Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Aksamit, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Ground-State Energy of Biquadratic Spin Systems (S=3/2) in the (1/z)$\text{}^{1}$-Approximation
    Autorzy:
    Błaszczak, E.
    Aksamit, J.
    Franek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035740.pdf
    Data publikacji:
    2003-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.10.Jm
    75.30.Ds
    75.30.Et
    75.50.Ee
    Opis:
    Corrections to the molecular-field ground-state energies of the Heisenberg model with isotropic biquadratic interactions (spin S=3/2) are calculated in the (1/z)$\text{}^{1}$-approximation using the diagrammatic technique based on the Wick reduction theorem (z is the number of spins interacting with any given spin). The present results for the antiferri- and antiferromagnetic phases complete the previously obtained data for the antiquadrupolar, ferri- and ferromagnetic phases. From among the boundaries between different ground states only that between the antiferri- and antiferromagnetic phases is shifted with respect to its molecular-field value.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 4; 403-414
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
    Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
    Autorzy:
    Aksamit, W.
    Rzeszutko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    gallium nitride
    GaN transistors
    power conversion
    efficiency
    azotek galu
    tranzystory GaN
    straty mocy w tranzystorach GaN
    Opis:
    During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
    W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies