Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Czyszanowski, Tomasz" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Modelowanie jednomodowych laserów półprzewodnikowych emitujących powierzchniowo promieniowanie podczerwone
Autorzy:
Walczak, Jarosław
Czyszanowski, Tomasz
Sarzała, Robert
Pernal, Katarzyna
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/books/2023793.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Opis:
Niniejsza monografia dotyczy numerycznej analizy i optymalizacji półprzewodnikowych laserów o emisji powierzchniowej, zarówno laserów typu VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), jak i optycznie oraz elektrycznie pompowanych laserów typu VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) emitujących promieniowanie z zakresu 1310-1550 nm. Praca skupia się na analizie rozwiązań konstrukcyjnych umożliwiających uzyskanie maksymalnej mocy i/lub maksymalnej sprawności w reżimie emisji jednomodowej. Część pracy dotycząca opisu uzyskanych wyników podzielona jest na trzy rozdziały dotyczące analizy laserów typu VCSEL, analizy optycznie pobudzanych laserów typu VECSEL (OP-VECSEL) oraz elektrycznie pobudzanych laserów typu VECSEL (EP-VECSEL). Każdy z trzech rozdziałów odnosi się do analizy wcześniej wykonanych struktur laserowych przez zespół Laboratory of Physics of Nanostructures, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) w Szwajcarii, dzięki czemu parametry wykorzystywanych modeli numerycznych mogły być dobrane w taki sposób, aby precyzyjnie odtwarzały zachowania rzeczywistych struktur laserowych. W związku z powyższym każdy z trzech rozdziałów poświęcony opisowi uzyskanych wyników poprzedzony jest analizą porównawczą laserowych charakterystyk eksperymentalnych i numerycznych(...).
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Książka
Tytuł:
Modelowanie zjawisk fizycznych w krawędziowych laserach azotkowych oraz ich matrycach
Autorzy:
Kuc, Maciej
Sarzała, Robert P.
Kucharczyk, Włodzimierz
Czyszanowski, Tomasz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/books/2021476.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Opis:
W niniejszej pracy podjęto próbę kompleksowej analizy działania azotkowych laserów krawędziowych zaprojektowanych na emisję światła o długości fali ok. 400 nm oraz jednowymiarowych matryc takich laserów, skupiając uwagę przede wszystkim na przebiegu zjawisk elektrycznych i cieplnych występujących podczas ich pracy z falą ciągłą w temperaturze pokojowej. Głównym celem pracy było pokazanie wpływu poszczególnych elementów konstrukcyjnych analizowanych przyrządów na wielkość emitowanej z nich mocy optycznej w celu wyznaczenia ich optymalnych struktur. Przeprowadzone badania były częściowo realizowane we współpracy z Instytutem Wysokich Ciśnień Unipress Polskiej Akademii Nauk, co umożliwiło powiązanie wyników symulacji komputerowych z danymi eksperymentalnymi. W celu realizacji tych badań opracowany został numeryczny model lasera oraz matrycy laserowej uwzględniający wiele elementów istotnych dla ich działania. Dodatkowo na bazie dostępnej literatury opracowano szczegółowe zależności określające parametry fizyczne wszystkich materiałów wykorzystywanych do budowy wspomnianych przyrządów ze szczególnym uwzględnieniem parametrów elektrycznych i cieplnych.
Semiconductor lasers (and their one-dimensional arrays) constructed using nitride materials are applied in many branches of science and technology, for example in multimedium presentations, medicine, military, industry and environmental engineering. One of the most essential parameters of these devices in the above applications is their maximal output. Because of that, determination of such their designs which enable improvement of their thermal properties should essentially improve their operation parameters. Analysis of available literature sources devoted to the above problem reveals, however, that there is an acute shortage of results of a complete analysis of thermal properties of nitride lasers which takes simultaneously into account a semiconductor chip itself, construction elements creating a device, a dependence of material parameters on operation parameters (e.g. temperature) and on a mutual impact of individual array emitters on their operation. It is probably connected with serious difficulties met during such investigations, which are mainly generated by a complex device geometry, missing full knowledge of physical phenomena taking place during device operation, mutual influence of individual phenomena crucial for a device operation and problems with a determination of many physical parameters of applied materials. An attempt of a complete analysis of an operation of nitride edgeemitting lasers (and of one-dimensional arrays of these lasers) designed for an emission of light of wavelength about 400 nm is made in the present work concentrated mostly on electrical and optical phenomena taking place during their continuoswave (CW) operation at room temperature. An impact of individual design elements of the above devices on their optical output was a principal goal of this work, which should enable a deterimination of their optimal structures. Conducted investigations were partly carried out as a collaboration with the High Pressure Institute Unipress of the Polish Academy of Sciences, which has enabled comparison of numerical simulation results with experimental results. A numerical model of both a considered laser and a laser array taking into account many factors crucial for their operation has been elaborated to conduct the above investigations. Additionally detailed expressions determining physical parameters (mostly electrical and thermal ones) of all materials used in the above devices have been proposed taking into consideration available literature data.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Książka
Tytuł:
A simple and precise method for the threshold current determination in vertical-cavity surface-emitting lasers
Autorzy:
Pruszyńska-Karbownik, Emilia
Gębski, Marcin
Marciniak, Magdalena
Lott, James A.
Czyszanowski, Tomasz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174774.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
VCSEL
vertical-cavity surface-emitting laser
threshold current
spontaneous emission
Opis:
In this paper, we present experimental results of spontaneous emission clamping in the threshold for vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with oxide current confinement. We show that the spontaneous emission not wholly clamps in the threshold. We propose a new method for determining the threshold current value using the study of the clamping phenomena. This method has an advantage over the commonly used methods in the accuracy because the current of the spontaneous emission clamping is betted defined than the current of the slope change of the stimulated emission light-current curve. The estimated uncertainty of the method is no more than 20 μA.
Źródło:
Optica Applicata; 2020, 50, 2; 281-288
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determination of electrical and thermal parameters of vertical-cavity surface-emitting lasers
Autorzy:
Śpiewak, Patrycja
Gębski, Marcin
Strupiński, Włodek
Czyszanowski, Tomasz
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Sarzała, Robert P.
Nakwaski, Włodzimierz
Wasiak, Michał
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/27311753.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Tematy:
TLM
thermal resistance
VCSEL
AlGaAs
Opis:
Experimental methods are presented for determining the thermal resistance of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and the lateral electrical conductivity of their p-type semiconductor layers. A VCSEL structure was manufactured from III-As compounds on a gallium arsenide substrate. Conductivity was determined using transmission line measurement (TLM). Electrical and thermal parameters were determined for various ambient temperatures. The results could be used for computer analysis of VCSELs.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2023, 30, 3; 519--529
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173617.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Opis:
The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137272
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2090716.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Opis:
The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137272, 1--6
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies