Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Boguslawski, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 18
Tytuł:
Surface Stability of Ordered Ga$\text{}_{0.5}$In$\text{}_{0.5}$P and GaAs$\text{}_{0.5}$Sb$\text{}_{0.5}$ Alloys
Autorzy:
Bogusławski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1877570.pdf
Data publikacji:
1991-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.55.Hg
68.65.+g
68.60.Dv
Opis:
Formation enthalpies of (001) surfaces terminating ordered Ga$\text{}_{0.5}$In$\text{}_{0.5}$P and GaAs$\text{}_{0.5}$Sb$\text{}_{0.5}$ alloys were calculated using the VFF model. For several ordered phases, chemically ordered surfaces were found to be stable against surface segregation. In particular, even phases unstable against bulk segregation may be terminated by a stable surface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 125-128
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ograniczający łącznik napięcia przemiennego
Current limiting switch of alternative voltage
Autorzy:
Bogusławski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408284.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
ogranicznik prądu zwarciowego
łącznik tyrystorowy
napięcie przewodzenia
przekształtnik DC/DC
short circuit current limiter
thyristor switch
forward on-state voltage
DC/DC inverter
Opis:
Na podstawie znanej koncepcji tyrystorowego ogranicznika prądu zwarciowego przedstawiono modyfikację tego układu do zastosowania także jako łącznik niewielkich prądów roboczych. Zaproponowano przekształtniki DC/DC sterujące działaniem łącznika i pośrednio zmniejszające wpływ temperatury oraz przedstawiono orientacyjnie symulowane przebiegi w obwodzie z łącznikiem jednofazowym. W podsumowaniu wskazano pokrótce na konsekwencje jego zastosowania.
Based on literature study of known thyristor limiters and the modification providing of a low current switch function was presented. The proposed DC/DC inverters for control and temperature indirect independency was described. Preliminary results of one phase switch circuit simulation are included. In summary succession problems of application was shortly pointed out.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 2; 37-40
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermodynamic Stability of Two Rhombohedral Phases of Si$\text{}_{0.5}$Ge$\text{}_{0.5}$ Alloy
Autorzy:
Bogusławski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890689.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.55.Hg
68.35.Md
68.60.Dv
Opis:
Thermodynamic stability of two ordered phases, RS1 and RS2, of Si$\text{}_{0.5}$Ge$\text{}_{0.5}$ alloy is considered. Bulk and surface formation enthalpies are calculated using the model Tersoff's potential. RS2 structure is unstable, but its (001) ordered surface is stable against segregation. Properties of RS1 are just the opposite.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 299-302
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Urządzenie pomiarowe STGSM-04
Measuring device STGSM-04
Autorzy:
Bogusławski, P.
Łowiec, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159212.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
urządzenie pomiarowe STGSM-04
pomiar
Opis:
W pracy przedstawiono rozwiązanie techniczne uniwersalnego urządzenia pomiarowo-sterującego o niskim poborze mocy, wykorzystującego do komunikacji cyfrową sieć telefonii komórkowej. Przedstawiono kilka przykładowych wersji urządzenia, opisano budowę głównego modułu konstrukcyjnego oraz krótko scharakteryzowano narzędzia wspomagające pracę nad oprogramowaniem użytkowym.
A technical solution of low power device for control and measurement using the digital cellular network for communication is presented in this paper. Construction of the device and tools for software development are shortly described.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2005, 222; 115-123
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System monitorowania pompowni melioracyjnych - lata doświadczeń
Melioration pumping stations monitoring system - the years of experiences
Autorzy:
Bogusławski, P.
Łowiec, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159217.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
system monitorowania
pompownia melioracyjna
monitorowanie pompowni
Opis:
W artykule przedstawiono system monitorowania pompowni melioracyjnych na Żuławach Elbląskich. Opisano jego podstawowe elementy: zautomatyzowaną pompownię, układ transmisji danych i stanowisko dyspozytorskie. Przedstawiono doświadczenia z czteroletniego okresu eksploatacji systemu oraz wskazano na kierunki dalszego rozwoju.
In this paper melioration pumping stations monitoring system in Elbląg Zulawy region is presented. The essential components of the monitoring system: the automatic pumping station, the data transmission set-up and the dispatch centre are described. Four years experiences of the exploitation period and direction of future development are presented.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2005, 222; 69-80
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wielopoziomowy kompensator zapadów napięcia z superkondensatorowym zasobnikiem energii - wybrane aspekty konstrukcyjne
Multilevel voltage dip compensator with supercapacitor as an energy storage - selected construction aspects
Autorzy:
Bogusławski, P.
Łowiec, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159651.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
superkondensator
przekształtnik wielopoziomowy
sterowanie zdalne
rozproszone zasoby energii
FACTS
Opis:
Artykuł dotyczy problematyki integracji odnawialnych źródeł energii w dystrybucyjnych systemach zasilania. Opisano urządzenie, które wraz z wieloplatformowym oprogramowaniem może stać się podzespołem sieciowym aktywnie wpływającym zarówno na poprawę jakości energii pochodzącej ze źródeł odnawialnych, jak i na bilans mocy sieci z takimi źródłami. Przedstawiono wybrane aspekty konstrukcji układu kompensatora z przekształtnikiem o strukturze wielopoziomowej, które mogą uprościć realizację powyższych celów.
A construction of prototyped one phase supercapacitor based voltage dip compensator is presented and selected problems of evolution to asymmetric multilevel topology are shortly described. Such complex device was treated as distributed renewable energy source located in future active supply network and a kind of applications and potentially suitable software tool for its supervising are presented.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2008, 239; 117-130
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transition Metal Ions in Semiconductors: LDA, LDA+U, and Experiment
Autorzy:
Zakrzewski, T.
Bogusławski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1385518.pdf
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.15.Mb
71.55.-i
71.55.Eq
75.50.Pp
Opis:
Electronic structure of Cr, Mn, Fe, and Co transition metal (TM) ions in GaN and AlN was calculated within generalized gradient approximation and GGA+U. The +U term was considered as a free parameter with 0 < U < 5 eV. Comparison with available data for intracenter optical transitions for Fe and Mn shows that good agreement is obtained for values of U smaller than 1 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 321-323
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Doping Properties of Amphoteric C, Si, and Ge Impurities in GaN and AlN
Autorzy:
Boguslawski, P.
Bernholc, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1948168.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
Opis:
Electronic structure of substitutional group-IV impurities C, Si, and Ge in hexagonal GaN and AlN were studied by quantum molecular dynamics. C$\text{}_{N}$ is a very shallow acceptor, and thus a promising p-type dopant. Both Si and Ge are excellent donors in GaN. However, in AlGaN alloys the DX configurations are stable for a sufficiently high Al content, which quenches the doping efficiency. Electronic structure of nearest-neighbor X$\text{}_{cation}$-X$\text{}_{N}$ pairs is also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 735-738
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of Exchange-Correlations Effects (+U Corrections) on the Energy Levels of Mn and Fe Impurities in GaN and AlN: A Comparison with Experiment
Autorzy:
Zakrzewski, T.
Bogusławski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399156.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
76.30.Fc
Opis:
Electronic structure of Mn and Fe impurities in GaN and AlN are calculated within the density functional theory in the generalized gradient approximation without and with the +U corrections. The comparison with the available experimental data shows that the results obtained with U = 0 are in good agreement with experiment. Inclusion of +U corrections makes the agreement worse.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 898-900
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Anisotropy in GeMnTe - ab initio Calculations
Autorzy:
Łusakowski, A.
Bogusławski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376168.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Gw
71.15.Mb
Opis:
Density functional theory calculations of the energy of magnetic anisotropy in GeMnTe were performed using OpenMX package with fully relativistic pseudopotentials. The discussion of microscopic origin of magnetic anisotropy was conducted. The main conclusion is that the magnetic anisotropy is caused by interplaty between spin-orbit and Coulomb interactions. The discussion includes also the influence of the free carriers concentration on the amplitude of energy of magnetic anisotropy. The important role of the chemical disorder is also pointed out.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1177-1179
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 18

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies