Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Donchev, T. I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
La$\text{}_{0.7}$Sr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ Thin-Film Grain-Boundary Junctions on a Bi-Crystal Substrate
Autorzy:
Gierłowski, P.
Szewczyk, A.
Abal'oshev, A. V.
Vlakhov, E. S.
Donchev, T. I.
Blagoev, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041462.pdf
Data publikacji:
2004-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.47.Lx
75.47.Gk
72.25.Mk
Opis:
Transport properties of 10μm to 30μm wide grain-boundary junctions ion-etched in thin colossal magnetoresistance La$\text{}_{0. 7}$Sr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ films deposited on a SrTiO$\text{}_{3}$ bi-crystal were investigated. We have measured the current-voltage characteristics in the temperature range from 4.2 K to 300 K without applied magnetic field, as well as the magnetoresistance at magnetic fields up to±10 kOe directed parallel to the film surface, both perpendicular and parallel to the direction of current flow through the junctions. The investigated junctions have nonlinear current-voltage characteristics in this temperature range and consist of several magnetic domains. The maximum magnetoresistance (R(H)-R $\text{}_{max}$)/R$\text{}_{max}$, measured at 1 kOe was -17.6% at 4.1 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 5; 715-719
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies