Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dang, L. S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics
Autorzy:
Monroy, E.
Guillot, F.
Leconte, S.
Bellet-Amalric, E.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Tchernycheva, M.
Julien, F. H.
Baumann, E.
Giorgetta, F.
Hofstetter, D.
Dang, Le Si
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046980.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Fg
78.67.De
85.60.Gz
85.35.Be
81.15.Hi
81.07.St
Opis:
Thanks to their large conduction band offset (~1.8 eV for the GaN/AlN system) and subpicosecond intersubband scattering rates, III-nitride heterostructures in the form of quantum wells or quantum dots are excellent candidates for high-speed unipolar devices operating at optical-fiber telecommunication wavelengths, and relying on the quantum confinement of electrons. In this work, we present the plasma-assisted molecular-beam epitaxial growth of quantum well infrared photodetector structures. The growth of Si-doped GaN/AlN multiple quantum well structures is optimized by controlling substrate temperature, metal excess and growth interruptions. Structural characterization confirms a reduction of the interface roughness to the monolayer scale. P-polarized intersubband absorption peaks covering the 1.33-1.91μm wavelength range are measured on samples with quantum well thickness varying from 1 to 2.5 nm. Complete intersubband photodetectors have been grown on conductive AlGaN claddings, the Al mole fraction of the cladding matching the average Al content of the active region. Photovoltage measurements reveal a narrow (~90 meV) detection peak at 1.39μm at room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 295-301
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time-Resolved Emission from Semiconductor Microcavities
Autorzy:
Kłopotowski, Ł.
Viña, L.
Kavokin, A.
Dang, L. S.
André, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038372.pdf
Data publikacji:
2004-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.36.+c
71.55.Gs
78.47.+p
Opis:
We present a time-resolved study of the light emission of a CdTe-based microcavity. In the nonlinear regime, under high excitation conditions, in the strong coupling regime, we observe pronounced beats of the intensity of the photoluminescence arising from the bottleneck region of the exciton-polariton band. These beats are very sensitive to the excitation density and vanish under weak pumping conditions. We attribute the beats to a new nonlinear coupling mechanism of optically active and dark crystal states, related to polariton-polariton scattering, which leads to mixing between bright and dark states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 3; 435-442
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies