Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Adamczewska, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Guziewicz, M.
    Adamczewska, J.
    Kwiatkowski, S.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical, Magnetic, and Structural Properties of Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Nadolny, A. J.
    Sadowski, J.
    Story, T.
    Dobrowolski, W.
    Arciszewska, M.
    Świątek, K.
    Kachniarz, J.
    Adamczewska, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992036.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    68.55.-a
    Opis:
    Layers of Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.1) with thickness 0.2-2 μm were grown by molecular beam epitaxy on BaF$\text{}_{2}$ substrates with a 0.01-1 μm thick SnTe buffer layer. Both SnTe and Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te layers show metallic p-type conductivity with conducting hole concentrations (at T=77 K) p$\text{}_{77}$=7×10$\text{}^{19}$ -2×10$\text{}^{21}$ cm$\text{}^{-3}$. The layers grown under the conditions of an extra Te flux have a high carrier concentration and exhibit ferromagnetic phase transition at T$\text{}_{C}$ ≤ 7 K. The layers grown with no (or very low) additional Te flux show low carrier concentrations (below 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$) and remain paramagnetic in the temperature range studied T=4.5÷70 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 449-453
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrostatic Pressure Effect on Oxygen Precipitates in Silicon Single Crystal
    Autorzy:
    Misiuk, A.
    Adamczewska, J.
    Bąk-Misiuk, J.
    Härtwig, J.
    Morawski, A.
    Witczak, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890764.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.70.At
    61.70.-r
    81.40.-z
    Opis:
    The effect of hydrostatic pressure on some properties of Cz-Si with oxygen precipitates is investigated. The observed phenomena are discussed in terms of misfit between the precipitates and Si matrix.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 317-320
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Response of swiss chard (Beta vulgaris L. var. cicla L.) to nitrogen fertilization
    Autorzy:
    Kołota, E.
    Adamczewska-Sowińska, K.
    Balbierz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/11543539.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
    Opis:
    Swiss chard may be cultivated for a single or in small scale of production for multiple harvest. The objective of the field experiment conducted in 2012–2014 was to determine the response of this vegetable crop to nitrogen fertilization. Lukullus and Green Silver cultivars were grown from direct seed sowing into the field and supplied with 100 or 200 kg N·ha-1 by using ammonium nitrate and Entec 26. Harvest of leaves started at the end of June was made weekly till half of September, each time the yield of leaf blades and petioles were evaluated. At the end of July the samples were collected for chemical analysis. Results of the study proved that both tested N fertilizers were equally valuable sources of this nutrient for Swiss chard and the increase of its dose from 100 to 200 kg·ha-1 was ineffective for crop yield, while caused the significant enhancement of nitrates accumulation. Leaf blades appeared to be a rich source of vitamin C and contained lower level of sugars and Ca while higher amounts of P and Mg if compared to petioles. Nitrates accumulation in leaf petioles was generally twice as high as in the blades. Green Silver cultivar produced higher yield of leaf petioles and higher amounts of chlorophyll showing smaller tendency for nitrates accumulation than Lukullus.
    Źródło:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus; 2017, 16, 2; 47-56
    1644-0692
    Pojawia się w:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Piotrowski, T. T.
    Barcz, A.
    Guziewicz, M.
    Adamczewska, J.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929764.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 804-806
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanism of Thermal Interaction of In with GaAs
    Autorzy:
    Barcz, A.
    Adamczewska, J.
    Baranowski, J. M.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929763.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    General behavior of In/GaAs couple heat-treated at 570°C for 2 hours was studied with secondary-ion-mass spectrometry, scanning electron microscopy, Rutherford backscattering spectroscopy and Nomarski microscopy. It is shown that, besides the well-known InGaAs crystallites which epitaxially grow upon dissolution of the substrate, In interacts with the substrate dislocations to form In(Ga)As dendrites. The driving force for this process is presumably excess arsenic reported to be present in the vicinity of the individual dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 801-803
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Changes of GaP: N Defect Structure under Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Kozankiewicz, B.
    Misiuk, A.
    Adamczewska, J.
    Skibska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1924323.pdf
    Data publikacji:
    1993-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    65.70.+y
    Opis:
    The changes of defect structure of GaP:N epitaxial layers subjected to hydrostatic pressures up to 1.8 GPa are investigated by X-ray diffraction and photoluminescence. The observed changes are more pronounced at higher pressures and depend on the nitrogen concentration, c$\text{}_{N}$, and on initial defect structure. Especially complex hydrostatic pressure induced properties are observed for the sample with c$\text{}_{N}$ > 10$\text{}^{20}$ at. cm$\text{}^{-3}$. The model explaining the hydrostatic pressure induced defect structure changes is proposed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 87-93
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial AlGaAs Layers Annealed under High Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Adamczewska, J.
    Misiuk, A.
    Regiński, K.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Kozanecki, A.
    Kuritsyn, D.
    Glukhanyuk, W.
    Trela, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030644.pdf
    Data publikacji:
    2002-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.40.-z
    68.55.Ln
    Opis:
    The effect of treatment at up to 1270 K under hydrostatic argon pressure, up to 1.2 GPa, on strain relaxation of AlGaAs layers was investigated by X-ray diffraction and related methods. The 1.5μm thick AlGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy method on 001 oriented semi-insulating GaAs substrate at 950 K. An increase in intensity of X-ray diffuse scattering, originating from hydrostatic pressure-induced misfit dislocations, was observed for all treated samples. For the samples treated at 920 K during 1 h under 0.6 GPa, the diffuse scattering was confined to the [110] crystallographic direction perpendicular to the direction of dislocations. For the samples treated at 1.2 GPa at the same temperature and time conditions as for 0.6G Pa, a different behaviour is observed, namely the diffuse scattering extends along all azimuthal directions, indicating that dislocations are created in both [110] and [¯110] directions. The change of strain after the treatment was most pronounced for the samples treated at 1.2 GPa for 1 h at 920 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 689-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Immunobiologia Cryptosporidium sp.
    Autorzy:
    Adamczewska, A
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/838396.pdf
    Data publikacji:
    1992
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
    Tematy:
    pasozyty zwierzat
    pierwotniaki
    parazytologia
    immunobiologia
    Cryptosporidium
    Opis:
    Immunological aspects of cryptosporidiosis: its immunopathology, antigenicity, perspectives of treatment and diagnosis are reviewed. In particular pathology of this disease in immunodeficient (as a result of AIDS or suppressive drugs chemotherapy) patients is presented.
    Źródło:
    Annals of Parasitology; 1992, 38, 1-2; 9-16
    0043-5163
    Pojawia się w:
    Annals of Parasitology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Immunobiologia Cryptosporidium sp.
    Autorzy:
    Adamczewska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2152237.pdf
    Data publikacji:
    1992
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
    Tematy:
    pasozyty zwierzat
    pierwotniaki
    parazytologia
    immunobiologia
    Cryptosporidium
    Opis:
    Immunological aspects of cryptosporidiosis: its immunopathology, antigenicity, perspectives of treatment and diagnosis are reviewed. In particular pathology of this disease in immunodeficient (as a result of AIDS or suppressive drugs chemotherapy) patients is presented.
    Źródło:
    Wiadomości Parazytologiczne; 1992, 38, 1-2; 9-16
    0043-5163
    Pojawia się w:
    Wiadomości Parazytologiczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies