Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "spintronics" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Semiconductor Spintronics: Role of the Valence-Band Holes
    Autorzy:
    Dargys, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041626.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    73.40.Gk
    78.55.-m
    79.90.+b
    Opis:
    Two aspects related to valence-band hole spin are considered: spin surfaces in p-type semiconductors and flipping of the hole spin by an ultrashort electric field pulse. It is shown that heavy, light, and split-off holes have different spin surfaces. In general, the shape of the surface in real semiconductors may depend on the hole wave vector direction and magnitude. The concept of spin surface is used to explain very strong anisotropy of hole spin injection efficiency observed recently in ferromagnetic-semiconductor structures and in optimizing ultrafast spin switching. It was shown that, of all spin flipping mechanisms, the most effective one is associated with hole transfer between different spin surfaces in high electric fields. The less effective mechanisms are related to valence band warping and nonparabolicity. Examples of the hole spin flipping dynamics and the discussion on ultrafast control of spin in semiconductors by π-type electrical pulses are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 46-55
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Carbon-Encapsulated Magnetic Nanoparticles Based on Fe, Mn, and Cr for Spintronics Applications
    Autorzy:
    Szczytko, J.
    Osewski, P.
    Bystrzejewski, M.
    Borysiuk, J.
    Grabias, A.
    Huczko, A.
    Lange, H.
    Majhofer, A.
    Twardowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047686.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.-g
    75.75.+a
    75.20.En
    75.30.Cr
    75.50.Bb
    Opis:
    We succeeded in the arc-plasma synthesis of carbon-encapsulated Fe, Cr, and Mn-based nanoparticles. The transmission electron microscopy, Mössbauer spectra (of iron) and SQUID magnetometry results demonstrate that the products of the synthesis contain metals and its carbides. The nanoparticles show ferromagnetic or superparamagnetic behavior at high temperatures, which is demanded for nano-spintronics applications.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 305-310
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic Liquid Crystals for Molecular Spintronics
    Autorzy:
    Szczytko, J.
    Budzowski, P.
    Turski, H.
    Witek, B.
    Twardowski, A.
    Glebowska, A.
    Krówczyński, A.
    Pociecha, D.
    Szydlowska, J.
    Górecka, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811993.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.50.Xx
    Opis:
    The magnetic properties of Ni(II) and Cu(II) complexes were measured. In the case of Ni(II) samples strong enhancement of the magnetic susceptibility below 23 K was observed. The model of structural transition was proposed to explain this behavior.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1383-1386
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wielostanowa komórka pamięci magnetycznej - analiza czasowa szybkości zapisu oraz gęstości upakowania komórek
    Autorzy:
    Stebliński, P.
    Błachowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118440.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    spintronika
    logika magnetyczna
    pamięci BPM
    symulacje mikromagnetyczne
    spintronics
    magnetic logic
    BPM memory
    micromagnetic simulations
    Opis:
    Przebadano model wielostanowej komórki pamięci magnetycznej. Przeprowadzono analizę ilości stanów stabilnych, wyznaczono natężenie sygnału przełączającego (pole Zeemana) pomiędzy stanami w zależności od czasu przełączania oraz wyznaczono gęstość zapisu. 3-bitowa (o 8 niezależnych stanach stabilnych) komórka pamięci magnetycznej posiadała około 100 razy większą gęstość zapisu niż aktualnie spotykane pamięci SSD o najwyższej gęstości. Badane czasy przełączania były od 1000 do 100 tys. razy mniejsze niż we współczesnych półprzewodnikowych odpowiednikach. Ważną zaletą wyznaczonego nieukierunkowanego pola przełączającego była jego jednorodność w przestrzeni oraz jedynie zmiana w czasie.
    The model of multi-level magnetic cell memory was examined. The analysis of stable states, a switching signal (Zeeman field) intensity and direction in dependence of switching time along with writing density were performed. The 3-bit (8 independent stable states) magnetic cell memory achieved potential writing density of about 100-times higher then actual SSD memories having actually highest writing density. The examined switching times were from 1000 to 100000 times shorter then up to date semiconductor solutions. Importantly, the advantage of discovered switching field intensity was homogeneous in space and changed in time.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2017, 11; 41-48
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Conception of Magnetic Memory Switched by Time Dependant Current Density and Current Electron Spin Polarization
    Autorzy:
    Steblinski, Paul
    Blachowicz, Tomasz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/227198.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    spintronics
    magnetic logic
    BPM memories
    magnetic simulations
    Opis:
    In this article the magnetic memory model with nano-meter size made from iron cells was proposed. For a purpose of determining the model specifications, the magnetic probes group with different geometrical parameters were examined using numeric simulations for the two different time duration of transitions among quasi-stable magnetic distributions found in the system, derived from the energy minimums. The geometrical parameters range was found, for which the 16 quasi–stable energetic states exist for the each probe. Having considered these results the 4 bits magnetic cells systems can be designed whose state is changed by spin-polarized current. Time dependent current densities and the current electron spin polarization directions were determined for all cases of transitions among quasi-stable states, for discovered set of 4 bits cells with different geometrical parameters. The 16-states cells, with the least geometrical area, achieved the 300 times bigger writing density in comparison to actual semiconductor solutions with the largest writing densities. The transitions among quasi-stable states of cells were examined for the time durations 10⁵ times shorter than that for up to date solutions.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2019, 65, 2; 309-312
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
    Rezonansowa dioda tunelowa z elektrodami magnetycznymi
    Autorzy:
    Szczepański, Tomasz
    Kudła, Sylwia
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/129532.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    resonant tunnelling
    diode
    magnetic tunnelling diode
    spintronics
    rezonansowa dioda tunelowa
    magnetyczna dioda tunelowa
    spintronika
    Opis:
    We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
    Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
    Źródło:
    Physics for Economy; 2019, 3, 1; 41-51
    2544-7742
    2544-7750
    Pojawia się w:
    Physics for Economy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies