Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "wzrost kryształu" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Growth velocities and sectorial and zonal distributions of impurities in crystals
Prędkości wzrostu i sektoralne oraz zonalne rozkłady zanieczyszczeń w kryształach
Autorzy:
Szurgot, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296476.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
wzrost kryształu
zanieczyszczenie
lopezyt
defekty wzrostu kryształów
crystal growth
impurities
lopezite crystals
defect
Opis:
Formulae for relative impurity content in various parts of a crystal have been derived and analysis of sectorial and zonal distributions of impurities conducted. Contribution of volume diffusion controlled crystal growth for sectorial and tonal distributions of impurities in lopezite crystals has been evaluated as small in comparison with surface diffusion.
Analizowano rozkład zanieczyszczeń w kryształach, wprowadzając nowe zależności na zawartość zanieczyszczeń w różnych częściach kryształów, które wyprowadzono wykorzystując równanie Burtona-Prima-Slichtera. Porównanie zawartości domieszek określonych teoretycznie z danymi eksperymentalnymi gęstości klasterów defektów punktowych w różnych sektorach i prążkach domieszkowych kryształów lopezytu pokazuje, że dla lopezytu wkład dyfuzji objętościowej jest mały i uwzględnienie procesów dyfuzji powierzchniowej jest konieczne.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 75-86
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling crystal growth: Polyhedra with faces parallel to the planes x1 ± x2 ± x3 = 0
Modelowanie wzrostu kryształów: wielościany wypukłe o ścianach równoległych do płaszczyzn x1 ± x2 ± x3 = 0
Autorzy:
Grzybowski, Jerzy
Urbański, Ryszard
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/699876.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Łódzkie Towarzystwo Naukowe
Tematy:
crystal growth, abstract cone of convex polyhedra, modified Minkowski addition
wzrost kryształu, abstrakcyjny stożek wielościanów wypukłych, zmodyfikowana suma Minkowskiego
Opis:
https://doi.org/10.26485/0459-6854/2018/68.3/3 Rosnący kryształ można interpretować jako szereg wielościanów o ścianach równoległych do skończonego zbioru płaszczyzn. Taki szereg tworzy krzywą, na ogół linię łamaną, w wektorowej przestrzeni wielościanów wirtualnych. W tym artykule badamy geometrię stożka wszystkich wielościanów o ścianach równoległych do ścian ośmiościanu foremnego.
https://doi.org/10.26485/0459-6854/2018/68.3/3 A growing crystal can be understood as a series of polyhedra with faces parallel to planes from a fixed finite set. Such series of polyhedra forms a curve, often broken line, in a vector space of virtual polyhedra. In this paper we apply a modified Minkowski addition to study geometry of a cone of all polyhedra with faces parallel the faces of regular octahedron.
Źródło:
Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations; 2018, 68, 3; 39-50
1895-7838
2450-9329
Pojawia się w:
Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost i właściwości optyczne kryształu BaGd2 (MoO4)4 domieszkowanego Er3+
Growth and optical properties of Er3+-doped BaGdcrystal 2 (MoO4)4
Autorzy:
Han, S.
Wang, J.
Zhang, H.
Pan, S.
Xv, H.
Wang, Y.
Shen, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/142191.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
Wytwarzanie kryształów
ciepło właściwe
widmo
czas trwania fluorescencji
crystal growth
specific heat
spectrum
fluorescence lifetime
Opis:
Pojedynczy kryształ BaGd2(MoO4)4 domieszkowany 1% at. Er3+ wyhodowano metodą Czochralskiego. Omówiono szczegóły procedury otrzymywania i wzrostu kryształu. Kryształ ma doskonałą płaszczyznę poślizgu (010), a jego łupliwość czyni go przydatnym jako ośrodek czynny w mikrolaserach. Zmierzono widmo absorpcyjne w zakresie światła widzialnego i bliskiej podczerwieni (NIR) w temperaturze pokojowej. W zakresie od 380 do 1600 nm występuje kilka intensywnych pików absorpcyjnych. Zmierzono również widmo fluorescencyjne wzbudzane za pomocą lampy ksenonowej. Zaobserwowano intensywny pik emisyjny NIR 1536 nm. Czasy trwania fluorescencji 4I13/2 oraz 4I11/2 wyznaczone za pomocą dopasowania krzywej wykładniczej wyniosły odpowiednio 5,85 ms i 112,62 μs. Ciepło właściw Er3+ BaGd2(MoO4)4 w 25°C wynosi 0,471 J g-1 K-1. Na podstawie zmierzonych widm obliczono parametry optyczne na podstawie teorii Judda-Ofelta (J–O).
A 1 at % Er3+ doped BaGd2(MoO4)4 single crystal was grown by the Czochralski method. Details on the preparation and growth procedures were discussed. The crystal has a perfect (010) cleavage plane, and the cleavage character makes the crystal suitable as a gain medium for microchip lasers. The absorption spectrum in the visible and near-infrared (NIR) regions was measured at room temperature. There are several strong absorption peaks in the range from 380 to 1600 nm. The fluorescence spectrum excited by a Xenon lamp was also measured. A strong NIR emission peak located at 1536 nm was observed. The fluorescence lifetimes of 4I13/2 and 4I11/23+:BaGd2(MoO4)4 at 25°C is 0.471 J g-1 K-1. Using the measured spectra, the optical parameters were calculated using the J–O theory.
Źródło:
Chemik; 2013, 67, 9; 763-770
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies