Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Głuszko, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Numeryczna ocena nośności i sztywności króćców w doczołowych połączeniach rur prostokątnych
    Numerical assessment of stubs resistance and stiffness in end-plate connections for rectangular hollow section
    Autorzy:
    Głuszko, A.
    Ślęczka, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/104803.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    połączenie śrubowe
    połączenie doczołowe
    metoda składnikowa
    króciec teowy
    króciec
    metoda elementów skończonych
    end-plate joint
    component method
    T-stub
    stub
    finite element modeling
    Opis:
    W pracy przedstawiono metodykę modelowania oraz rezultaty analiz numerycznych nośności i sztywności króćca teowego (T) oraz króćca podwójnie teowego (Π). Króciec teowy (T) jest elementem składowym styków doczołowych kształtowników o przekroju poprzecznym otwartym (IPE lub HEB), króciec podwójnie teowy (Π) jest zaś fragmentem styku doczołowego rur o przekroju prostokątnym. Zastosowanie metody składnikowej do określania nośności i sztywności połączeń doczołowych z rur prostokątnych wymaga numerycznego i/lub doświadczalnego zbadania zachowania króćców podwójnie teowych (Π) i stwierdzenia na ile odbiega ono od dobrze znanego zachowania króćców teowych (T). Rezultaty symulacji zachowania się obu typów króćców skonfrontowano ze sobą. Przeprowadzono analizę parametryczną z uwzględnieniem zmiany grubości blachy czołowej oraz szerokości rozstawu ścianek rury. Wynikiem analiz jest określenie nośności i sztywności oraz występujących form zniszczenia. Porównano je z rezultatami analitycznego określenia tych parametrów przy użyciu metody składnikowej (w ujęciu PN-EN 1993-1-8) i za pomocą innych dostępnych metod obliczeniowych. Przeprowadzone analizy wskazują na możliwość stosowania metody składnikowej w połączeniach doczołowych rur, lecz niezbędne jest jej odpowiednie dostosowanie do takiego podejścia.
    The paper describes results of the finite element modeling of two types of stubs in bolted end-plate connections. The first one is the T-stub which is the part of open section joints and second one is the Π-stub which is the part of rectangular hollow section joints. The investigation is made to compare the behavior and find differences between those stubs and then to use Π-stub in application of the component method in end-plate joints for rectangular hollow sections. The impact of flange plate thickness and pitch of hollow section wall on resistance and initial stiffness is investigated. The results are compared to the predictions of the component method of EN 1993-1-8 and to the another analytical method. It is shown that the component method can be used to determine the structural properties of rectangular hollow section connections after appropriate adjustment.
    Źródło:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury; 2017, 64, 3/I; 387-396
    2300-5130
    2300-8903
    Pojawia się w:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
    Autorzy:
    Bieniek, T.
    Beck, R. B.
    Jakubowski, A.
    Głuszko, G.
    Konarski, P.
    Ćwil, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308685.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    CMOS
    dual gate oxide
    gate stack
    oxynitride
    plasma implantation
    Opis:
    The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 3-8
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    An Influence of Silicon Substrate Parameters on a Responsivity of MOSFET-Based Terahertz Detectors
    Autorzy:
    Kucharski, K.
    Zagrajek, P.
    Tomaszewski, D.
    Panas, A.
    Głuszko, G.
    Marczewski, J.
    Kopyt, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1186027.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.Tv
    85.60.Gz
    42.79.Pw
    Opis:
    Silicon n-channel MOS transistors are a promising solution for sub-terahertz radiation detection. Their sensitivity is strongly related to the device construction. A type and thickness of the device substrate are key parameters affecting the responsivity, because the silicon substrate is a medium for the radiation propagation and the radiation energy loss, which degrades the detection efficiency. This work is aimed at analysis of the silicon substrate characteristics effect on operation of the MOSFETs as the terahertz radiation sensors. A manufacturing of the MOSFETs on three different substrate types including changing the substrate thickness is described in the paper. Next, the fabricated devices were exposed to THz radiation and their photoresponses were measured. It may be concluded that MOSFETs on silicon-on-insulator wafers with locally thinned substrates demonstrate the highest photoresponse. However, the experiments with the MOSFETs on high resisivity wafers give also promising results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1193-1195
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
    Autorzy:
    Mroczyński, R.
    Głuszko, G.
    Beck, R. B.
    Jakubowski, A.
    Ćwil, M.
    Konarski, P.
    Hoffman, P.
    Schmeißer, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308691.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    ultra-thin dielectrics
    silicon oxynitride
    PECVD
    CMOS
    Opis:
    This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant phase in the ultra-thin layer and high-temperature annealing results in further increase of the oxynitride phase up to 70% of the whole layer. Despite comparable thickness, SIMS measurement indicates a densification of the annealed layer, because sputtering time is increased. It suggests complex changes of physical and chemical properties of the investigated layers taking place during high-temperature annealing. The C-V curves of annealed layers exhibit less frequency dispersion, their leakage and charge-pumping currents are lower when compared to those of as-deposited layers, proving improvement in the gate structure trapping properties due to the annealing process.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 16-19
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies