Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Borysiuk, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-14 z 14
    Tytuł:
    Zechstein (Ca1) limestone-marl alternations from the North-Sudetic Basin, Poland: depositional or diagenetic rhythms?
    Autorzy:
    Biernacka, J.
    Borysiuk, K.
    Raczyński, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2059558.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Państwowy Instytut Geologiczny – Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    Zechstein
    limestone-marl alternations
    storm deposits
    carbonate diagenesis
    Opis:
    Limestone-marl alternations constitute a characteristic rock facies within the Zechstein Limestone (Ca1) deposits of the North-Sudetic Basin, Poland. Rhythmites of this type are exposed in a 10-metres section at Nowy Kooeciół, which from the beginning of the last century has been considered representative for this part of the Zechstein basin, and were formerly interpreted as calcareous storm sediments alternating with marls deposited during more quiet conditions. Our results of sedimentological, petrographical and chemical studies suggest that the Nowy Kościół section is a record of distal storm deposits, but that the present-day layering does not precisely reflect the depositional rhythm. Post-depositional changes have overprinted and blurred the original pattern.We propose a model of diagenetic alteration in which dissolution and reprecipitation of calcium carbonate in the shallow subsurface formed new layer boundaries; subsequent modifications during deeper burial followed these early diagenetic changes.
    Źródło:
    Geological Quarterly; 2005, 49, 1; 1--14
    1641-7291
    Pojawia się w:
    Geological Quarterly
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Efficient Emission from InAlGaAs Single Quantum Dots with Low Lattice Misfit and AlGaAs Indirect Bandgap Barrier
    Autorzy:
    Słupiński, T.
    Korona, K.
    Papierska, J.
    Borysiuk, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398581.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.22.-f
    78.47.jd
    Opis:
    We report on molecular beam epitaxy growth and properties of rarely studied quaternary In_{0.4}(Al_{0.75}Ga_{0.25})_{0.6}As self-assembled quantum dots, which show strong and efficient emission of red light from single quantum dots. The increased yield is, among others, due to efficient energy transfer from indirect band-gap Al_{0.75}Ga_{0.25}As barriers. To maximize photon energy emitted from quantum dots, low In composition, x_{In} = 0.4 was applied, which also lowered the lattice misfit close to the limit of 2D/3D transition in the Stranski-Krastanov growth mode. Time-resolved micro-photoluminescence shows emission at 650-750 nm. Well-resolved single quantum dot photoluminescence lines (decay time of ≈ 1-2 ns) are observed despite a high concentration ≈ 3×10¹¹ cm¯² of quantum dots. We discuss this observation assuming newly a role of carriers or excitons diffusion/tunneling between quantum dots at high surface concentration of dots and a possible role of lattice disorder inside the dot on the exciton lifetime.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1229-1232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Electric Field on Recombination Dynamics of Quantum Confined Carriers
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Borysiuk, J.
    Skierbiszewski, C.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047384.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.47.+p
    72.20.Jv
    78.55.Cr
    Opis:
    We present time-resolved photoluminescence measurements of GaN/AlGaN low dimensional structures showing very characteristic changes of dynamics related to strong electric field. Strong piezoelectric and spontaneous polarizations built-in in nitride structures lead to the changes in spatial separation of carriers which leads to changes in recombination energies and radiative lifetimes of the carriers. The observed effect can be well described by a simple exponential relation. The observed dependence can be explained by an approximated model of quantum-confined Stark effect based on the Airy functions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 243-247
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Quantum Confinement in InAs/GaAs Systems with Self-Assembled Quantum Dots Grown Using In-Flush Technique
    Autorzy:
    Molas, M.
    Kuldová, K.
    Borysiuk, J.
    Wasilewski, Z.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048050.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    The effect of In-flush technique application to the MBE-grown structure with self-assembled quantum dots is investigated in this work. The microphotoluminescence from structures with the InAs/GaAs dots grown with and without the In-flush has been investigated. We focus our attention on "not fully developed" dots, which can be clearly distinguished in the spectrum. The dots have also been identified in the transmission electron microscopy analysis of the structures. The In-flush does not influence a broad energy range of those features. Instead we have found that the anisotropic exchange energy splitting of neutral excitons confined in those in the structure grown with In-flush is substantially lower that the splitting in the structure with no In-flush. This observation confirms that the In-flush leads not only to better uniformity of self-assembled quantum dots but also to reduction of lateral potential, anisotropy, which is believed to result in the neutral exciton splitting.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 624-626
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Absorption and Emission Properties of Light Emitting Diode Structures Containing GaInN/GaN QWs
    Autorzy:
    Binder, J.
    Korona, K.
    Borysiuk, J.
    Wysmołek, A.
    Baeumler, M.
    Köhler, K.
    Kirste, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492933.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    72.40.+w
    73.61.Ey
    Opis:
    In this work we present measurements of GaInN/GaN light emitting diodes (LEDs) with an active layer consisting of three quantum wells made of $Ga_{0.9}In_{0.10}N$ that have different widths (1.8 nm, 2.7 nm, 3.7 nm). A comparison of emission and absorption (photocurrent) on the same sample revealed a shift in energy, with the emission energy being significantly lower. The shifts are about 0.02 eV, 0.03 eV, and 0.04 eV for the quantum wells having the widths of 1.8 nm, 2.7 nm, and 3.7 nm, respectively. This can be explained by a shift of the ground state energy caused by the quantum confined Stark effect. Calculations show that due to the spontaneous polarization and the piezoelectric effect a strong electric field of the order of 1 MV/cm was present in the GaInN quantum wells. Simulations of ground-state energies in the model of an infinite square well under the influence of an electric field with a matched effective well width were performed and used to interpret the experimental results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 918-920
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Dynamics of GaN/Si Nanowires
    Autorzy:
    Korona, K.
    Zytkiewicz, Z.
    Perkowska, P.
    Borysiuk, J.
    Binder, J.
    Sobanska, M.
    Klosek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403621.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.22.-f
    78.47.jd
    Opis:
    In this work we present analysis of carriers dynamics in samples of GaN nanowires grown on silicon. The samples exhibit bright luminescence of bulk donor-bound excitons at 3.472 eV, surface defect-bound excitons at 3.450 eV (SDX) and a broad (0.05 eV) band centered at 3.47 eV caused probably by single free exciton and bi-exciton recombination. The SDX emission has long lifetime τ = 0.6 ns at 4 K and can be observed up to 50 K. At higher temperatures luminescence is dominated by free excitons. The broad excitonic band is best visible under high excitation, and reveals fast, non-exponential dynamics. We present mathematical model assuming exciton-exciton interaction leading to the Auger processes. The model includes $n^2$ (Langevin) term and describes well the non-exponential dynamics of the excitonic band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1001-1003
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    InGaN QW in External Electric Field Controlled by Pumping of 2D-Electron Gas
    Autorzy:
    Korona, K.
    Drabińska, A.
    Surowiecka, K.
    Wołowiec, L.
    Borysiuk, J.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811946.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    78.55.Cr
    72.40.+w
    Opis:
    We present investigations of GaInN/GaN/AlGaN structure containing cavity designed so that the electric field inside it can be changed by illumination. Numerical calculations show that illumination can change carrier distributions and consequently change the field and potential. The electric field influences properties of a quantum well placed in the cavity. We confirmed experimentally that the electric field controlled by external bias or by optical pumping, can change energy and occupation of electronic states in the quantum well. The quantum well energy could be changed of about 80 meV by voltage and 15 meV by illumination.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1179-1186
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Machinability of three layer MDF boards made of wood fibres with different diamensions
    Skrawalność trójwarstwowych ołyt MDF wytworzonych w włókien drzewnych o różnych wymiarach
    Autorzy:
    Czarniak, P.
    Auriga, R.
    Wilkowski, J.
    Borysiuk, P.
    Gorski, J.
    Podziewski, P.
    Szymanowski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/7835.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Źródło:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2014, 86
    1898-5912
    Pojawia się w:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Drabińska, A.
    Bożek, R.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Strupiński, W.
    Borysiuk, J.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791292.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Tr
    78.40.Ri
    78.30.Na
    63.20.dd
    63.20.kd
    Opis:
    Optical absorption and Raman scattering studies of few-layer epitaxial graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) on-axis substrates are presented. Changing the pressure and annealing time, different stages of the graphene formation were achieved. Optical absorption measurements enabled us to establish average number of graphene layers covering the SiC substrate. Raman scattering experiments showed that integrated intensity of the characteristic 2D peak positively correlated with the number of graphene layers deposited on the SiC substrate. The spectral width of the 2D peak was found to decrease with the number of the deposited graphene layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 835-837
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Drilling accuracy of long elements from MDF on CNC machining centers
    Dokładność wiercenia na centrach obróbczych CNC w długich elementach z płyty MDF
    Autorzy:
    Wilkowski, J.
    Boltralik, K.
    Borysiuk, P.
    Czarniak, P.
    Gorski, J.
    Podziewski, P.
    Rousek, M.
    Ruzinska, E.
    Szymanowski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/8618.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Źródło:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2015, 90
    1898-5912
    Pojawia się w:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Bożek, R.
    Borysiuk, J.
    Strupinski, W.
    Wysmolek, A.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047919.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.48.Gh
    78.30.Fs
    Opis:
    The Raman scattering studies of multi-layer graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) substrates are presented. Intensity ratio of the D and G bands was used to estimate the average size of the graphene flakes constituting carbon structures. The obtained estimates were compared with flake sizes from atomic force microscopy data. We found that even the smallest structures observed by atomic force microscopy images are much bigger than the estimates obtained from the Raman scattering data. The obtained results are discussed in terms of different average flake sizes inside and on the surface of the multi-layer graphene structure, as well as different type of defects which would be present in the investigated structures apart from edge defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 595-596
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
    The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
    Autorzy:
    Lenkiewicz, D.
    Strupiński, W.
    Zdunek, K.
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Borysiuk, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Kościewicz, K.
    Wesołowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Opis:
    Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
    The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of GaN Nanocolumns Grown by Plasma - Assisted MBE on Si (111) Substrates
    Autorzy:
    Zytkiewicz, Z.
    Dluzewski, P.
    Borysiuk, J.
    Sobanska, M.
    Klosek, K.
    Witkowski, B.
    Setkiewicz, M.
    Pustelny, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492480.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Hi
    81.05.Dz
    61.46.Km
    Opis:
    We report on growth of GaN nanocolumns by plasma assisted MBE on (111) silicon substrates and on their characterization. The nanocolumns nucleate on the substrate spontaneously without use of any catalyst, probably by the Volmer-Weber mechanism. Transmission electron microscopy analysis shows high crystalline quality of GaN nanocolumns and their good alignment with the c-axis being perpendicular to the substrate. Preliminary results on use of GaN nanocolumns in gas sensor devices are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-015-A-016
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Machinability of particleboards bonded with SBR gum granulate
    Skrawalność płyt wiórowych z granulatem kauczukowym SBR
    Autorzy:
    Wilkowski, J.
    Kozub, W.
    Borysiuk, P.
    Rousek, M.
    Czarniak, P.
    Gorski, J.
    Podziewski, P.
    Szymanowski, K
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/7702.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Źródło:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2014, 85
    1898-5912
    Pojawia się w:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-14 z 14

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies