Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Aleksiejew, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Domains Stimulated Magnetostatic Coupling in NiFe/Au/Co/Au Multilayers Investigated by Complementary Methods
    Autorzy:
    Stobiecki, F.
    Urbaniak, M.
    Szymański, B.
    Kuświk, P.
    Schmidt, M.
    Aleksiejew, J.
    Weis, T.
    Engel, D.
    Lengemann, D.
    Ehresmann, A.
    Kopcewicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1810577.pdf
    Data publikacji:
    2009-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.70.-i
    75.30.Gw
    75.60.-d
    Opis:
    The magnetic structure of $Ni_{80}Fe_{20}$/Au/Co/Au multilayers characterized by easy-plane and easy-axis perpendicular to the sample plane anisotropies for NiFe and Co, respectively, is strongly modified by magnetostatic coupling resulting from stray fields of stripe domains in the Co layers. Using complementary methods it will be shown that the magnetostatic coupling increases with decreasing Au spacer thickness, with the weakening of the easy plane anisotropy of the NiFe layers and with increasing thickness of the Co layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 345-347
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Temperature and Annealing on GMR in Sputtered Permalloy/Cu Multilayers
    Autorzy:
    Urbaniak, M.
    Stobiecki, F.
    Luciński, T.
    Kopcewicz, M.
    Grabias, A.
    Aleksiejew, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2013168.pdf
    Data publikacji:
    2000-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.70.Ak
    75.70.Pa
    Opis:
    The influence of temperature and annealing on giant magnetoresistance of Si(100)/Cu(20 nm)/Py(2 nm)/(Cu(2 nm)/Py(2 nm))$\text{}_{100}$ multilayer (Py = Ni$\text{}_{83}$Fe$\text{}_{17}$) sputtered at room temperature in double face-to-face configuration is reported. It was found that giant magnetoresistance value, ΔR$\text{}_{GMR}$/R$\text{}_{sat}$ (where R$\text{}_{sat}$ is the resistance in saturation), monotonically decreases with increasing temperature (4.5% at 173 K to about 1% at 373 K). This results from the decrease in magnetic change of resistance, ΔR$\text{}_{GMR}$, and to the lesser extent from an increase in R$\text{}_{sat}$, though both of them are caused by the shortening of electrons mean free path. The observed almost linear decrease in giant magnetoresistance saturation field with increasing temperature is explained by temperature changes of magnetization profile. Vibrating sample magnetometer measurements revealed that the increase in temperature results in pronounced decrease in remnant to saturation magnetization ratio (M$\text{}_{r}$/M$\text{}_{s}$) suggesting that at low temperatures magnetic bridges between Py layers play an important role in magnetization process. It is shown that proper annealing, by an annihilation of bridges and/or lateral decoupling, leads to an increase in giant magnetoresistance ratio from 3.4% in as deposited state to 4.7%.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 539-542
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies