Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Śpiewak, Patrycja" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Impact of the active area position in a nitride tunnel junction vertical-cavity surface-emitting laser on its emission characteristics
Autorzy:
Śpiewak, Patrycja
Wasiak, Michał
Sarzała, Robert P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173286.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
GaN
computer simulations
tunnel junction
VCSEL
vertical-cavity surface-emitting laser
Opis:
This paper presents results of numerical simulations of a nitride semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with a tunnel junction. The modeled laser is based on a structure created at the University of California in Santa Barbara. The analysis concerns the impact of the position of laser’s active area on the emitted power. Both small detunings from the standing waveanti-node, and positioning of the active area at different anti-nodes are considered.
Źródło:
Optica Applicata; 2020, 50, 2; 301-310
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determination of electrical and thermal parameters of vertical-cavity surface-emitting lasers
Autorzy:
Śpiewak, Patrycja
Gębski, Marcin
Strupiński, Włodek
Czyszanowski, Tomasz
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Sarzała, Robert P.
Nakwaski, Włodzimierz
Wasiak, Michał
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/27311753.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Tematy:
TLM
thermal resistance
VCSEL
AlGaAs
Opis:
Experimental methods are presented for determining the thermal resistance of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and the lateral electrical conductivity of their p-type semiconductor layers. A VCSEL structure was manufactured from III-As compounds on a gallium arsenide substrate. Conductivity was determined using transmission line measurement (TLM). Electrical and thermal parameters were determined for various ambient temperatures. The results could be used for computer analysis of VCSELs.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2023, 30, 3; 519--529
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173617.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Opis:
The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137272
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2090716.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Opis:
The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137272, 1--6
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies