Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Apel, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Polymeric Track Etched Membranes - Application for Advanced Porous Structures Formation
    Autorzy:
    Sartowska, B.
    Starosta, W.
    Apel, P.
    Orelovitch, O.
    Blonskaya, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400430.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Pv
    81.16.Be
    81.05.Rm
    61.43.Gt
    Opis:
    Track etched membranes are porous systems consisting of a thin polymer foil with channels from surface to surface. Latent ion tracks are the result of the passage of swift ions through solid matter and they can be etched selectively. As a result, conical, cylindrical or other shape channels can be obtained. The increasing interest in the polymer track etched membranes with nanochannels is connected with development and creation of nanoporous materials of unique properties. The template synthesis method based on deposition of materials inside well-defined uniform pores of membranes offers unique possibilities of formation of one-dimensional, high aspect ratio (length to diameter) cylindrical species having form of rods, wires, tubules, multiwall tubules and multilayer rods, practically from any solid material. Metal-organic frameworks are a class of hybrid materials comprising metal ion-based vertices and organic ligands (linkers) which serve to connect the vertices into one-, two- or three-dimensional periodic structures. A specific property of porous structures is their intrinsic porosity, which renders them potentially useful for gas storage, separation and catalysis. The possibility of obtaining a new composite material: polymeric track etched membrane with pores filled with hybrid porous material has been demonstrated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 819-821
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetotransport in Si ⟨Sb⟩ Delta-Layer after Swift Heavy Ion-Induced Modification
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Skuratov, V.
    Yurasov, D.
    Novikov, A.
    Svito, I.
    Apel, P.
    Zukowski, P.
    Fedotova, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1030140.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.My
    73.20.Fz
    73.40.-c
    61.80.Jh
    Opis:
    In the present paper the investigations of the influence of swift heavy ion irradiation on the magnetotransport in the antimony (Sb) δ-layer in silicon are reported. Temperature and magnetic field dependences of the resistance R(T,B) and the Hall coefficient R_H(T,B) in the temperature range of 2K < T < 300K and B ≤ 8T before and after the 167 MeV Xe⁺²⁶ ion irradiation (ion fluence of 10⁸ cm¯²) were measured. At the temperatures below 50K there is observed the transition from the Arrhenius log R(1/T) to a logarithmic R ≈ -log(T) dependence both before and after the swift heavy ion exposure which confirms the assumption that the carrier transport goes through the δ-layer mainly. Moreover, the transition from the positive to negative magnetoresistance was observed with the temperature decrease that is characteristic of the two-dimensional quantum corrections to the conductivity in the case of weak localization regime. The appropriate Thouless lengths L_{Th}(T) ≈ A × T^{p} (where p and A are dependent on the scattering mechanism) indicated their ≈ 25-30% decrease after the swift heavy ion exposure. It was shown that the exponent p values were close to the theoretical one of p = 1, confirming the realization of 2D weak localization regime in the carrier transport.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 229-232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electric and magnetic properties of nickel and nickel-plladium nanowires deposited in anodic aluminum oxide template
    Autorzy:
    Bayev, V.
    Fedotova, J.
    Maximenko, A.
    Streltsov, E.
    Malashchonak, M.
    Azarko, I.
    Fedotov, A.
    Svito, I.
    Patryn, A.
    Apel, P.
    Tyutyunnikov, S.
    Milosavljević, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118462.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    template-assisted electrodeposition
    magnetic anisotropy
    magnetoresistance
    porous alumina templates
    anizotropia magnetyczna
    elektroosadzanie
    magnetoopór glinu
    Opis:
    Structure, electric and magnetic properties of ordered Ni and Ni-Pd nanostructures synthesized by means of electrochemical deposition in porous anodic aluminum oxide templates were investigated. Templates were filled with nickel and nickel-palladium compositions using the alternative current. Matrix parameters (pores diameter and depth) determine the sizes and morphology of the formed metal nanowires. Negative sign of magnetoresistance was observed at T < 50 K and attributed to TMR effect due to variable range hopping carrier transport mechanism. Positive magnitoresistance was observed at T > 100 K and explained by Lorence-like mechanism. The presence of magnetic perpendicular anisotropy towards template plane in synthesized nanostructures was revealed. Demagnetizing factors of individual nanowire in parallel and perpendicular direction towards template plane were determined by magnetic resonance spectroscopy. Revealed increase of coercivity in nanowires containing palladium was explained by the formation of quasi- multilayered structure of Ni/Pd nanowires during the ac electrochemical deposition.
    Struktura, właściwości elektryczne i magnetyczne uporządkowanych Ni Ni-Pd nanostruktur syntezowanych metodą elektrochemicznego nanoszenia w porowatej matryce z utlenionego aluminiowego anodu. Matryca została wypełniona Ni lub Ni-Pd mieszanką z wykorzystaniem prądu zmiennego. Parametry matrycy (średnica i głębokość pór) wpływały na rozmiary i morfologię tworzących się metalicznych nanodrutów. Ujemna magnetorezystancja była obserwowana w temperaturze T<50K i mogła być opisana w ramkach mechanizmu skokowej przewodności. Pozytywna magnetorezystancja została obserwowana dla T>100K i odpowiada mechanizmowi typu Lorence. Obecność magnetycznej prostopadłej anizotropii w stosunku do płaszczyzny matrycy była zanotowana. Demagnezujący czynnik pojedynczych nanodrutów w kierunkach równoległych i prostopadłych do płaszczyzny matrycy był wyznaczony z badań metodą magnetycznej spektroskopii rezonansowej. Zaobserwowany wzrost komercyjności w nanodrutach zawierających palladium może być związany z formowaniem kwasi-wielowarstwowej struktury w Ni/Pd nanodrutach w trakcie elektrochemicznego osadzenia.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2012, 4; 43-54
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anisotropic Magnetoresistance of Ni Nanorod Arrays in Porous SiO₂/Si Templates Manufactured by Swift Heavy Ion-Induced Modification
    Autorzy:
    Fedotova, J.
    Ivanou, D.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Streltsov, E.
    Saad, A.
    Zukowski, P.
    Fedotov, A.
    Bury, P.
    Apel, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402223.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.Km
    81.15.Jj
    75.47.De
    Opis:
    In this work anisotropic magnetoresistance in nanogranular Ni films and Ni nanorods on Si(100) wafer substrates was studied in wide ranges of temperature and magnetic field. To produce Ni films and nanorods we used electrochemical deposition of Ni clusters either directly on the Si substrate or into pores in SiO₂ layer on the Si substrate. To produce mesopores in SiO₂ layer, SiO₂/Si template was irradiated by a scanned beam of swift heavy 350 MeV ¹⁹⁷Au²⁶⁺ ions with a fluence of 5×10⁸ cm¯² and then chemically etched in diluted hydrofluoric acid. Pores, randomly distributed in the template have diameters of 100-250 nm and heights about 400-500 nm. Comparison of temperature dependences of resistance and magnetoresistance in Ni films and n-Si/SiO₂/Ni structures with Ni nanorods showed that they are strongly dependent on orientation of magnetic field and current vectors relative to each other and the plane of Si substrate. Moreover, magnetoresistance values in n-Si/SiO₂/Ni nanostructures can be controlled not only by electric field applied along Si substrate but also by additionally applied transversal bias voltage.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 894-896
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies