Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Cortés, G." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Development of a methodology for improving the tribological properties in die processing using laser surface texturing
Metoda polepszenia własności tribologicznych narzędzi do wykrawania przez zastosowanie laserowej obróbki powierzchni
Autorzy:
García, G. T. G.
Garza, M. T. V.
Garza, A. Q.
Zuazua, D. V.
Cortés, D. M.
Tellez, A. M.
Zamarrón, R. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/971354.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
laser surface texturing
laser ablation
microcavities
lubrication
friction
die wear
deep drawing tool
teksturowanie laserowe
ablacja laserowa
mikrowgłębienia
smarowanie
tarcie
zużycie narzędzi
narzędzia do ciągnięcia
Opis:
The purposes of this investigation were to measure the positive effects in the lubrication through the application of micro textures made by laser (Laser Surface Texturing). Different types of micro textured patterns were studied, which vary in the quantity of micro cavities, micro cavity diameters, depths of micro cavities, and surface density attacked by micro cavities. It was found that, compared with plain steel surfaces, laser texturing significantly reduces friction and wear.
Propozycją niniejszej pracy jest zbadanie pozytywnego efektu smarowania poprzez wykonanie za pomocą obróbki laserowej mikrowgłębień na powierzchniach kontaktowych. Przestudiowano różne typy mikrowgłębień i różne wzory tekstury, liczbę mikrowgłębień oraz ich wymiary, jak również ich dystrybucję na powierzchni. Efektem tej obróbki było zredukowanie tarcia i zużycia w porównaniu z płaskimi powierzchniami stali.
Źródło:
Tribologia; 2014, 3; 47-58
0208-7774
Pojawia się w:
Tribologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Automated measurement of radon daughters Bi-214 and Pb-214 in rainwater
Autorzy:
Cortés, G.
Sempau, J.
Ortega, X.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148065.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
Bi-214
Pb-214
radon
rainwater
Opis:
Since March 1994, the Institut de Tecniques Energetiques (INTE) of the Universitat Politecnica de Catalunya (UPC), has been measuring environmental gamma dose rate and the airborne radon concentration levels outdoors, at the ESCRA Station, which is located in Barcelona. ESCRA simultaneously measures several meteorological parameters as well. As it is well known, the gamma dose rate suffers noticeable increments during rain intervals, which in our case range from 10% up to 40%, mainly caused by the deposition of the radon daughters 214Bi and 214Pb. These increments do not seem to be correlated with rainrate, rain interval duration, precipitation volume, or other meteorological parameters. In order to develop models that explain the observed dose enhancement, it is interesting to determine the concentration of the gamma emitters in rainwater and, due to the relative short half life of the two nuclides mentioned above, this must be done as it rains. To this end, we have developed an on-line gamma spectroscopy system for rainwater. The operation of this device, which has been automated by means of a LabView program, consists of the following steps: first, 250 cm3 of water is collected and, if the rainrate is high enough, is transferred to the measurement tank, a Marinelly-like container located underneath a HPGe solid state detector. All the system is surrounded by a lead shield. Preliminary measurements carried out with this device yielded radon daughter concentrations ranging from 50 Bq/l up to 1600 Bq/l.
Źródło:
Nukleonika; 2001, 46, 4; 161-164
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis and optimization of LUDMOS transistors on a 0.18um SOI CMOS technology
Autorzy:
Toulon, G.
Cortés, I.
Morancho, F.
Villard, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397849.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
moc MOSFET
LDMOS
RESURF
STI (płytki rów izolacyjny)
krzem na izolatorze
power MOSFET
STI (shallow trench isolation)
superjunction
silicon-on-insulator
Opis:
This paper is focused on the design and optimization of power LDMOS transistors (V br > 120 Volts) with the purpose of being integrated in a new generation of Smart Power technology based upon a 0.18 μm SOI-CMOS technology. The benefits of applying the shallow trench isolation (STI) concept along with the 3D RESURF concept in the LDMOS drift region is analyzed in terms of the main static (Ron-sp/Vbr tradeoff) and dynamic (Miller capacitance and QgxRon FOM) characteristics. The influence of some design parameters such as the polysilicon gate electrode length and the STI length are exhaustively analyzed.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 3-8
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies