Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Adamczewska, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Aplikacyjne programy komputerowe do projektowania przekładników
Computer software application for designing instrument transformers
Autorzy:
Adamczewska, D.
Borowska-Banaś, I.
Jałmużny, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155285.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
przekładniki prądowe
przekładniki napięciowe
charakterystyka magnesowania
charakterystyka stratności
rdzenie składane osiowo
rdzenie składane promieniowo
current transformers
voltage transformers
magnetization curve
specific losses curve
axial composed cores
radial composed cores
Opis:
W artykule przedstawiono autorskie programy komputerowe do obliczeń projektowych przekładników prądowych i napięciowych.
The author’s computer programs for designing current and voltage transformers there are presented in the paper.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 7, 7; 733-735
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wspomagane komputerem obliczanie jednordzeniowego układu kaskadowego indukcyjnego przekładnika napięciowego wysokiego napięcia
Computer aided computation of one-core cascade circuit of HV voltage transformer
Autorzy:
Jałmużny, W.
Adamczewska, D.
Borkowska-Banaś, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152839.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
elektromagnetyczny układ kaskadowy jednordzeniowy
przekładnik napięciowy wysokiego napięcia
wspomaganie komputerowe projektowania
single-core transformer
cascade scheme transformer
HV voltage transformer
computer-aided design
Opis:
W artykule przedstawiono model matematyczny dwustopniowej, jednordzeniowej struktury elektromagnetycznej przekładnika napięciowego indukcyjnego. Podano jego opis analityczny dla chwilowych wartości napięć i prądów. Zbudowano schemat zastępczy umożliwiający wykorzystanie metody symbolicznej do opracowania komputerowego modelu symulacyjnego. Przedstawiono wybrane ekrany autorskiego programu komputerowego umożliwiającego realizowanie kolejnych kroków procesu projektowania.
The issue of electromagnetic cascade structures involves, among others, the current transformers [1] and inductive voltage trans-formers [2]. The following paper is a result of continuation of effort taken by the authors to prepare mathematical model of multistage inductive voltage transformers [3, 4]. Other publications on the topic include [5] and [6]. The mathematical model of HV single-core double primary winding inductive voltage transformer is presented in the paper. The scheme of the transformer configuration in Fig. 1 can be characterized by relationships between instantaneous values of voltages, currents and magnetic flux density - presented in formulas (1). These expressions can be utilized in computer simulations scoped to trace graphs of waveforms for instantaneous values of primary and secondary voltages [7, 8]. Calculation results were verified against measurement results for physical models. The equivalent circuit presented in Fig. 2 and described with formulas (2) has been de-signed, allowing to develop a computer simulation model by means of symbolic method. The sample screens presented in the article originate from computer software enabling execution of successive steps of designing process. The developed calculation method for cascade structure of voltage transformer can be utilized in designing process of core and windings for "electrically inverted" structure, like the ones used in HV voltage transformers, where primary side acts as the low voltage winding.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 9, 9; 1097-1099
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fine Diffraction Effects in Si Single Crystals Implanted with Fast Ar Ions and Annealed
Autorzy:
Żymierska, D.
Godwod, K.
Adamczewska, J.
Auleytner, J.
Choiński, J.
Regiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030690.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
61.80.-x
61.10.-i
85.40.Ry
Opis:
The paper presents high-resolution X-ray diffraction studies performed for Si single crystal: as-grown, implanted with a 5×10$\text{}^{14}$ ions· cm$\text{}^{-2}$ dose of 3 MeV/n Ar ions, as well as implanted and annealed in a very high vacuum. The results are discussed on the basis of rocking curves and the mathematical analysis of the reciprocal space maps. It is shown that the lattice parameter is increased in an implanted part of the crystal, but long distance lattice curvature is not present. After annealing full relaxation of the crystal is stated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 743-750
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial AlGaAs Layers Annealed under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Adamczewska, J.
Misiuk, A.
Regiński, K.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Kozanecki, A.
Kuritsyn, D.
Glukhanyuk, W.
Trela, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030644.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
68.55.Ln
Opis:
The effect of treatment at up to 1270 K under hydrostatic argon pressure, up to 1.2 GPa, on strain relaxation of AlGaAs layers was investigated by X-ray diffraction and related methods. The 1.5μm thick AlGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy method on 001 oriented semi-insulating GaAs substrate at 950 K. An increase in intensity of X-ray diffuse scattering, originating from hydrostatic pressure-induced misfit dislocations, was observed for all treated samples. For the samples treated at 920 K during 1 h under 0.6 GPa, the diffuse scattering was confined to the [110] crystallographic direction perpendicular to the direction of dislocations. For the samples treated at 1.2 GPa at the same temperature and time conditions as for 0.6G Pa, a different behaviour is observed, namely the diffuse scattering extends along all azimuthal directions, indicating that dislocations are created in both [110] and [¯110] directions. The change of strain after the treatment was most pronounced for the samples treated at 1.2 GPa for 1 h at 920 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 689-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies