Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gaca, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 24
Tytuł:
Wpływ promieniowania na trwałość wybranych filtrów UV
Effect of UV radiation on the fastness of selected UV filters
Autorzy:
Gackowska, A.
Gaca, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1207646.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
filtry UV
nadtlenek wodoru
fotostabilność
UV
hydrogen peroxide
photostability
Opis:
Przeprowadzono badania trwałości wybranych filtrów UV: 1- (4’ - t -bu t y lof e n y lo) -3- (4’ ’ -me tok s y f e n y lo - )propa no -1,3-dion (MBBM), 1,3-bis-(4’-metoksyfenylo)propano-1,3-dion (MMBM) i 1-(4’-t-metoksyfenylo)-3-fenylopropano-1,3-dion (MBM). Sprawdzono wpływ promieniowania UV oraz obecności czynnika utleniają- cego (nadtlenku wodoru) i źródła jonów chlorkowych (chlorku sodu) na trwałość wybranych filtrów. Wykazano, że istotne znaczenie na trwałość badanych związków mają układy H2 O2 :UV i H2 O2 :NaCl:UV.
Studies on the fastness of selec ted UV filters: 1-(4’-t-butylphenyl)-3-(4’’-methoxyphenyl)propane-1,3-dione (MBBM), 1,3-bis-(4’- methoxyphenyl)propane-1,3-dione (MMBM) and 1-(4’-t-methoxyphenyl)-3-phenylpropane-1,3-dione (MBM) were carried out. Effect of UV radiation, presence of an oxidizing agent (hydrogen peroxide) and source of chloride ions (sodium chloride) on the fastness of selected filters was investigated. It was found that the systems H2 O2 :UV and H2 O2 :NaCl:UV were of the essential importance on the fastness of compounds studied.
Źródło:
Chemik; 2011, 65, 4; 301-304
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oksychlorowanie związków organicznych
Oxychlorination of organic compounds
Autorzy:
Przybyłek, M.
Gaca, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1207647.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
nadtlenek wodoru
chlorowodór
związki chloroorganiczne
hydrogen peroxide
hydrogen chloride
chlorine compounds
Opis:
W artykule omówiono procesy oksychlorowania różnych związków organicznych. Zwrócono również uwagę na proekologiczny aspekt stosowania tych metod. Omówione zostały również szczegółowo mechanizmy oksychlorowania aniliny i eterów tert-butylowych.
In this paper oxychlorination processes were reviewed. We paid special attention to the environmental and ecological aspects of these transformations. Mechanisms of aniline and tert-buthyl ethers oxychlorination were also discussed in detail.
Źródło:
Chemik; 2011, 65, 4; 297-300
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of two-stage thermal disintegration on particle size distribution in sewage sludge
Autorzy:
Kaczmarek, A. M.
Gaca, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/777862.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
laser diffraction
particle size distribution
sludge
thermal hydrolysis
Opis:
The effect of two-stage thermal disintegration of sewage sludge on the particle size distribution using laser diffraction method has been studied. The sludge was sampled from municipal sewage treatment plant after each stage of disintegration. The first stage of disintegration known as homogenization proceeds at temperature of 70-90°C and pressure of 3 bar, the second stage called thermal hydrolysis was performed at temperature of 160-170°C and pressure of 6 bar. It was found that the first stage of disintegration has the strongest impact on the reduction of the sludge particle size and changes in chemical properties. The maximum size of the particles from raw sewage before disintegration was 310 μm. After first stage of the process average size of the particles was 250 μm, and during the second stage it was reduced to 226 μm. Sludge disintegration degree (DDCOD) of 59% confirms high effectiveness of the process. We established that the redox potential (Eh) of sludge effluents was changed after each step of the studied process. Furthermore, chemical oxygen demand (COD) increases which leads to the conclusion that resizing of floccules is accompanied by hydrolysis.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2013, 15, 3; 69-73
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oznaczanie wybranych filtrów UV w próbkach wody
Determination of selected UV filters in water samples
Autorzy:
Gackowska, A.
Gaca, J.
Załoga, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1217169.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
filtry EHMC
MBBM
oznaczanie
walidacja
próbki wody i ścieków
filters EHMC
labeling
validation
samples of water and wastewater
Opis:
W artykule przedstawiono metody oznaczania wybranych filtrów UV w próbkach wody i ścieków. Opisano procedurę wzbogacania i izolacji dwóch filtrów UV z próbek wody i ścieków. Do analizy wykorzystano chromatograf gazowy sprzężony z detektorami płomieniowo-jonizacyjnym i spektrometrii mas (GC-FID-MS) oraz chromatograf cieczowy wyposażony w detektor z matrycą diod (HPLC-UV-DAD). Dla obu metod wykonano walidację. Etyloheksylo- metoksycynamonian (EHMC) i 1-(4'-t-butylofenylo)-3-(4''-metoksyfenylo-)propano-1,3-dion (MBBM) oznaczono w próbkach wody i ścieków kąpielowych. Oznaczono granicę wykrywalności i oznaczalności oraz wartość odzysku badanych związków. Uzyskano zadowalającą precyzję (RSD 5 -15 %). Przeprowadzono wstępne badania trwałości EHMC pod wpływem działania promieniowania UV. Wykazano, że produktem degradacji EHMC jest pochodna kwasu cynamonowego.
Methods for the determination of selected UV filters in water and wastewater samples have been presented. Procedure for enrichment and isolation of two UV filters from water and wastewater samples was described. Gas chromatograph coupled with flame ionization detector and mass spectrometry (GC-FID-MS) as well as liquid chromatograph equipped with UV and Diode Array (HPLC-UVDAD) detectors were used for the analysis. For both the methods, validation was performed. 2-Ethylhexyl 3- (4-methoxyphenyl)-2- propenoate (EHMC) and 1-(4'-t-butylphenyl)-3-(4''-methoxyphenyl-) propane-1,3-dione (MBBM) were determined in samples of water and bathing wastewater. Limit of detection, limit of quantification and recovery of the tested compounds were determined. The precision was satisfactory (RSD 5-15 %). Preliminary studies on stability of EHMC under influence of UV radiation were carried out. It was found that cinnamic acid derivative was the product of EHMC degradation.
Źródło:
Chemik; 2012, 66, 6; 615-620
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs
Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/ GaAs Bragg mirrors
Autorzy:
Możdżonek, M.
Gaca, J.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192386.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
zwierciadło Bragga
GaAs/AlAs
widmo odbicia
daleka podczerwień
DBR
Bragg mirror
far-infrared
Opis:
Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.
We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 11-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie nad możliwością zagospodarowania odpadu powstającego podczas wytwarzania izolacji kabli
Studies on the management of waste formed during production of cable insulation
Autorzy:
Gackowska, A
Studziński, W
Gaca, J
Dadzibóg, M
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/297482.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
Tematy:
odpad organiczny
frakcjonowanie
analiza chromatograficzna
zagospodarowanie odpadu
organic waste
fractionation
chromatographic analysis
management of waste
Opis:
Przedmiotem badań był ciekły odpad organiczny powstający przy wytwarzaniu izolacji kabli. Dokonano analizy odpadu pod kątem jego składu chemicznego. Analizę przeprowadzono metodą chromatografii gazowej przy zastosowaniu detektora płomieniowo- -jonizacyjnego (FID) i spektrometrii mas (MS). Stwierdzono, że odpad zawiera produkty rozkładu nadtlenku dikumylu, stosowanego podczas sieciowania polietylenu. Głównymi składnikami odpadu są acetofenon, α-metylostyren i alkohol kumylowy. Wykazano, że acetofenon może być odzyskiwany w procesie destylacji odpadu (uzyskanie zatężonej frakcji acetofenonu). Przedstawiono sposób utylizacji pozostałych frakcji (warstwa wodna i pozostałość podestylacyjna). Zaproponowany sposób zagospodarowania odpadu stanowi alternatywną metodę w odniesieniu do termicznej destrukcji, która jest obecnie stosowana.
The object of study was waste material from production of cable insulation. Analysis of waste in terms of its chemical composition was performed. Waste analysis was performed by gas chromatography using a flame ionization detector (FID) and mass spectrometer (MS). Qualitative and quantitative analysis of waste was performed. It was found that the waste contains acetophenone, α-methylstyrene and cumyl alcohol, among other substances. These compounds are products of decomposition of dicumyl peroxide, which is used in crosslinking of polyethylene. Since acetophenone was the main compound in waste, therefore studies were conducted in order to separate acetophenone fraction. Process of waste distillation was proposed in order to dispose of the waste aqueous layer and to obtain concentrated acetophenone fraction. Method of disposal of water fraction and bottoms was presented. The proposed method of waste management is an alternative method for thermal destruction, which is used at present.
Źródło:
Inżynieria i Ochrona Środowiska; 2013, 16, 1; 103-112
1505-3695
2391-7253
Pojawia się w:
Inżynieria i Ochrona Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192140.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface
Opis:
Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków AIIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for AIIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 48-57
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Caban, P.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
ZnO monocrystal
ion implantation
radiation defect analysis
wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
monokryształ ZnO
implantacja jonów
analiza defektów radiacyjnych
Opis:
High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Goose eggs hatching technique improvement with the use of pre-incubation
Doskonalenie technologii lęgu jaj gęsich z zastosowaniem preinkubacji
Autorzy:
Kucharska-Gaca, J.
Adamski, M.
Kuzniacka, J.
Kowalska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/45188.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Źródło:
Acta Scientiarum Polonorum. Zootechnica; 2016, 15, 2
1644-0714
Pojawia się w:
Acta Scientiarum Polonorum. Zootechnica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of the weight of hatching eggs on the hatchability indices and on the body weight of geese in rearing and after fattening with oats
Wpływ masy jaja wylęgowego na masę ciała gęsi w ochowie i po tuczu owsem
Autorzy:
Kucharska-Gaca, J.
Adamski, M.
Kuzniacka, J.
Kowalska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/44593.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Źródło:
Acta Scientiarum Polonorum. Zootechnica; 2016, 15, 3
1644-0714
Pojawia się w:
Acta Scientiarum Polonorum. Zootechnica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultrashort pulses supported by SESAM absorber
Autorzy:
Jasik, A.
Muszalski, J.
Gaca, J.
Wójcik, M.
Pierściński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200639.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
DBR
SESAM
mode-locking
femtosecond pulses
Opis:
We have developed a mode-locked diode-pumped Yb:KYW laser generating nearly band-width limited pulses as short as 101 fs. At 1.1 W absorbed power and 3% transmission output coupler, the laser delivers 150 mW for pulse duration of 110 fs, what corresponds to an efficiency of 14%. It was achieved using semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) grown by molecular beam epitaxy. SESAM contains a distributed Bragg reflector (DBR) completed by single quantum well (SQW) playing role of an absorbing layer. The absorbers were crystallized in accordance with the predicted structure parameters under optimised growth conditions. The resonant-like type of structures ensured relatively high enhancement factor due to antireflective properties of SiO2 capping material and a wavelength independence of a group delay dispersion. The optimisation of the growth conditions of both an absorbing layer and DBR structure were widely carried out. Optical reflectance and high resolution X-ray diffraction have been used for characterization and verification of DBR structures. It results in reduction of the nonsaturable absorption in SESAM and self-starting mode-locking of the ultrashort pulses.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 4; 477-483
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ wybranych czynników na wydajność rzeźną i jakość mięsa gęsiego
Effect of selected factors on slaughter yield and quality of goose meat
Autorzy:
Adamski, M.
Kucharska-Gaca, J.
Kuzniacka, J.
Kowalska, E.
Czarnecki, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/828551.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Technologów Żywności
Tematy:
mieso gesie
wydajnosc rzezna
jakosc
gesi
hodowla zwierzat
zywienie zwierzat
genotyp
wiek zwierzat
czynniki jakosci
Źródło:
Żywność Nauka Technologia Jakość; 2016, 23, 5
1425-6959
Pojawia się w:
Żywność Nauka Technologia Jakość
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction
Opis:
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne
Effects of composition grading at heterointefaces and variations in thickness of layers on Bragg Mirror quality
Autorzy:
Gaca, J.
Mazur, K.
Turos, A.
Wesołowski, M.
Wójcik, M.
Jasik, A.
Muszalski, J.
Pierściński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192359.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
DBR
HRXRD
XRR
reflektometria optyczna
optical reflectivity
Opis:
Supersieci GaAs/AlAs i AlGaAs/AlAs przeznaczone do wykorzystania jako zwierciadła Bragga otrzymano zarówno metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, jak i epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych LP MOVPE. Supersieci te różniły się między sobą grubościami warstw, liczbą powtórzeń warstwy podwójnej (Al)GaAs/AlAs, jak i warunkami technologicznymi w których je wytwarzano. Dla każdej supersieci wyznaczono jej profil składu chemicznego, wykorzystując do tego celu wysokorozdzielczą dyfraktometrię rentgenowską (HRXRD), reflektometrię rentgenowską (XRR) oraz metodę wstecznego rozpraszania jonów (RBS), wspomagane analizą numeryczną. Szczególną uwagę zwracano na profil interfejsów pomiędzy warstwami i odstępstwa od zakładanej grubości warstw. Następnie stosując spektroskopię odbiciową dla każdej supersieci zmierzono spektralną zależność współczynnika odbicia. Pokazano zależność pomiędzy profilem składu chemicznego a zdolnością odbicia tych supersieci. Zidentyfikowano odstępstwa od typowej struktury zwierciadeł Bragga, którą stanowi supersieć o prostokątnym kształcie profilu składu chemicznego i zbadano ich wpływ na zdolność odbiciową tych zwierciadeł.
GaAs/AlAs, and AlGaAs/AlAs superlattices to be used as Bragg mirrors have been grown by means of Molecular Beam Epitaxy (MBE) or Low-Pressure Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (LP MOVPE) techniques. These superlattices have differed in terms of: the thickness of layers, the number of periods, and growth conditions. The chemical composition profile for each superlattice has been determined by means of High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD), X-ray Reflectometry (XRR), as well as RBS characterization techniques, and at the same time a numerical analysis has been performed. Special attention has been paid to the profile of interfaces between succeeding layers and variations in the thickness of layers. Next, Optical Reflectance (OR) has been applied to measure the reflectivity spectra for each sample. It has been shown that there is a strong correlation between the optical reflectivity of DBR mirrors and their chemical composition profile and structural quality. A departure from the designed structure of the DBR has been identified and its influence on the DBR’s reflectivity has been determined.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Borysiuk, J.
Pathak, A. P.
Sathish, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
heterostruktura
AIIIN
warstwa buforowa
XRD
heterostructure
buffer layer
Opis:
Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 24

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies