Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dobrowolska, H." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Modyfikacja odczynów immunologicznych
Modifikacija immunnykh reakcii pri ehkhinokokkoze
A modification of the immunological tests in echinococcosis
Autorzy:
Jeziorańska, A.
Dobrowolska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2180539.pdf
Data publikacji:
1956
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Źródło:
Wiadomości Parazytologiczne; 1956, 02, 5; 119-120
0043-5163
Pojawia się w:
Wiadomości Parazytologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modyfikacja odczynów immunologicznych
Modifikacija immunnykh reakcii pri ehkhinokokkoze
A modification of the immunological tests in echinococcosis
Autorzy:
Jezioranska, A.
Dobrowolska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/838802.pdf
Data publikacji:
1956
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Źródło:
Annals of Parasitology; 1956, 02, 5
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Odczyny immunologiczne przy askaridozie
Immunologicheskie reakcii pri askaridoze
The immunological reactions in ascaridosis
Autorzy:
Jeziorańska, A.
Dobrowolska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2180514.pdf
Data publikacji:
1956
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Źródło:
Wiadomości Parazytologiczne; 1956, 02, 5; 117-118
0043-5163
Pojawia się w:
Wiadomości Parazytologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Properties of Diluted Magnetic Semiconductor Quantum Structures
Autorzy:
Dobrowolska, M.
Luo, H.
Furdyna, J. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931886.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Et
73.20.Dx
68.55.Bd
78.20.Ls
Opis:
Conduction and valence band edges in diluted magnetic semiconductors undergo enormous Zeeman shifts when a magnetic field is applied, reaching values in excess of 100 meV at low temperatures. These Zeeman shifts can thus have profound consequences on the properties of DMS/non-DMS heterostructures, since they provide the opportunity of tuning their band alignment by varying an applied field. This leads to a variety of entirely new effects, and also provides a powerful tool for probing the effect of band alignment on the properties of semiconductor heterostructures in general. We illustrate this with several examples. First, using the ZnSe/ZnMnSe system, we discuss the creation of a spatial spin modulation (spin superlattice). Second, we use the drastic differences in the Zeeman splitting occurring in different layers of a DMS/non-DMS superlattice in order to pinpoint the localization in space of the specific electronic states involved in optical transitions. We illustrate this by investigating the localization of above-barrier states in type-I ZnSe/ZnMnSe superlattices, and of spatially-direct (type-I) excitons which occur in ZnTe/CdMnSe and ZnMnTe/CdSe type-II super-lattices. Finally, we exploit Zeeman tuning to demonstrate the confinement effects which occur in a single quantum barrier.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 95-106
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence of Donor-Doped ZnSe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Karczewski, G.
Hu, B.
Yin, A.
Luo, H.
Dobrowolska, M.
Furdyna, J. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932090.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
78.55.Et
Opis:
We studied the effect of the donor doping of ZnSe films on their photoluminescence properties. The samples were doped during the molecular beam epitaxy growth, either with gallium or with chlorine. As the dopant concentration dose increases, the intensity of the band-edge emission first saturates, and then quenches in favor of the deep-level photoluminescence band. The main effect of donor doping on photoluminescence is a strong increase in intensity of the donor-bound exciton line, referred to as I$\text{}_{2}$. For Ga-doped films deep-band emission is much stronger, and the I$\text{}_{2}$-line is slightly weaker than for Cl-doped films with comparable doping level. The results confirm the superiority of chlorine over gallium as an n-type dopant in ZnSe. We discuss the photoluminescence results and relate them to deep level transient spectroscopy data obtained on the same samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 245-248
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies