Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Duarte Naia, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Depth Profiling of Defects in He Implanted $SiO_2$
Autorzy:
Mariazzi, S.
Toniutti, L.
Brusa, R.
Duarte Naia, M.
Karbowski, A.
Karwasz, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812538.pdf
Data publikacji:
2008-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.60.+z
78.70.Bj
68.55.-a
61.82.Ms
61.72.J-
Opis:
Thin layer of $SiO_2$ thermally grown on p-type Si was implanted with $He^+$ ions at 30 keV with a dose of $5×10^{15}$ ions/$cm^2$. $SiO_2//Si$ samples were depth profiled by Doppler broadening positron annihilation spectroscopy to identify induced defects in the silicon oxide, at the interface and in the Si substrate. In one sample the silicon dioxide layer was removed by etching after implantation. It is shown that removing the silicon dioxide layer some more information about defects into the substrate can be found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 5; 1447-1453
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies