Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Fedosov, N." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Dynamics of the Intraband Light Absorption in Selectively Doped GaAs/AlGaAs Quantum Wells
Autorzy:
Vorobjev, L.
Panevin, V.
Fedosov, N.
Firsov, D.
Shalygin, V.
Seilmeier, A.
Schmidt, S.
Zibik, E.
Towe, E.
Kapaev, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178288.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
42.60.-v
Opis:
Spectral and temperature dependences of equilibrium and non-equi-intersubband light absorption in the mid-infrared spectral range were studied in selectively doped asymmetrical tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells. The temporal evolution of the absorption studied by means of a picosecond pump-probe technique was found to have a biexponential character. The fast decay times are determined by intersubband electron relaxation due to electron scattering by optical phonons and impurities. The presence of long decay times in transient mid-infrared absorption is probably connected with electron transitions from the states in barrier (X and L valleys as well as deep centers) to the states of the quantum well. Experimentally determined intersubband scattering times are compared with the calculated ones.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 429-434
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Absorption and Photoluminescence in Quantum Dots and Artificial Molecules
Autorzy:
Firsov, D.
Vorobjev, L.
Panevin, V.
Fedosov, N.
Shalygin, V.
Samsonenko, J.
Tonkikh, A.
Cirlin, G.
Andreev, A.
Kryzhanovskaya, N.
Tarasov, I.
Pikhtin, N.
Ustinov, V.
Hanna, S.
Seilmeier, A.
Julien, F.
Zakharov, N.
Werner, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041673.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
Opis:
Intraband absorption in n- and p-doped structures with InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers is studied both experimentally and theoretically. The absorption cross-section for p-type quantum dots was found to be significantly smaller than that for n-type quantum dots. Interband absorption bleaching under strong interband excitation is found and investigated in undoped quantum dot structures. Structures with artificial molecules were grown. Photoluminescence spectra and transmission electron microscopy images proves the presence of coupled symmetrical quantum dots.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 158-162
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies