Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bąba, Sebastian" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:
Bąba, Sebastian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173625.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET
Opis:
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137386
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:
Bąba, Sebastian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2090738.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET
Opis:
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137386, 1--8
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies