Autor: Fedorov, S. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Naprzód... do sterowców?
Autorzy:: Verba, G.
Pavlušenko, M.
Fedorov, S.
Powiązania:: Przegląd Informacyjno-Dokumentacyjny "Marynarka Wojenna" 2001, nr 2, s. 87-93
Współwytwórcy:: Szudrowicz, Andrzej. Opracowanie
Data publikacji:: 2001
Tematy:: Sterowce wojskowe użycie
Lotnictwo wojskowe
Lotnictwo morskie
Opis:: Streszcz.
Oprac. art. zamieszcz. w "Morskoj Sbornik". --- 2001, nr 2, s. 49-52.
Dostawca treści:: Bibliografia CBW

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Naprzód... do sterowców?
Autorzy:: Verba, G.
Pavlušenko, M.
Fedorov, S.
Powiązania:: Przegląd Informacyjno-Dokumentacyjny "Marynarka Wojenna" 2001, nr 2, s. 87-93
Współwytwórcy:: Szudrowicz, Andrzej. Opracowanie
Data publikacji:: 2001
Tematy:: Sterowce wojskowe użycie
Lotnictwo wojskowe
Lotnictwo morskie
Opis:: Streszcz.; Oprac. art. zamieszcz. w "Morskoj Sbornik". --- 2001, nr 2, s. 49-52.
Dostawca treści:: Bibliografia CBW

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Interlayer Exchange Coupling in Semiconductor EuS-PbS Ferromagnetic Wedge Multilayers
Autorzy:: Kowalczyk, L.
Wrotek, S.
Dziawa, P.
Osinniy, V.
Szot, M.
Story, T.
Sipatov, A. Yu.
Volobuev, V. V.
Fedorov, A. G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2046924.pdf
Data publikacji:: 2006-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.20.Ck
75.30.Et
Opis:: Antiferromagnetic interlayer coupling between ferromagnetic layers of EuS via nonmagnetic PbS spacer layer was experimentally studied in EuS-PbS wedge multilayers grown on KCl (001) substrates with EuS thickness of 6 nm and PbS thickness varying in the wedges in the range 0.3-6 nm (i.e. n=1-20 monolayers). Measurements of magnetic hysteresis loops of EuS-PbS multilayers performed in the temperature range 5-30 K by superconducting (SQUID) and magneto-optical magnetometers revealed a rapid increase in saturation magnetic field in multilayers with PbS spacer thinner than about 1.5 nm. It shows a monotonic increase in interlayer coupling strength with a decreasing PbS spacer thickness, in qualitative agreement with 1/2$\text{}^{n}$ dependence predicted theoretically for semiconductor magnetic superlattices.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 225-231
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Free Exciton Luminescence in ZnCdSe Solid Solutions, ZnSe Epitaxial Films and ZnSe$\text{}_{1-x}$S$\text{}_{x}$/ZnSe$\text{}_{1-y}$S$\text{}_{y}$ Superlattices
Autorzy:: Tenishev, L. N.
Permogorov, S. A.
Fedorov, D. L.
Yakushcheva, G. G.
Kuznetsov, P. I
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952205.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.20.Ci
Opis:: We studied the luminescence of bulk Zn$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Se solid solutions, epitaxial ZnSe films and ZnSe$\text{}_{1-x}$S$\text{}_{x}$/ZnSe$\text{}_{1-y}$S$\text{}_{y}$ superlattices at T=2-80 K. The analysis of the bands of exciton radiative annihilation with simultaneous emission of 1 or 2 LO phonons shows that the excitons in the studied samples can be considered as free particles with thermalized distribution of kinetic energies. In ZnSe$\text{}_{1-x}$S$\text{}_{x}$/ZnSe$\text{}_{1-y}$S$\text{}_{y}$ superlattices a three-dimensional character of exciton motion was established. The periodic potential of superlattice perturbs the exciton wave vector and induces additional elastic scattering of excitons.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 959-964
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Calcium Fluoride Barrier Layer in Tunnel Emitter Phototransistor
Autorzy:: Illarionov, Y.
Vexler, M.
Suturin, S.
Fedorov, V.
Sokolov, N.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1490944.pdf
Data publikacji:: 2012-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Qv
73.40.Gk
73.61.Ng
Opis:: Owing to the optimized growth technology of the 1-2 nm calcium fluoride films on n-(111)-silicon, metal/tunnel-insulator/semiconductor phototransistors have been fabricated by the molecular beam epitaxy at the temperature 250°C. The characteristics of these transistors were measured in a wide range of voltages, and the proofs for current gain were found throughout the investigated range. The gain value exceeds $10^3$ approaching the theoretically estimated value in this system. The stability and reproducibility of the device characteristics were satisfactory. The results support the candidacy of calcium fluoride for being a vital dielectric in silicon-based functional electronics.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1; 158-161
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja