Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Żukowski, O. M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Application of HPLC-MS with Electrospray Ionization for the Qualitative and Quantitative Analysis of Antibiotics in Pharmaceutical Formulation
Autorzy:
Likhtarovich, A.
Luhin, V.
Sovastei, O.
Zukowski, P.
Dado, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402227.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
32.10.Bi
33.15.Ta
82.80.-d
Opis:
This study describes the application of electrospray ionization mass spectrometry in order to identify ten antibiotics (macrolides, penicillins, aminoglycosides). An optimum procedure was developed for determination of antibiotics of different grade. Positive ion spectra of most antibiotics are higher in intensity including an [M+H]⁺ ion and produce less fragmentation and are more informative compared to the negative ion spectra. The group of antibiotics exhibits the same characteristic fragmentation. The data base was developed for identification of antibiotics comparing of their molecular and fragment ions. The results of the study showed that the method with electrospray ionization is simple and quick which is useful in the routine determination of antibiotics and in their pharmaceutical dosage forms.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 901-904
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Emitting Single-Crystalline Silicon Wafers Implanted with V and III Group Ions
Autorzy:
Komarov, F.
Vlasukova, L.
Milchanin, O.
Greben, M.
Parkhomenko, I.
Mudryi, A.
Wendler, E.
Zukowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198877.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.-x
61.72.Ff
63.20.-e
78.66.-w
Opis:
Compound semiconductor nanocrystals (InAs, InSb, GaSb) were successfully synthesized in single crystalline Si by high fluence ion implantation at 500C followed by high-temperature rapid thermal annealing or conventional furnace annealing at 900-1100°C. Rutherford backscattering spectrometry, transmission electron microscopy/transmission electron diffraction, Raman scattering, and photoluminescence were employed to characterize the implanted layers. Two different types of the broad band emission extending over 0.75-1.1 eV were observed in photoluminescence spectra of annealed samples. One of the bands disappears in photoluminescence spectra of samples annealed at 1100C unlike the other one.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1288-1291
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies