Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Benyahia, F." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Discharge Currents Discrimination Technique Based on Multi-Linear Regression Line and Artificial Neural Networks for Power Transformers Diagnosis
Autorzy:
Benyahia, F.
Nacer, A.
Moulai, H.
Aberkane, F.
Beroual, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399715.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.22.Jp
52.80.Wq
Opis:
The proposed work will be consecrated to the study of positive pre-breakdown currents triggered in mineral transformer oil under 50 Hz alternating overvoltage. Since negative currents are recorded in low rates and for higher voltage levels than positive ones, only the latter will be prior taken into consideration. Both streamer propagation and arc discharge current types are identified and are used in the training process of an artificial neural network and the multi-linear regression line of these currents in order to develop a complementary diagnosis tool that can serve as an on-line transformer protection. More successful results than those obtained by other developed techniques are expected.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 250-253
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Studies of dark current reduction in InAsSb mid-wave infrared HOT detectors through two step passivation technique
Autorzy:
Michalczewski, K.
Ivaldi, F.
Kubiszyn, Ł.
Benyahia, D.
Boguski, J.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1055156.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
73.25.+i
82.45.Cc
Opis:
We report on the investigation of the surface leakage current for InAs_{1-x}Sb_x (x=0.09) high operation temperature photodiode grown on GaAs substrate in accelerated short-term stability test. The electrochemical passivation technique was proposed to modify the mesa sidewalls properties and obtain anodic sulphur coating covered by SU-8 negative photoresist. The electrical behavior of sulphur anodic film, SU-8 photoresist, and unpassivated devices was compared for devices in variable area diode array test. The surface resistivity for anodic sulphur film, SU-8 and unpassivated devices are equal to 1080, 226, 10200 kΩ cm, respectively, at 150 K and 1340, 429, 2870 kΩ cm, respectively, at 150 K after an exposure of 20 h to atmosphere at 373 K. The Auger recombination process was evaluated as the main mechanism of diffusion current in HOT devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 325-328
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies