- Tytuł:
-
Photothermal transformation in heterogeneous semiconductors structures under its pulse laser irradiation: role of electron-hole diffusion
Transformacja fototermiczna w heterogenicznych strukturach półprzewodnikowych przy impulsowym pobudzeniu laserowym: rola dyfuzji elektron-dziura - Autorzy:
-
Isaiev, M.
Kuryliuk, V.
Kuzmich, A.
Burbelo, R. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/356401.pdf
- Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
- Tematy:
-
photothermal transformation
heterogeneous structures
electron-hole diffusion
pulse laser irradiation
transformacja fototermiczna
struktura heterogeniczna
dyfuzja elektron-dziura
impulsowe pobudzenie laserowe - Opis:
-
In this paper photothermal transformation in semiconductor structures with modified properties of subsurface layer under its irradiation by pulse laser (~10 ns) radiation was analyzed. It was show that the presence of this surface modified layer leads to increasing of surface temperature in comparison with homogeneous case. Moreover, this increasing could even compensate the temperature decreasing induced by thermal source redistribution caused by charge carrier diffusion.
W pracy zaprezentowano wyniki badań konwersji fototermicznej w półprzewodnikowych strukturach ze zmodyfikowanymi własnościami warstwy wierzchniej, pod wpływem impulsów laserowych o długości 10 ns. Obecność takiej zmodyfikowanej warstwy prowadzi do zwiększenia powierzchniowej temperatury w porównaniu do temperatury jednorodnej struktury. W pracy pokazano, że wzrost temperatury może kompensować spadek temperatury indukowanej przez przepływ związany dyfuzją nośników ładunku. - Źródło:
-
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1351-1354
1733-3490 - Pojawia się w:
- Archives of Metallurgy and Materials
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł