the basis of the performed high cycle fatigue analysis, the influence of the location of the used geogrid and of its bond with asphalt layers on the fatigue life and the work of the asphalt pavement structure were determined. The study was carried out for three temperature seasons i.e. spring and fall (assumed as one season), winter and summer. The variability of the traffic conditions were taken into account by assuming weekly blocks of traffic loading. The calculations were made using the real values of loading measured in field tests on the German highways by means of HS-WIM weighing system. As a result of the performed tests, it was proved that the use of geogrid-reinforcement may prolong the fatigue life of the asphalt pavement. However, it is required that: the geogrid should be located in the tension zone as low as possible in the structure of the asphalt layers. Moreover, it is necessary to provide high stiffness of the bond between the geogrid and the asphalt layers.
W artykule opisano badania trwałości zmęczeniowej asfaltowej nawierzchni zbrojonej geosyntetyczną warstwą pośrednią poddanej zmiennym obciążeniom od kół poruszających się pojazdów. Badania te zrealizowano wykorzystując numeryczny model nawierzchni opracowany z użyciem metody elementów skończonych w systemie ANSYS z wykorzystaniem aplikacji firmy nCode oraz przygotowanych specjalnie makropoleceń w językach skryptowych APDL (ANSYS Parametric Design Language) i VBA (Visual Basic for Applications). Analizy obejmowały wyznaczenie naprężeń, trwałości zmęczeniowej, macierzy zniszczeń oraz macierzy rainflow. Zastosowano metodę obliczeń zmęczeniowych: naprężenie - liczba cykli (czas życia), w skrócie S-N. Na podstawie przeprowadzonych wysokocyklowych analiz zmęczeniowych określono, jaki wpływ na pracę i trwałość nawierzchni drogowej ma lokalizacja wbudowanego geosyntetyku oraz jego związanie z warstwami asfaltowej nawierzchni. Analizy przeprowadzono dla trzech sezonów temperaturowych, tj. wiosny i jesieni (łącznie - jeden sezon), zimy oraz lata. Zmienność warunków ruchu uwzględniono przyjmując tygodniowe bloki obciążeń. Do obliczeń wykorzystano rzeczywiste wartości obciążeń z pomiarów polowych przeprowadzonych przez Federal Highway Research Institute w Kolonii na niemieckich autostradach z wykorzystaniem systemu ważenia pojazdów w ruchu HS-WIM. Dane te obejmowały naciski poszczególnych osi, strukturę rodzajową i prędkości przejeżdżających pojazdów ciężkich z trzech miesięcy reprezentujących różne pory roku: styczeń, czerwiec i październik. W efekcie przeprowadzonych analiz stwierdzono, ze stosowanie zbrojenia geosyntetycznego może wydłużyć trwałość zmęczeniową nawierzchni asfaltowej. Wymagane jest jednak, aby: geosyntetyk zlokalizowany był w strefie rozciągania, możliwie jak najniżej w układzie warstw asfaltowych. Ponadto konieczne jest zapewnienie wysokiej sztywności połączenia geosyntetyku z warstwami asfaltowymi.
Źródło:
Archives of Civil Engineering; 2012, 58, 1; 97-113
1230-2945
Pojawia się w:
Archives of Civil Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs
Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/ GaAs Bragg mirrors
Autorzy:
Możdżonek, M.
Gaca, J.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192386.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
zwierciadło Bragga
GaAs/AlAs
widmo odbicia
daleka podczerwień
DBR
Bragg mirror
far-infrared
Opis:
Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.
We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 11-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 24

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies