Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "van der Pauw method" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
On the Applying of the Van Der Pauw Method to Anisotropic Media
Autorzy:
Kleiza, J.
Kleiza, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505487.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
06.20.Dk
02.60.Cb
Opis:
The paper deals with the ways of finding an electrical conductivity tensor of a plane and anisotropically conductive sample. On the basis of the analysis of currents flowing through the electrodes at vertices of a rectangular sample, we derived specific electrical conductivity tensor calculation formula. The novelty of the present article is the use of the rectangular shape sample with arbitrarily directed sides in respect of the principal axes of the tensor. The influence of values of electrode lengths and the tensor components on the accuracy of these formulae is investigated. An iterative algorithm of increase of precision of calculating the tensor's components is presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 148-150
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Semiconductor contact layer characterization in a context of hall effect measurements
Autorzy:
Kowalewski, Andrzej
Wróbel, Jarosław
Boguski, Jacek
Gorczyca, Kinga
Martyniuk, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220890.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
metal contact
contact layer
contact resistance
Hall effect
resistivity
van der Pauw method
MSM structure
semiconductors’ characterization
Opis:
A revision of the standard approach to characterization of thin-semiconductor-layer Hall samples has been proposed. Our results show that simple checking of I(V) curve linearity at room temperature might be insufficient for correct determination of bias conditions of a sample before measurements of Hall effect. It is caused by the nonlinear behaviour of electrical contact layers, which should be treated together with the tested layer a priori as a metal-semiconductor-metal (MSM) structure. Our approach was examined with a Be-doped p-type InAs epitaxial layer, with four gold contacts. Despite using full high-quality photolithography a significant asymmetry in maximum differential resistance (Rd) values and positions relative to zero voltage (or current) value was observed for different contacts. This suggests that such characterization should be performed before each high-precision magneto-transport measurement in order to optimize the bias conditions.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2019, 26, 1; 109-114
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies