Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Łoś, Sz." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
EPR Study of Fe$\text{}^{3+}$ Paramagnetic Centers in Doped Triglycine Sulphate Crystals
Autorzy:
Łoś, Sz.
Trybuła, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030426.pdf
Data publikacji:
2002-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.Fc
77.80.-e
Opis:
This paper presents EPR study of Fe$\text{}^{3+}$ in triglycine sulphate doped with Fe$\text{}^{3+}$ crystal. Fe$\text{}^{3 +}$ ion is in a high spin state S=5/2. EPR signal can be detected only below 200 K. At 4.2 K the EPR spectrum results from three non-equivalent sites of Fe$\text{}^{3+}$ ions. The spin Hamiltonian: H=β BĝS+D[S$\text{}_{z}^{2}$-(1/3)S(S+1)]+E(S$\text{}_{x}^{2}$-S$\text{}_{y}^{2}$) has been applied to describe the spectrum. The zero field splitting parameter in this case fulfills the condition: D≫hν. An experimental spectrum reflects clearly only two resonance transitions: |±1/2ã (the lowest Kramers doublet) and |±3/2〉 (the middle Kramers doublet). The iron complexes occupy interstitial positions in the crystal with distorted octahedral or tetrahedral co-ordination.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 2; 279-287
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Superconductivity of $MgB_2$ Layers Prepared on Silicon Substrate by Implantation of Magnesium Ions into Boron Substrate
Autorzy:
Trybuła, Z.
Kempiński, W.
Łoś, Sz.
Kaszyńska, K.
Trybuła, M.
Piekoszewski, J.
Werner, Z.
Barlak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1536977.pdf
Data publikacji:
2010-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.70.-b
74.78.-w
Opis:
The results of investigation of the $MgB_2$ layers prepared on silicon substrate by implantation of Mg ions into boron substrate are presented. After implantation the annealing processes were carried out at temperatures 673 K, 773 K, and 873 K in a furnace in an atmosphere of flowing Ar-4%$H_2$ gas mixture. The samples were characterized by: four-probe electric conductivity measurements and magnetically modulated microwave absorption. Our results showed that due to silicon substrate the diffusion of implanted Mg ions into boron materials should be limited, and the superconducting phase forms a continuous $MgB_2$ layer and the resistivity for all samples fall down to zero below $T_{c}$. The transition temperature $T_{c}$ becomes higher with increasing annealing temperature: $T_{c}$=18 K (for annealing at $T_{A}$=673 K), $T_{c}$=20 K (for annealing at $T_{A}$=773 K), and $T_{c}$=27 K (for annealing at $T_{A}$=873 K).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 2; 323-325
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Evolution of Superconducting Phase $MgB_x$
Autorzy:
Łoś, Sz.
Kempiński, W.
Piekara-Sady, L.
Andrzejewski, B.
Jurga, W.
Kaszyńska, K.
Piekoszewski, J.
Werner, Z.
Barlak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812318.pdf
Data publikacji:
2008-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.70.-b
74.78.-w
Opis:
Thin layers of $MgB_x$ were studied in order to define evolution of superconducting phase after Mg ions implantation into boron substrate. Three fluencies of energies 140, 80, and 40 keV were used to establish proper stoichiometry to synthesize homogeneous $MgB_2$ film. Additionally, the annealing processes were carried out at temperatures 400, 500, and 600°C in a furnace in an atmosphere of flowing $Ar-4%H_2$ gas mixture. The quality of the superconducting material was examined by magnetically modulated microwave absorption, and magnetic and resistivity measurements. The results showed that $T_c$ becomes higher with increasing annealing temperature. However, the fraction of superconducting phase decreases, due to partial evaporation of Mg ions and their deeper migration into boron substrate.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 1; 179-184
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies