Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Anderson, C. G." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Leaching kinetics of copper from chalcopyrite concentrate in nitrous-sulfuric acid
Autorzy:
Gok, O.
Anderson, C. G.
Cicekli, G.
Cocen, E. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/109914.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
chalcopyrite
pressure leaching
nitrogen species
kinetics
Opis:
Treating chalcopyrite flotation concentrates by hydrometallurgical techniques seems to be the most convenient method for leaching copper due to concerns over air pollution and regulations regarding the emission of sulfur dioxide that result from smelting. In this study, the leaching recovery-time trajectories of bulk chalcopyrite concentrate obtained from a flotation plant in the Kastamonu region of Turkey are presented. The effects of various parameters were elucidated in the nitrous-sulfuric acid electrolyte (CNaNO2:0.05 M–0.15 M, CH2SO4:1 M) at a moderate temperature (80–120 °C). A high level of copper recovery (98%) from bulk chalcopyrite concentrate was obtained under a total pressure of 6 atm at 120°C within 2 h when using small amounts of nitrite species due to their autocatalytic behavior in acidic solutions. The kinetics were well correlated with the shrinking core model for the diffusion controlled mechanism with an apparent activation energy of 34.06 kJ·mol–1. Elemental sulfur was the primary leaching product on the mineral surface, as confirmed using XRD and SEM/EDX. The semi-empirical equation explaining the reaction rate under the present conditions was expressed as follows: ...[wzór].
Źródło:
Physicochemical Problems of Mineral Processing; 2014, 50, 1; 399-413
1643-1049
2084-4735
Pojawia się w:
Physicochemical Problems of Mineral Processing
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of High Eelectron Mobility AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Monemar, B.
Anderson, T. G.
Tsimperidis, I.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Muszalski, J.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934059.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Jd
78.66.Fd
73.40.Kp
73.20.Dx
Opis:
Optically detected cyclotron resonance is used for the identification of recombination transitions of two-dimensional electron gas in A1GaAs/GaAs heterostructures. Two photoluminescence emissions are attributed to the recombination of the two-dimensional electron gas. These are the so-called H-band and the Fermi level singularity photoluminescence. Optical detection of cyclotron resonance is related to the change of the band bending across the GaAs active layer and the AlGaAs barrier, which is caused by impact ionization of shallow donors in the barrier region. Influence of a long range carrier scattering on ionized impurities on a mobility of the two-dimensional carriers is studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 990-994
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies