Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Borysiuk, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 21
Tytuł:
Properties of GaN Nanocolumns Grown by Plasma - Assisted MBE on Si (111) Substrates
Autorzy:
Zytkiewicz, Z.
Dluzewski, P.
Borysiuk, J.
Sobanska, M.
Klosek, K.
Witkowski, B.
Setkiewicz, M.
Pustelny, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492480.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Hi
81.05.Dz
61.46.Km
Opis:
We report on growth of GaN nanocolumns by plasma assisted MBE on (111) silicon substrates and on their characterization. The nanocolumns nucleate on the substrate spontaneously without use of any catalyst, probably by the Volmer-Weber mechanism. Transmission electron microscopy analysis shows high crystalline quality of GaN nanocolumns and their good alignment with the c-axis being perpendicular to the substrate. Preliminary results on use of GaN nanocolumns in gas sensor devices are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-015-A-016
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Borysiuk, J.
Pathak, A. P.
Sathish, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
heterostruktura
AIIIN
warstwa buforowa
XRD
heterostructure
buffer layer
Opis:
Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Drilling accuracy of long elements from MDF on CNC machining centers
Dokładność wiercenia na centrach obróbczych CNC w długich elementach z płyty MDF
Autorzy:
Wilkowski, J.
Boltralik, K.
Borysiuk, P.
Czarniak, P.
Gorski, J.
Podziewski, P.
Rousek, M.
Ruzinska, E.
Szymanowski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/8618.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Źródło:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2015, 90
1898-5912
Pojawia się w:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Machinability of particleboards bonded with SBR gum granulate
Skrawalność płyt wiórowych z granulatem kauczukowym SBR
Autorzy:
Wilkowski, J.
Kozub, W.
Borysiuk, P.
Rousek, M.
Czarniak, P.
Gorski, J.
Podziewski, P.
Szymanowski, K
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/7702.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Źródło:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2014, 85
1898-5912
Pojawia się w:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Carbon-Encapsulated Magnetic Nanoparticles Based on Fe, Mn, and Cr for Spintronics Applications
Autorzy:
Szczytko, J.
Osewski, P.
Bystrzejewski, M.
Borysiuk, J.
Grabias, A.
Huczko, A.
Lange, H.
Majhofer, A.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047686.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.-g
75.75.+a
75.20.En
75.30.Cr
75.50.Bb
Opis:
We succeeded in the arc-plasma synthesis of carbon-encapsulated Fe, Cr, and Mn-based nanoparticles. The transmission electron microscopy, Mössbauer spectra (of iron) and SQUID magnetometry results demonstrate that the products of the synthesis contain metals and its carbides. The nanoparticles show ferromagnetic or superparamagnetic behavior at high temperatures, which is demanded for nano-spintronics applications.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 305-310
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantum Confinement in InAs/GaAs Systems with Self-Assembled Quantum Dots Grown Using In-Flush Technique
Autorzy:
Molas, M.
Kuldová, K.
Borysiuk, J.
Wasilewski, Z.
Babiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048050.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.67.Hc
Opis:
The effect of In-flush technique application to the MBE-grown structure with self-assembled quantum dots is investigated in this work. The microphotoluminescence from structures with the InAs/GaAs dots grown with and without the In-flush has been investigated. We focus our attention on "not fully developed" dots, which can be clearly distinguished in the spectrum. The dots have also been identified in the transmission electron microscopy analysis of the structures. The In-flush does not influence a broad energy range of those features. Instead we have found that the anisotropic exchange energy splitting of neutral excitons confined in those in the structure grown with In-flush is substantially lower that the splitting in the structure with no In-flush. This observation confirms that the In-flush leads not only to better uniformity of self-assembled quantum dots but also to reduction of lateral potential, anisotropy, which is believed to result in the neutral exciton splitting.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 624-626
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MnAs Nanocrystals Embedded in GaAs
Autorzy:
Kwiatkowski, A.
Wasik, D.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Dłużewski, P.
Borysiuk, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811951.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.-g
75.75.+a
Opis:
Magnetic properties of MnAs nanocrystals embedded in GaAs are analyzed in the frame of phenomenological model proposed by Sasaki for ferritin superparamagnets. Our calculations explain qualitatively experimental data of magnetization versus temperature, obtained according to zero-field-cooled and field-cooled protocols. They show dynamics of magnetization of MnAs nanocrystals in range of temperature from 10 K to 320 K. There is transition from state in which very slow dynamics is observed (frozen state) to state in which dynamics is fast (quasi-superparamagnetic state).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1207-1211
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MnAs Nanocrystals Embedded in GaAs
Autorzy:
Kwiatkowski, A.
Borysiuk, J.
Bożek, R.
Wasik, D.
Kamińska, M.
Sadowski, J.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046925.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.46.+w
61.82.Fk
68.37.Rt
68.37.Lp
74.25.Ha
Opis:
We report on cross-sectional transmission electron microscopy and magnetic force microscopy studies performed on self-organized MnAs nanoclusters embedded in GaAs. It was found that 10÷20 nm large MnAs ferromagnetic nanocrystals were formed during rapid thermal annealing of Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As layers at 600ºC, leading to magnetic contrasts in magnetic force microscopy images.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 233-236
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Professional expectations of the students of Economics at Pope John Paul II State School of Higher Education in Biała Podlaska
Oczekiwania zawodowe studentów kierunku Ekonomia Państwowej Szkoły Wyższej im. Papieża Jana Pawła II w Białej Podlaskiej
Autorzy:
Kuźmicki, P.
Borysiuk, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048782.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Akademia Bialska Nauk Stosowanych im. Jana Pawła II w Białej Podlaskiej
Tematy:
students
economics
expectations
generation Y
Opis:
Subject and purpose of work: The aim of this paper is to identify the professional expectations of the students of Economics at the Pope John Paull II State School of Higher Education in Biała Podlaska. The paper also presents the respondents’ opinions on particularly desirable values of potential employers. Materials and methods: The research was carried out using the CAWI method in January 2021. It involved 108 students of Economics pursuing Bachelor’s and Master’s degrees. Results: The values that most respondents expect from their future employers cover attractive remuneration, the stability of employment, a promotion prospect and friendly workplace atmosphere. The least significant values include work in a big city, work in a convenient location and an opportunity to work in an international environment. The students of older years would find it easier to cope with work at a high pace and under the pressure of time. The need to perform imitative work and focus only on the narrow scope of work duties would not be a serious problem for the participants of the study. Conclusions: The students of Economics at the Pope John Paull II State School of Higher Education in Biała Podlaska will engage in their work and perform it to the best of their abilities if they are adequately remunerated and given a possibility of further professional development, and when working conditions and atmosphere are good and comfortable.
Źródło:
Economic and Regional Studies; 2021, 14, 4; 475-484
2083-3725
2451-182X
Pojawia się w:
Economic and Regional Studies
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence Dynamics of GaN/Si Nanowires
Autorzy:
Korona, K.
Zytkiewicz, Z.
Perkowska, P.
Borysiuk, J.
Binder, J.
Sobanska, M.
Klosek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403621.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.22.-f
78.47.jd
Opis:
In this work we present analysis of carriers dynamics in samples of GaN nanowires grown on silicon. The samples exhibit bright luminescence of bulk donor-bound excitons at 3.472 eV, surface defect-bound excitons at 3.450 eV (SDX) and a broad (0.05 eV) band centered at 3.47 eV caused probably by single free exciton and bi-exciton recombination. The SDX emission has long lifetime τ = 0.6 ns at 4 K and can be observed up to 50 K. At higher temperatures luminescence is dominated by free excitons. The broad excitonic band is best visible under high excitation, and reveals fast, non-exponential dynamics. We present mathematical model assuming exciton-exciton interaction leading to the Auger processes. The model includes $n^2$ (Langevin) term and describes well the non-exponential dynamics of the excitonic band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1001-1003
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication and Physical Properties of SiC-GaAs Nano-Composites
Autorzy:
Kalisz, G.
Grzanka, E.
Wasik, D.
Świderska-Środa, A.
Gierlotka, S.
Borysiuk, J.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Pałosz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043724.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.-b
07.35.+k
Opis:
Nano-composites consisting of primary phase of hard nanocrystalline SiC matrix and the secondary nanocrystalline semiconductor (GaAs) phase were obtained by high-pressure zone infiltration. The synthesis process occurs in three stages: (i) at room temperature the nanopowder of SiC is compacted along with GaAs under high pressure up to 8 GPa, (ii) the temperature is increased above the melting point of GaAs up to 1600~K and, the pores are being filled with liquid, (iii) upon cooling GaAs nanocrystallites grow in the pores. Synthesis of nano-composites was performed using a toroid-type high-pressure apparatus (IHPP of the Polish Academy of Sciences, Warsaw) and six-anvil cubic press (MAX-80 at HASYLAB, Hamburg). X-ray diffraction studies were performed using a laboratory D5000 Siemens diffractometer. Phase composition, grain size, and macrostrains present in the synthesized materials were examined. Microstructure of the composites was characterized using scanning electron microscopy and high resolution transmission electron microscopy. Far-infrared reflectivity measurements were used to determine built-in strain.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 717-721
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC
Autorzy:
Grodecki, K.
Bożek, R.
Borysiuk, J.
Strupinski, W.
Wysmolek, A.
Stępniewski, R.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047919.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.48.Gh
78.30.Fs
Opis:
The Raman scattering studies of multi-layer graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) substrates are presented. Intensity ratio of the D and G bands was used to estimate the average size of the graphene flakes constituting carbon structures. The obtained estimates were compared with flake sizes from atomic force microscopy data. We found that even the smallest structures observed by atomic force microscopy images are much bigger than the estimates obtained from the Raman scattering data. The obtained results are discussed in terms of different average flake sizes inside and on the surface of the multi-layer graphene structure, as well as different type of defects which would be present in the investigated structures apart from edge defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 595-596
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An attempt to use fiber stands obtained from small-zized willow wood for production of particleboards
Próba wykorzystania pasm włókien pozyskanych z małowymiarowego drewna wierzbowego do produkcji płyt wiórowych
Autorzy:
Borysiuk, P.
Palucki, M.
Jenczyk-Tolloczko, I.
Alimov, I.
Auriga, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/7385.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Źródło:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2013, 82
1898-5912
Pojawia się w:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An attempt to use postconsumer MDF as a raw material for the manufacture of particleboards
Próba wykorzystania poużytkowego MDF jako surowca do produkcji płyt wiórowych
Autorzy:
Borysiuk, P.
Byczek, M.
Jenczyk-Tolloczko, I.
Boruszewski, P.
Monder, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/9407.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
postconsumer MDF board
MDF board
raw material
manufacture
particle board
Źródło:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2014, 87
1898-5912
Pojawia się w:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies