Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Caban, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-25 z 27
Tytuł:
Transport of Photoexcited Electron-Hole Plasma in GaN/AlGaN Quantum Well
Autorzy:
Korona, K.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791352.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
72.40.+w
Opis:
We report spatially resolved photocurrent measurements showing transport of excitation on long distances in plane of a 6 nm GaN/$Al_{0.1}Ga_{0.9}N$ quantum well. The strong field present in nitrides (due to large spontaneous and piezoelectric polarizations) leads to lower recombination rates of electrons and holes, so in the case of electron-hole pairs excited by light, relatively long-lived electron-hole plasma could be generated. In the case of the investigated quantum well, lifetime of few μs was expected. The thermal measurements showed that barriers were low enough, so all excited carriers could reach the electrode (thermal activation energy of 0.11 eV was found). The diffusion length for unbiased structure was about 40 μm. It was observed that the charge transport could be clearly accelerated by bias. In the biased quantum well, the transport range was of the order of 100 μm under both positive and negative bias. The reported effect of long transport range is very important for electronic devices made on the GaN/AlGaN structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 927-929
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Caban, P.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
ZnO monocrystal
ion implantation
radiation defect analysis
wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
monokryształ ZnO
implantacja jonów
analiza defektów radiacyjnych
Opis:
High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
Autorzy:
Stańczyk, B.
Jagoda, A.
Dobrzański, L.
Caban, P.
Możdżonek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiCN
sputtering
widmo podczerwieni
widmo optycznej absorpcji
dyfrakcja rentgenowska
SIMS
rf sputtering
absorption spectrum
IR spectrum
X-ray diffraction
Opis:
Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
Autorzy:
Turos, A.
Ratajczak, R.
Pągowska, K.
Nowicki, L.
Stonert, A.
Caban, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
Autorzy:
Pasternak, I.
Grodecki, K.
Piątkowska, A.
Ciuk, T.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
graphene on copper foils
PVD copper films
grain boundaries
Raman spectroscopy
grafen na folii miedzianej
warstwy PVD miedzi
granice ziaren
spektroskopia ramanowska
Opis:
Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
InGaN QW in External Electric Field Controlled by Pumping of 2D-Electron Gas
Autorzy:
Korona, K.
Drabińska, A.
Surowiecka, K.
Wołowiec, L.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811946.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
78.55.Cr
72.40.+w
Opis:
We present investigations of GaInN/GaN/AlGaN structure containing cavity designed so that the electric field inside it can be changed by illumination. Numerical calculations show that illumination can change carrier distributions and consequently change the field and potential. The electric field influences properties of a quantum well placed in the cavity. We confirmed experimentally that the electric field controlled by external bias or by optical pumping, can change energy and occupation of electronic states in the quantum well. The quantum well energy could be changed of about 80 meV by voltage and 15 meV by illumination.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1179-1186
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction
Opis:
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Borysiuk, J.
Pathak, A. P.
Sathish, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
heterostruktura
AIIIN
warstwa buforowa
XRD
heterostructure
buffer layer
Opis:
Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
Autorzy:
Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Zynek, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Lenkiewicz, D.
Kościewicz, K.
Czołak, D.
Nizel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
epitaksja związków półprzewodnikowych
technologia MOCVD
struktura półprzewodnikowa
struktura fotoniczna
zastosowanie komputerów
studnia kwantowa
metody numeryczne
Opis:
Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz Detection by the Entire Channel of High Electron Mobility Transistors
Autorzy:
Sakowicz, M.
Łusakowski, J.
Karpierz, K.
Knap, W.
Grynberg, M.
Köhler, K.
Valusis, G.
Gołaszewska, K.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811985.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.75.+a
78.20.Ls
85.30.Tv
07.57.Kp
Opis:
GaAs/AlGaAs and GaN/AlGaN high electron mobility transistors were used as detectors of THz electromagnetic radiation at liquid helium temperatures. Application of high magnetic fields led to the Shubnikov-de Haas oscillations of the detection signal. Measurements carried out with a simultaneous modulation of the intensity of the incident THz beam and the transistor gate voltage showed that the detection signal is determined by the electron plasma both in the gated and ungated parts of the transistor channel. This result is of importance for understanding the physical mechanism of the detection in high electron mobility transistors and for development of a proper theoretical description of this process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1343-1348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Podstawowe obowiązki pracodawcy w zakresie występowania czynników rakotwórczych i/lub mutagennych w środowisku pracy
Main obligations of the employer in terms of occurrence carcinogenic and/or mutagenic substances in environmental work
Autorzy:
Caban, A.
Stradomski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/103606.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Uniwersytet Humanistyczno-Przyrodniczy im. Jana Długosza w Częstochowie. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
czynniki rakotwórcze
czynniki mutagenne
carcinogenic substances
mutagens substances
Opis:
Występowanie w środowisku pracy substancji rakotwórczych i/lub mutagennych stanowi bezpośrednie zagrożenie dla zdrowia lub życia osób narażonych na ich oddziaływanie. Oprócz standardowych obowiązków w zakresie bhp, na barkach pracodawcy spoczywają więc dodatkowe zadania wynikające z art. 222 § 1 K.p. W artykule omówiono szczegółowe reguły postępowania określone w Rozporządzeniu Ministra Zdrowia z dnia 24 lipca 2012 r. w sprawie substancji chemicznych, ich mieszanin, czynników lub procesów technologicznych o działaniu rakotwórczym lub mutagennym w środowisku pracy oraz zharmonizowaną klasyfikację kancerogenów i mutagenów. Celem wypełnienia nałożonych na pracodawcę obowiązków jest objęcie właściwą opieką zdrowotną pracowników zawodowo narażonych na kancerogeny i podjęcie szeroko rozumianych działań profilaktycznych.
The occurrence in the workplace carcinogens and / or mutagens substances is a direct threat to the health or life of people exposed to their influence. In addition to standard health and safety obligations on the shoulders of the employer rest so additional tasks resulting from art. 222 § 1 K. P. The article discusses the detailed rules of conduct set out in the Regulation of the Minister of Health of 24 July 2012. On chemical substances and their mixtures, factors or technological processes with carcinogenic or mutagenic in the work environment. Order to comply the obligations imposed on the employer is taking proper care of the health of workers occupationally exposed to carcinogens and take preventive measures widely understood.
Źródło:
Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa; 2016, T. 4; 77-85
2300-5343
Pojawia się w:
Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Eco-driving, przegląd stanu zagadnienia
Eco-driving, overview of issues state
Autorzy:
Caban, J.
Sopoćko, M.
Ignaciuk, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309588.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
ekojazda
ochrona środowiska
bezpieczeństwo jazdy
eco-driving
enviromental protection
driving safety
Opis:
Doskonalenie techniki jazdy ze względu na korzyści ekonomiczne, ekologiczne oraz eksploatacyjne pojazdu określane terminem eco-driving, jest rozwiązaniem posiadającym duży potencjał aplikacyjny w różnych warunkach użytkowania pojazdów. W artykule przybliżono ideę eco-drivingu oraz zaprezentowano obszerny przegląd literatury w zakresie tej tematyki. Zaprezentowano też dostępne na wyposażeniu pojazdów układy wspomagające kierowcę, w zakresie ekonomiki jazdy. Artykuł jest wprowadzeniem w problematykę eko-jazdy i możliwości płynących z jej stosowania popartych doniesieniami literaturowymi z kraju i ze świata realizowanych przez różne ośrodki badawcze, a także doświadczeń autorów.
The driving techniques improvement because of economic, environmental and operating benefits of vehicle referred to as eco-driving, is a solution having a large application potential in different conditions of vehicle use. The article brought closer the idea of eco-driving and presented an extensive review of the literature regarding this subject. Driver assistance systems available as vehicle equipment in the field of driving economics were also presented. The article is an introduction to the issues of ecodriving and capabilities resulting from its application supported by literature reports from around the country and the world carried out by various research centers and experienced authors.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2017, 18, 6; 93-98, CD
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza wytrzymałościowa wybranych elementów układu tłokowo-korbowego jednocylindrowego silnika o zs, Cz. II
The analysis of strength of selected elements of piston-crankshaft single-cylinder diesel engine, Part 2
Autorzy:
Caban, J.
Droździel, P.
Winiarski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/252184.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
silnik jednocylindrowy
korbowód
wał korbowy
program ABAQUS
analiza wytrzymałościowa
single-cylinder diesel
connecting rod
crankshaft
ABAQUS program
strength analysis
Opis:
W artykule zaprezentowano analizę wytrzymałościową wybranych elementów układu tłokowo korbowego jednocylindrowego silnika o zapłonie samoczynnym. Analizie poddane zostały: tłok, korbowód, wał korbowy oraz sworzeń tłokowy. Wykonano modele geometryczne części silnika, które poddano obliczeniom numerycznym wykonanym w programie ABAQUS. Zaprezentowana analiza obejmuje obliczenia dotyczące rozkładu naprężeń i przemieszczeń w modelach części, rozkładu temperatury, a także uwzględnia zachowanie się części pod wpływem działania sił bezwładności. W tej części artykułu przedstawiono analizę korbowodu oraz wału korbowego przedmiotowego silnika.
The paper presents the strength analysis of selected elements of the piston-crank single-cylinder diesel engine. The piston, the connecting rod, the crankshaft and the piston pin were analyzed. The geometrical models of the engine that were made, were subjected to numerical calculations in the ABAQUS program. The presented analysis includes calculations of the distribution of stresses and displacements in the models of parts, the temperature distribution and it also includes the behavior of the parts under the influence of inertia. This section concentrates on the analysis of the connecting rod and the crankshaft of the single-cylinder diesel engine.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2012, 9; 113-119, CD
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The impact of stiffness of engine suspension cushions in an all-terrain vehicle on its transverse displacement
Autorzy:
Gardyński, L.
Caban, J.
Droździel, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/347796.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Akademia Wojsk Lądowych imienia generała Tadeusza Kościuszki
Tematy:
machinery diagnostics
engine vibration
rubber vibration isolation
military all-terrain vehicle
Opis:
The article presents the results of experimental research carried out for different types of diesel engine suspension cushions (plate connectors) in two all-terrain cars. The study was performed using three types of engines in three combustion engines operating conditions. The analyzed parameters were transverse displacement engine vibrations caused during various engine operating conditions between the engine and body of the vehicle. The results of the tests of different types of plate connectors for engine suspension can be useful when designing propulsion systems for military vehicles and military utility all-terrain cars, or as shown by the author [4,5] to modernize the existing military vehicles. Vibrations transmitted to the body chassis can also have a significant impact on the operation of the vehicle mounted equipment and weaponry.
Źródło:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki; 2015, 2; 95-102
1731-8157
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Overview of selected hydraulic devices supporting road rescue operations
Autorzy:
Caban, J.
Droździel, P.
Vrábel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/347962.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Akademia Wojsk Lądowych imienia generała Tadeusza Kościuszki
Tematy:
road traffic safety
rescue operations
hydraulic rescue tools
Opis:
The intense human activity determines the continuous development of systems and means of transport, which contributes to the intensification of existing road traffic risks and the emergence of new ones. Reduction in the number of fatalities of road accidents is dependent on investment in transport infrastructure, the development of safety systems for means of transport and the care for the technical condition of vehicles. Furthermore, the human factor is manifested in the growing awareness of hazards and improving skills of vehicle drivers. The article presents the construction, operating principles and technical capabilities of the most commonly used hydraulic rescue tools. All this was presented against the background of selected problems occurring during rescue operations while releasing victims caught in car wrecks.
Źródło:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki; 2017, 3; 81-89
1731-8157
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza wytrzymałościowa wybranych elementów układu tłokowo-korbowego jednocylindrowego silnika o zs, Cz. I
The analysis of strength of selected elements of piston-crankshaft single-cylinder diesel engine, Part 1
Autorzy:
Caban, J.
Droździel, P.
Winiarski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/250709.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
silnik jednocylindrowy
tłok
sworzeń tłokowy
program ABAQUS
analiza wytrzymałościowa
single-cylinder diesel
piston
piston pin
ABAQUS program
strength analysis
Opis:
W artykule zaprezentowano analizę wytrzymałościową wybranych elementów układu tłokowo-korbowego jednocylindrowego silnika o zapłonie samoczynnym. Analizie poddane zostały: tłok, korbowód, wał korbowy oraz sworzeń tłokowy. Wykonano modele geometryczne części silnika, które poddano obliczeniom numerycznym wykonanym w programie ABAQUS. Zaprezentowana analiza obejmuje obliczenia dotyczące rozkładu naprężeń i przemieszczeń w modelach części, rozkładu temperatury, a także uwzględnia zachowanie się części pod wpływem działania sił bezwładności. W tej części artykułu przedstawiono analizę tłoka i sworznia tłokowego silnika jednocylindrowego.
The paper presents the strength analysis of selected elements of the piston-crank single-cylinder diesel engine. The piston, the connecting rod, the crankshaft and the piston pin were analyzed. The geometrical models of the engine that were made, were subjected to numerical calculations in the ABAQUS program. The presented analysis includes calculations of the distribution of stresses and displacements in the models of parts, the temperature distribution and it also includes the behavior of the parts under the influence of inertia. This section concentrates on the analysis of the piston and the piston pin of the single cylinder direct injection diesel engine.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2012, 9; 105-111, CD
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charakterystyka tribologiczna stopów magnezu stosowanych w środkach transportu
Tribological characteristics of magnesium alloys used in means of transport
Autorzy:
Walczak, M.
Caban, J.
Pliżga, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/252324.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
testy tribologiczne
stop magnezu
transport
test t-Studenta
tribological tests
magnesium alloy
t-Student test
Opis:
Znajomość charakterystyk tribologicznych par materiałów ze sobą współpracujących, przydaje się przy ich doborze na ważne elementy środków transportu oraz w procesie kształtowania na drodze obróbki plastycznej. Artykuł dotyczy analizy charakterystyki zużycia tribologicznego ball-on-disc stopów magnezu Mg-Al-Zn wykorzystywanych w budowie różnych środków transportu. Testy tribologiczne prowadzono w warunkach tarcia technicznie suchego dla pary stop magnezu–stal 100Cr6. Badano twardość stopów, współczynnik zużycia i współczynnik tarcia, a ślady zużycia poddano obserwacjom SEM. Ocenę istotności zmian współczynnika zużycia przeprowadzono testem t-Studenta.
Knowledge of the tribological characteristics of materials pairs of cooperating with one another, useful for the selection for important elements of means of transport and in the process of metal forming. The article concerns the analysis of the characteristics of tribological wear ball-on-disc magnesium alloys used in the construction of various means of transport. Tribological tests were carried out under dry friction pair magnesium alloysteel 100Cr6. Were tested wear rate and coefficient of friction of the sample, the signs of wear was SEM observation. The evaluation of the significance of changes in consumption coefficient was conducted by t-Student's test.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2015, 12; 1614-1617, CD
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane zagadnienia zanieczyszczenia środowiska hałasem pochodzącym z pracy maszyn i urządzeń rolniczych
Selected issues of the environmental noise pollution coming from the work of the agricultural machines and equipment
Autorzy:
Caban, J.
Maksym, P.
Marczuk, A.
Droździel, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/313809.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
zanieczyszczenia środowiska
maszyny rolnicze
bezpieczeństwo pracy
pollution
agricultural machines
work safety
Opis:
Bezpieczeństwo pracy w sektorze rolnictwa w znacznej mierze zależy od fachowej wiedzy w kontekście wykonywanych czynności agrotechnicznych, postępowaniu ze zwierzętami gospodarskimi oraz obsługi maszyn i urządzeń wykorzystywanych w produkcji rolniczej. W artykule zaprezentowano problematykę zagrożenia hałasem w rolniczym środowisku pracy. Przedstawiono główne źródła hałasu w rolnictwie oraz poziomy normatywne dla maszyn i urządzeń wykorzystywanych w indywidualnych gospodarstwach rolniczych. Zaprezentowano podstawowe formy przeciwdziałania zagrożeniu hałasem w sektorze rolnictwa w Polsce.
Work safety in the agricultural sector largely depends on the expertise within the context of their operations agronomic, dealing with livestock and operation of machinery and equipment used in agricultural production. The article presents the problem of noise pollution in the agricultural working environment. We present the main sources of noise in agriculture and normative levels achieved by machinery and equipment used on farms. The basic forms of counteracting threats noise in the agricultural sector in Poland was presented.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 12; 55-58
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vehicle tire pressure monitoring systems
Systemy monitorujące ciśnienie w oponach pojazdów
Autorzy:
Caban, J.
Droździel, P.
Barta, D.
Liščák, Š.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/327382.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Towarzystwo Diagnostyki Technicznej PAN
Tematy:
diagnostic information
monitoring system
road safety
tire
informacja diagnostyczna
system monitorowania
bezpieczeństwo
ruch drogowy
opona
Opis:
Drivers very often disregard the condition of tires and the value of the prevailing pressure in them. Changes in the value of air pressure in a tire have a significant impact on driving comfort, fuel efficiency and road safety. The article presents selected pressure control systems used in automotive vehicles, based on a literature review and the authors' experience.
Operatorzy pojazdów bardzo często lekceważą stan techniczny ogumienia oraz wartość ciśnienie panującego w oponach. Zmiany wartości ciśnienia powietrza w oponie mają istotny wpływ na komfort jazdy, zużycie paliwa oraz bezpieczeństwo w ruchu drogowym. W artykule w oparciu o przegląd literatury zagadnienia oraz doświadczenie autorów, przedstawiono wybrane układy kontroli wartości ciśnienia wykorzystywane w pojazdach samochodowych.
Źródło:
Diagnostyka; 2014, 15, 3; 11-14
1641-6414
2449-5220
Pojawia się w:
Diagnostyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Maintenance research of a horizontal ribbon mixer
Badania eksploatacyjne mieszalnika wstęgowego poziomego
Autorzy:
Marczuk, A.
Caban, J.
Savinykh, P.
Turubanov, N.
Zyryanov, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/301710.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
Tematy:
energy consumption
feed mixing
maintenance
mathematical modelling
mixing parameters
zużycie energii
mieszanie pasz
konserwacja
modelowanie matematyczne
parametry mieszania
Opis:
During operation of the mixing device there are many technical problems affecting technological processes implemented with their involvement. In order to improve the efficiency of feeding with mixed feed, mixed feed should be prepared from quality mixes. Despite the widespread use of various types of mixers, their operation is not sufficiently understood, therefore the study of the effects of the design and technological parameters on mix quality is an urgent task. Experimental studies were carried out in the livestock farming mechanisation laboratory of the North-East Scientific Research Institute of Agriculture of the Federal State Budgetary Scientific Institution. The article presents the research of the feed mix composed of barley and rice as a base mix, and feed mix of peas used as a reference component.
Podczas eksploatacji urządzenia mieszającego występuje wiele czynników technicznych wpływających na procesy technologiczne. W celu poprawienia przyswajalności mieszanek paszowych, powinny one być wytworzone na mieszalnikach zapewniających jednorodność i wysoką jakość mieszanek. Pomimo powszechnego stosowania różnych rodzajów mieszalników, procesy w nich zachodzące nie są do końca rozpoznane, a zatem badanie wpływu konstrukcji i parametrów technicznych na jakość mieszanki jest zagadnieniem stale aktualnym. Badania doświadczalne zostały przeprowadzone w Laboratorium Mechanizacji Produkcji Zwierzęcej w Strefowym Instytucie Naukowo-Badawczym Rolnictwa Północno-Wschodniego Rosyjskiej Akademii Nauk. W artykule przedstawiono badania mieszanki paszy złożonej z jęczmienia i ryżu jako mieszanki bazowej oraz mieszanki paszowej grochu wykorzystywanej jako komponent odniesienia.
Źródło:
Eksploatacja i Niezawodność; 2017, 19, 1; 121-125
1507-2711
Pojawia się w:
Eksploatacja i Niezawodność
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Environmental aspects of using gas chromatography for determination of pharmaceutical residues in samples characterized by different composition of the matrix
Środowiskowe aspekty zastosowania chromatografii gazowej do oznaczania pozostałości farmaceutyków w różnych matrycach
Autorzy:
Sadkowska, J.
Caban, M.
Chmielewski, M.
Stepnowski, P.
Kumirska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/205418.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
GC analyses
GC-MS analyses
gas chromatography
pharmaceutical residues
sector application of gas chromatography
chromatografia gazowa
GC
aspekt środowiskowy
oznaczanie leków
pozostałości farmaceutyczne
Opis:
This paper aims at presenting the possibilities of applying gas chromatography for the determination of pharmaceutical residues in different matrices. Section one of the study underscores the environmental advantages of employing GC for such analyses. Section two presents the innovative methods for determining pharmaceuticals in the environment. The last section discusses the results of the analysis of the GC and GC-MS market in Poland. According to the literature data, the described methods were applied for the analysis of real samples: wastewaters, surface waters, soil samples. The samples were collected from the Pomerania region and the Gulf of Gdańsk. The pharmaceuticals were determined in various environmental samples. The highest concentrations were found in raw wastewater, medium-in a treated wastewater, and the lowest-in surface water. The most frequently detected pharmaceuticals were: ibuprofen, paracetamol, diclofenac and naproxen, all belonging to NSAIDs. Furthermore, the results of the study of the Polish GC market indicate that a very limited number of entities are currently using chromatographic techniques, and pharmaceutical residues tests are exceptions, mainly due to the lack of the legal requirements in this field and the lack of own laboratories.
W artykule przedstawiono możliwości wykorzystania chromatografii gazowej (GC, GC-MS) do oznaczania pozostałości farmaceutyków w różnych matrycach. W części pierwszej opisano środowiskowe aspekty zastosowania techniki chromatografii gazowej do takich analiz; w części drugiej innowacyjne sposoby oznaczania leków w środowisku; w części trzeciej wyniki analizy rynku w Polsce pod kątem wykorzystania techniki GC i GC-MS do takich badań. Zgodnie z danymi literaturowymi, prezentowane tu metody zostały wykorzystane do analizy próbek rzeczywistych: ścieków, wód powierzchniowych, gleby, pochodzących z Pomorza i Zatoki Gdańskiej. Najwyższe stężenia leków stwierdzono w ściekach surowych, średnich – w ściekach oczyszczonych, a najniższe – w wodach powierzchniowych. Najczęściej wykrywanymi farmaceutykami były leki należące do grupy NLPZ: ibuprofen, paracetamol, diklofenak i naproksen. Wyniki badań polskiego rynku GC wskazują wyraźnie, że nieznaczna liczba podmiotów gospodarczych stosuje obecnie technikę GC do oznaczania leków w różnorodnych matrycach. Dzieje się tak na skutek braku przepisów prawnych w tej dziedzinie oraz braku własnych laboratoriów.
Źródło:
Archives of Environmental Protection; 2017, 43, 3; 3-9
2083-4772
2083-4810
Pojawia się w:
Archives of Environmental Protection
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optimization of structural and technological parameters of a fermentor for feed heating
Optymalizacja parametrów konstrukcyjno-technologicznych fermentora do nagrzewania pożywki
Autorzy:
Sysuev, V.
Savinyh, P.
Saitov, V.
Gałuszko, K.
Caban, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/956508.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
regression model
heating
fermentor
factor
experiment
model regresji
nagrzewanie
fermentator
czynnik
eksperyment
Opis:
The basis for obtaining high performance in cattle breeding is correct feeding. Production of a wholesome ration is labour consuming and expensive. Thus, work related to searching for alternative methods of production of wholesome feed is carried out. Synthesis of low value raw material, as a result of which high protein content feed is produced, is one of the methods. A fermentation process takes place in conditions, which cannot be ensured by presently used machines and aggregates. A fermentor, which enables obtaining feed with high content of protein from low value raw material at minimum expenditures, was developed. One of the conditions of correct course of synthesis is ensuring appropriate temperature of feed, where micro-organism develop. The objective of the paper is to determine optimal values of factors which affect energy consumption during feed heating. The result was to obtain the regression model which is characteristic for unit changes of energy consumption during feed heating, with the use of which, an optimal angle of embracing the container with a heating belt (159°) and the level of filling the container with feed (100%) were determined. Minimal value of optimization criterion at such values of indexes is 5.14 kJ·(kg·°C)-1.
Podstawą uzyskania wysokiej wydajności w chowie bydła jest prawidłowe żywienie. Wytworzenie racji pełnowartościowej jest pracochłonne i kosztowne, dlatego prowadzone są prace związane z poszukiwaniem alternatywnych sposobów produkcji wysokowartościowej paszy. Jednym ze sposobów jest synteza surowca małowartościowego, w wyniku której powstaje pasza o wysokiej zawartości białka. Proces fermentacji przebiega w warunkach, których uzyskanie nie są w stanie zapewnić obecnie stosowane maszyny i agregaty. Opracowano fermentator, który pozwala na uzyskanie z surowca małowartościowego paszę o wysokiej zawartości białka przy minimalnych nakładach. Jednym z warunków poprawnego przebiegu syntezy jest zapewnienie odpowiedniej temperatury pożywki, w której rozwijają się drobnoustroje. Celem pracy jest określenie optymalnych wartości czynników wpływających na zużycie energii podczas nagrzewania pożywki. Wynikiem było otrzymanie modelu regresji charakteryzującego zmiany jednostkowego zużycia energii w trakcie nagrzewania pożywki, za pomocą którego wyznaczone zostały optymalny kąt objęcia pojemnika pasem grzewczym (159°) i poziom wypełnienia pojemnika pożywką (100%). Minimalna wartość kryterium optymalizacji przy takich wartościach wskaźników wynosi 5.14 kJ·(kg·°C)-1.
Źródło:
Agricultural Engineering; 2015, 19, 2; 99-107
2083-1587
Pojawia się w:
Agricultural Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane aspekty bezpieczeństwa transportu morskiego w basenie morza bałtyckiego
Chosen aspects of safety of maritime transport in the Baltic Sea Basin
Autorzy:
Caban, J.
Porębska, E.
Sopoćko, M.
Droździel, P.
Vrábel, J.
Šarkan, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/312679.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
bezpieczeństwo na morzu
transport morski
Morze Bałtyckie
safety at sea
maritime transport
Baltic Sea
Opis:
Gospodarka morska jest w szczególny sposób narażona na niebezpieczeństwo ze względu na środowisko swojej działalności. Zagrożenia te wynikają zarówno z działań umyślnych, jak i przypadkowych (warunki hydrometeorologiczne, mechaniczne itp.). Są to zagrożenia zależne i niezależne od człowieka np. środowiskowe, bezpieczeństwo zdrowia i życia ludzi, czy mienia. Pomimo podejmowania prób ograniczania ryzyka niebezpieczeństwa, niemożliwe jest jego całkowite wyeliminowanie. Pomocne mogą być wszelkiego rodzaju systemy bezpieczeństwa, alarmowe, ratunkowe, oraz działania legislacyjne i edukacyjne armatorów i załóg statków do działań obronnych. W artykule przedstawiono wybrane aspekty bezpieczeństwa transportu w basenie morza Bałtyckiego oraz podjęto próbę analizy stanu bezpieczeństwa na tym akwenie.
The maritime economy is particularly exposed to danger due to the environment of its operations. These risks result from deliberate actions, as well as incidental (hydrometeorological conditions, mechanical, etc.). These are the threat dependent and independent of human eg. environmental, safety health and life of humans or belongings. In spite of attempts to limit the risk of danger, it is impossible to completely eliminate it. May be helpful here all kinds of security systems, alarm, emergency, legislative and educational of ship owners and crews to the defense activities. The article presents some aspects of the state of transportation safety in the Baltic Sea Basin as well as undertaken the attempt to analyze the security state of this sea area.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 12; 59-62
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-25 z 27

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies