Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Żywczak, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Structure and Magnetism of LSMO/BTO/MgO/LSMO Multilayers
Autorzy:
Pawlak, J.
Żywczak, A.
Szwachta, G.
Kanak, J.
Gajewska, M.
Przybylski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030441.pdf
Data publikacji:
2018-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.60.Ej
Opis:
A multiferroic tunnel junction (MFTJ) is a promising device for future memory systems with discrete and different logic states which are controlled by a combination of electric and magnetic fields. The goal of ongoing research is to present ferroelectric and ferromagnetic properties, especially at room temperature (RT), represented as high values of tunnel electroresistance (TER) and tunnel magnetoresistance (TMR). A key aspect is the appropriate preparation of a sample allowing epitaxial growth. The thin layers were prepared by pulsed laser deposition on atomically smooth monocrystalline SrTiO₃ (STO) substrates. The ferromagnetic metal layers La_{0.67}Sr_{0.33}MnO₃ (LSMO) are separated by a layer of a ferroelectric insulator - BaTiO₃ (BTO). The same structure of LSMO, BTO and STO (perovskite) and a similar lattice constant make it possible to obtain high-quality heterostructures. Magnetic measurements confirm differences in the magnetic coercivity of the top and bottom LSMO layer, which allows to obtain their parallel and antiparallel magnetization orientation. A modification of the interfaces of BTO by thin MgO layer enables an increase in the value of the TER effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 3; 548-551
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Field Sensor Based on Magnetic Tunnel Junction with Voltage-Tunable Magnetic Anisotropy
Autorzy:
Skowroński, W.
Wiśniowski, P.
Wrona, J.
Żywczak, A.
Stobiecki, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1386807.pdf
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.75.-d
85.75.Ss
85.35.-p
Opis:
We present a submicron magnetic field sensor with voltage-tunable magnetic field sensitivity. The device, based on magnetic tunnel junction, exhibits high tunnelling magnetoresistance ratio of up to 90%. Perpendicular magnetic anisotropy of thin ferromagnetic sensing layer in combination with an in-plane magnetized reference layer is used to obtain linear change in the sensor resistance in response to the in-plane magnetic field. The perpendicular anisotropy is further controlled by the bias voltage and, thus, the sensitivity of the sensor is changed. In addition, we evaluate the sensor selectivity for the magnetic field direction and present an influence of the temperature on the anisotropy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 496-498
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies