Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bąk, A" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 153
Tytuł:
Badania toksyczności ostrej i podostrej dieldrinu przy wchłanianiu przez skórę
Studies on acute and subacute toxicity of dieldrin, administered percutaneusly
Autorzy:
Bojanowska, A.
Brzezicka-Bak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/877090.pdf
Data publikacji:
1967
Wydawca:
Narodowy Instytut Zdrowia Publicznego. Państwowy Zakład Higieny
Źródło:
Roczniki Państwowego Zakładu Higieny; 1967, 18, 2
0035-7715
Pojawia się w:
Roczniki Państwowego Zakładu Higieny
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wartość diagnostyczna oznaczania bilirubiny we krwi całkowitej u noworodków
Diagnosticheskoe znachenie opredelenija bilirubina v polnojj krovi novorozhdennykh
The diagnostic value of whole blood bilirubin estimation in newborns
Autorzy:
Trząski, M.
Woytowicz, J.
Domieniewska, H.
Bąk, A.
Kowalska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2191223.pdf
Data publikacji:
1967
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Źródło:
Diagnostyka Laboratoryjna; 1967, 03, 3; 185-190
0867-4043
Pojawia się w:
Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hydrostatic Pressure Effect on Oxygen Precipitates in Silicon Single Crystal
Autorzy:
Misiuk, A.
Adamczewska, J.
Bąk-Misiuk, J.
Härtwig, J.
Morawski, A.
Witczak, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890764.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.70.At
61.70.-r
81.40.-z
Opis:
The effect of hydrostatic pressure on some properties of Cz-Si with oxygen precipitates is investigated. The observed phenomena are discussed in terms of misfit between the precipitates and Si matrix.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 317-320
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Cation Substitution in "123"-type Superconducting Oxides on Powder Diffraction Intensities
Autorzy:
Łasocha, W.
Hodorowicz, S. A.
Chodorowicz-Bąk, A.
Eick, H. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1920530.pdf
Data publikacji:
1992-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.70.Vy
Opis:
This research was undertaken to determine whether by powder diffraction substitution in the "123"-type high T$\text{}_{c}$ oxides, Ln$\text{}_{1-x}$M$\text{}_{x}$Ba$\text{}_{2-y}$M$\text{}_{y}$Cu$\text{}_{3-z}$M$\text{}_{z}$O$\text{}_{6.5+δ}$ (where Ln = lanthanoid, M$\text{}_{x}$ = Me$\text{}^{3+}$, M$\text{}_{y}$ = Me$\text{}^{3+}$ and M$\text{}_{z}$ = Me$\text{}^{3+}$ and Me$\text{}^{2+}$) could be detected unequivocally. Numerous X-ray and a few neutron powder diffractograms were calculated for substituted compounds. Reflections most sensitive to substitution and the influence of site occupancy for Cu and O atoms are also characterized. The results are compared with some experimental data reported in the literature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 81, 3; 397-404
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Changes of GaP: N Defect Structure under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Kozankiewicz, B.
Misiuk, A.
Adamczewska, J.
Skibska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924323.pdf
Data publikacji:
1993-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
65.70.+y
Opis:
The changes of defect structure of GaP:N epitaxial layers subjected to hydrostatic pressures up to 1.8 GPa are investigated by X-ray diffraction and photoluminescence. The observed changes are more pronounced at higher pressures and depend on the nitrogen concentration, c$\text{}_{N}$, and on initial defect structure. Especially complex hydrostatic pressure induced properties are observed for the sample with c$\text{}_{N}$ > 10$\text{}^{20}$ at. cm$\text{}^{-3}$. The model explaining the hydrostatic pressure induced defect structure changes is proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 87-93
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth of Ternary and Quaternary ZnSe Compounds with Transition Metals by Chemical Vapor Transport
Autorzy:
Janik, E.
Grasza, K.
Mycielski, A.
Bąk-Misiuk, J.
Kachniarz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929755.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Bk
78.55.Et
Opis:
Halogen transport method was applied to grow the crystals of solid solutions of ZnSe and transition metals at the temperature far below the melting point and phase transition temperature. The large crystals of ZnMnSe, ZnFeSe, ZnNiSe and ZnFeSSe were obtained. The technological parameters and shape of the quartz reactor were chosen for growth of a large crystal by self-nucleation; the transparent quartz furnace enabled the control of nucleation by visual observation. The parameters of crystal growth were determined. The crystal quality was estimated by X-ray diffraction method. The composition of crystals was determined by electron microprobe analysis and energy dispersive X-ray fluorescence analysis.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 785-788
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cubic MnTe - Growth by Molecular Beam Epitaxy and Basic Structural Characterization
Autorzy:
Zakrzewski, A.
Janik, E.
Dynowska, E.
Leszczyński, M.
Kutrowski, M.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873112.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
68.55.Bd
68.55.Jk
Opis:
We report on growth by molecular beam epitaxy of thick layers of MnTe with zinc blende structure. Films as thick as 5.6 µm were obtained. Characterization by X-ray diffraction proved their good structural quality. We determined the lattice constant and its temperature dependence. Broad luminescence due to internal Mn$\text{}^{2+}$- transitions was observed. It showed an unexpected temperature dependence.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 433-436
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Helicobacter pylori infection in the etiopathogenesis of duodenal ulcer in children
Autorzy:
Bak-Romaniszyn, L
Malecka-Panas, E.
Zeman, K.
Czkwianianc, E.
Kozlowski, W.
Kulig, A.
Kaluzynski, A.
Suski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/70565.pdf
Data publikacji:
1996
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
histology
morphological finding
infection
serological test
endoscopical finding
duodenal ulcer
chronic duodenitis
duodenal inflammation
chronic gastritis
Helicobacter pylori
peptic ulcer
lymphocyte
child
urease test
etiopathogenesis
epigastric pain
immune response
gastric inflammation
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 1996, 47, 1
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transformation of AlGaAs/GaAs Interface under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Trela, J.
Leszczyński, M.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Prieur, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945264.pdf
Data publikacji:
1996-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
65.70.+y
Opis:
AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates were investigated before and after high hydrostatic pressure (1.2 GPa) at high temperature (770 K) treatment (HP-HT treatment). An influence of HP-HT treatment on the properties of the AlGaAs/GaAs system was studied by lattice parameter measurements using the high resolution diffractometer and by X-ray topography. Observed changes in the lattice parameter of the AlGaAs layers after HP-HT treatment are related to the strain relaxation and explained by the creation of misfit dislocations and other extended defects which are visible on the topographs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 3; 405-409
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Structure of Pressure Treated Czochralski Grown Silicon Investigated by X-Ray Topography and Diffractometry
Autorzy:
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Prieur, E.
Ohler, M.
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964154.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Yx
81.40.Vw
61.10.-i
Opis:
The defect structure of Czochralski grown silicon single crystals annealed at 870-1400 K under hydrostatic pressure up to 1 GPa was investigated by conventional and synchrotron radiation X-ray topography and by reciprocal space mapping. Hydrostatic pressure promotes oxygen precipitation from oversaturated Si-O solid solution and the creation of structural defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 987-991
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
PVT-Grown Single Crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe as Substrates for Epitaxy
Autorzy:
Mycielski, A.
Szadkowski, A.
Łusakowska, E.
Kowalczyk, L.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Wilamowski, Z.
Witkowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991957.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.10.Bk
Opis:
The process of growth of single crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe by physical vapour transport has been optimized and the twin-free single crystals with a very good crystal structure and low density of dislocations are grown as substrates for MBE and other techniques of epitaxy. Characterization of the crystals is described.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 441-445
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Molecular Dynamics of n-p-(Ethoxybenzylidene) P-Propylaniline in Nematic and Solid Phases as Studied by Dielectric Relaxation Spectroscopy
Autorzy:
Bąk, A.
Massalska-Arodź, M.
Urban, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2012951.pdf
Data publikacji:
2000-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
64.70.Md
77.22.Gm
Opis:
The complex dielectric permittivity ε*(ν,T) = ε'(ν,T) - iε''(ν,T) of n-p-(ethoxybenzylidene) p'-propylaniline has been measured in the frequency range from 1 Hz to 13 MHz and temperature range from 360 K to 180 K on heating and on cooling the sample. Dielectric relaxations have been found in nematic and solid phases. A detailed analysis of the observed processes has been performed and the parameters describing molecular dynamics have been evaluated. The comparison of results with those obtained for the other Schiff bases is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 2; 323-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AQUILA network architecture: first trial experiments
Autorzy:
Bąk, A.
Bęben, A.
Burakowski, W.
Dąbrowski, M.
Fudała, M.
Tarasiuk, H.
Kopertowski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309191.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
IP QoS
pomiary
measurements
Opis:
The paper presents trial experiments with IP QoS network services (NS) defined and implemented in the AQUILA pilot installation. The AQUILA NSs (premium CBR, premium VBR, premium multimedia and premium mission critical) provide a framework for supporting a variety of applications generating both streaming and elastic traffic. The measurement experiments confirm that AQUILA architecture differentiates the QoS offered to these NSs. The presented numerical results were obtained in the test network installed in the Polish Telecom (Warsaw) consisting of 8 CISCO routers.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 2; 3-13
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oxygen Precipitation in Si:O Annealed under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Misiuk, A.
Bąk-Misiuk, J.
Bryja, L.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Jun, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030659.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
61.72.Yx
81.40.Vw
Opis:
Effect of hydrostatic pressure up to 1.2 GPa on oxygen-implanted silicon, Si:O (O$\text{}^{+}$ dose, D, within the 6×10$\text{}^{17}$-2×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-2}$ range), treated at 1230-1570 K, was investigated by X-ray, transmission electron microscopy and photoluminescence methods. The pressure treatment affects oxygen precipitation and defect creation, especially in low oxygen dose implanted Si:O (D=6×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-2}$). Such investigation helps in understanding the stress related phenomena in Si wafers with buried insulating layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 719-727
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial AlGaAs Layers Annealed under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Adamczewska, J.
Misiuk, A.
Regiński, K.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Kozanecki, A.
Kuritsyn, D.
Glukhanyuk, W.
Trela, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030644.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
68.55.Ln
Opis:
The effect of treatment at up to 1270 K under hydrostatic argon pressure, up to 1.2 GPa, on strain relaxation of AlGaAs layers was investigated by X-ray diffraction and related methods. The 1.5μm thick AlGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy method on 001 oriented semi-insulating GaAs substrate at 950 K. An increase in intensity of X-ray diffuse scattering, originating from hydrostatic pressure-induced misfit dislocations, was observed for all treated samples. For the samples treated at 920 K during 1 h under 0.6 GPa, the diffuse scattering was confined to the [110] crystallographic direction perpendicular to the direction of dislocations. For the samples treated at 1.2 GPa at the same temperature and time conditions as for 0.6G Pa, a different behaviour is observed, namely the diffuse scattering extends along all azimuthal directions, indicating that dislocations are created in both [110] and [¯110] directions. The change of strain after the treatment was most pronounced for the samples treated at 1.2 GPa for 1 h at 920 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 689-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 153

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies