Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ciura, Łukasz." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Nowy sprzęt do wykonywania przejść w zaporach
    Autorzy:
    Ciura, Łukasz.
    Powiązania:
    Przegląd Sił Zbrojnych 2020, nr 2, s. 40-43
    Data publikacji:
    2020
    Tematy:
    Zapory inżynieryjne
    Zapory minowe
    Zwalczanie
    Sprzęt inżynieryjny
    Statki powietrzne bezzałogowe
    Pojazdy bezzałogowe lądowe
    Środki i urządzenia inżynieryjne
    Budowa i konstrukcje
    Obsługa i eksploatacja
    Artykuł z czasopisma wojskowego
    Opis:
    Artykuł omawia nowy sprzęt do wykonywania przejść w zaporach inżynieryjnych. Do zwalczania tych zapór wykorzystuje się platformy bezzałogowe - czołgi i statki powietrzne. Autor artykułu przedstawia francuski czołg saperski AMX 30 B2 DT i holenderski bezzałogowy statek powietrzny, służący do wykrywania i niszczenia min.
    Dostawca treści:
    Bibliografia CBW
    Artykuł
    Tytuł:
    Multi-technique characterisation of InAs-on-GaAs wafers with circular defect pattern
    Autorzy:
    Boguski, Jacek
    Wróbel, Jarosław
    Złotnik, Sebastian
    Budner, Bogusław
    Liszewska, Malwina
    Kubiszyn, Łukasz
    Michałowski, Paweł P.
    Ciura, Łukasz
    Moszczyński, Paweł
    Odrzywolski, Sebastian
    Jankiewicz, Bartłomiej
    Wróbel, Jerzy
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2204219.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    wafer homogeneity
    wafer defect pattern
    surface roughness
    indium arsenide
    beryllium doping
    Opis:
    The article presents the results of diameter mapping for circular-symmetric disturbance of homogeneity of epitaxially grown InAs (100) layers on GaAs substrates. The set of acceptors (beryllium) doped InAs epilayers was studied in order to evaluate the impact of Be doping on the 2-inch InAs-on-GaAs wafers quality. During the initial identification of size and shape of the circular pattern, non-destructive optical techniques were used, showing a 100% difference in average roughness between the wafer centre and its outer part. On the other hand, no volumetric (bulk) differences are detectable using Raman spectroscopy and highresolution X-ray diffraction. The correlation between Be doping level and circular defect pattern surface area has been found.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144564
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies