Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "sterowanie tranzystorami" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Wpływ pojemności pasożytniczych transoptora na sterowanie tranzystorami w przekształtniku impulsowym
The impact of optocoupler parasitic capacitance on transistors control in switching converter
Autorzy:
Cisek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/275726.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
przekształtnik impulsowy
transoptor
zakłócenia
CMRR
CMTI
switching converter
optocoupler
distortions
Opis:
W przekształtnikach impulsowych konieczna jest separacja galwaniczna między obwodami bramkowymi tranzystorów a sterownikiem mikroprocesorowym. Separacja realizowana jest najczęściej przy użyciu transoptorów. W transoptorach występują pojemności pasożytnicze sprzęgające obwód wyjściowy i wejściowy układu. Wpływ tych pojemności jest w większości zastosowań pomijalny, jednak w układach impulsowych, w których potencjały obwodów wejściowego i wyjściowego transoptora ulegają bardzo szybkim zmianom, występowanie pojemności pasożytniczych może prowadzić do powstawania zakłóceń sygnałów sterujących tranzystorami. W artykule omówiono budowę, najważniejsze cechy i parametry transoptorów cyfrowych. Przedstawiono przyczyny i miejsca występowania pojemności pasożytniczych. Opracowano model symulacyjny transoptora uwzględniający pojemności pasożytnicze. Przedstawiono wyniki badań symulacyjnych obrazujących wpływ pojemności oraz szybkości zmian napięcia na przebieg sygnału sterującego tranzystorem. Przedstawiono wybrane wyniki weryfikacji laboratoryjnej.
Optocouplers are widely used, e.g. in the switching converters, in which they are used to obtain electrical isolation between gate transistors circuits and microprocessor controller. In transoptors exists parasitic capacitances which couples output and input circuits of the system. The influence of these capacitances is negligible for most applications. However, in switching converters, where the potentials of the input and output circuit of an optocoupler changes very fast, the presence of parasitic capacitances can lead to the distortion of transistors control signals. The paper discusses the general structure, key features and parameters of digital optocouplers. Cause and location of parasitic capacitances was shown in a simulation model of optocoupler, which takes into account the parasitic capacitances was designed. Simulation results illustrating the impact of capacitance and rate of voltage change to waveform of the transistors control signals were presented. Shows selected results of laboratory verification were shown.
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2014, 18, 7-8; 86-92
1427-9126
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Robotyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza strat powstających podczas załączania pary tranzystorów mocy MOS-FET oraz IGBT, pracujących w przekształtnikach rezonansowych
Analysis of power losses during turning on pair of power transistors MOS-FET and IGBT working in resonant inverter
Autorzy:
Balcerak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159538.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
sterowanie tranzystorami
praca równoległa tranzystorów
minimalizacja strat mocy
sterowniki
drivery
podwyższenie sprawności
porównywanie tranzystorów
tranzystory
przekształtniki impulsowe
KPS
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono topologię rezonansowego układu przekształtnikowego służącego do generacji bardzo krótkich impulsów o wysokiej mocy. Omówiono celowość równoległego łączenia ze sobą dwóch typów tranzystorów: MOS-FET i IGBT, pracujących jako klucze w przekształtnikach rezonansowych typu Kicker Power Supply (KPS). Przedstawiono wpływ niejednoczesności załączenia tranzystorów na sprawność przetwornicy oraz na straty mocy na tych tranzystorach. Zwrócono również uwagę na opóźnienia czasu załączania wprowadzane przez sterowniki tranzystorów mocy. Omówiono także wpływ wartości rezystancji łączącej sterownik z tranzystorem mocy na sprawność przetwornicy rezonansowej.
Paper presents topology of resonant inverter which is used to generate very short, high-power pulses. Advisability of parallel connecting two kinds of transistors: MOS-FET and IGBT, working as keys in resonant inverters in Kicker Power Supply (KPS) were discussed. Influence of unsimultaneity of turning on transistors to efficiency of inverter and the power losses on these transistors was presented. Paper discussed also the delays added by the drivers of power transistors and the influence of value of resistance connecting driver with power transistor on efficiency of resonant inverter.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 59-72
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies