Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Boubanga-Tombet, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
High Magnetic Field Effects on Plasma Wave THz Detection in Field-Effect Transistors
Autorzy:
Boubanga-Tombet, S.
Nogajewski, K.
Teppe, F.
Knap, W.
Karpierz, K.
Łusakowski, J.
Grynberg, M.
Dyakonov, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791357.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.57.Kp
84.40.x
85.30.Tv
85.35.p
73.20.Mf
Opis:
Experiments on terahertz radiation detection with InGaAs/InAlAs field-effect transistor in quantizing magnetic field are reported. We observed oscillations of the photovoltaic signal analogous to the Shubnikov-de Haas oscillations, as well as their strong enhancement at the cyclotron resonance conditions. The results are described quantitatively within the frame of a theory which takes into account a new source of nonlinearity related to the Landau quantization of the conduction band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 939-940
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
THz Double-Grating Gate Transistor Detectors in High Magnetic Fields
Autorzy:
But, D.
Dyakonova, N.
Coquillat, D.
Teppe, F.
Knap, W.
Watanabe, T.
Tanimoto, Y.
Boubanga Tombet, S.
Otsuji, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1409591.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.57.Kp
85.30.Tv
73.43.Qt
Opis:
Double-grating-gate field-effect transistors have a great potential as terahertz detectors. This is because the double grating gate serves not only for carrier density tuning but also as an efficient THz radiation coupler. In this paper, we present characterization of these transistors using high magnetic fields. Low and high magnetic field data are used to determine the electron mobility and electron concentration, respectively, in different parts of the transistor channel.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1080-1082
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies