Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "semiconductor element" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Analysis of instantaneous power components of electric circuit with a semiconductor element
    Autorzy:
    Zagirnyak, M.
    Kalinov, A.
    Maliakova, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/141428.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    semiconductor element
    instantaneous power
    equations of instantaneous power orthogonal components balance
    Opis:
    Both a classical instantaneous power method and a method based on equations of instantaneous power orthogonal components balance have been used to analyze power processes in electric circuits with semiconductor elements. Automated method of forming instantaneous power harmonic components was used to obtain analytical expressions and numerical values of instantaneous power components of analyzed electric circuits. A coefficient for estimation of a semiconductor converter nonlinearity degree has been offered.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2013, 62, 3; 473-486
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Semiconductor Element Substitution on the Electric Properties of Barium Titanate Ceramics
    Autorzy:
    Garbarz-Glos, B.
    Lisińska-Czekaj, A.
    Czekaj, D.
    Bąk, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/354672.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    barium titanate
    ceramics
    dielectric permittivity
    electric conductivity
    phase transitions
    PTCR effect
    Opis:
    The investigated ceramics were prepared by a solid-state reaction from simple oxides and carbonates with the use of a mixed oxide method (MOM). The morphology of BaTi0.96Si0.04O3 (BTSi04) ceramics was characterised by means of a scanning electron microscopy (SEM). It was found that Si+4 ion substitution supported the grain growth process in BT-based ceramics. The EDS results confirmed the high purity and expected quantitative composition of the synthesized material. The dielectric properties of the ceramics were also determined within the temperature range (ΔT=130-500K). It was found that the substitution of Si+4 ions had a significant influence on temperature behavior of the real (ε’) and imaginary (ε”) parts of electric permittivity as well as the temperature dependence of a.c. conductivity. Temperature regions of PTCR effect (positive temperature coefficient of resistivity) were determined for BTSi04 ceramics in the vicinity of structural phase transitions typical for barium titanate. No distinct maximum indicating a low-temperature structural transition to a rhombohedral phase in BTSi04 was found. The activation energy of conductivity was determined from the Arrhenius plots. It was found that substitution of Si ions in amount of 4wt.% caused almost 50% decrease in an activation energy value.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 2A; 887-890
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zwiększenie częstotliwości łączeń w falownikach dzięki nowym elementom półprzewodnikowym z węglika krzemu (SiC)
    Autorzy:
    Zdanowski, M.
    Sobieski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/302847.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Wydawnictwo Druk-Art
    Tematy:
    falownik
    element półprzewodnikowy
    węglik krzemu
    inverter
    semiconductor element
    silicon carbide
    Opis:
    Doskonałe właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów SiC MOSFET mogą być wykorzystane do przesunięcia obecnej bariery częstotliwości łączeń, występującej w dotychczas stosowanych krzemowych (Si) elementach półprzewodnikowych falowników napięcia w zakres nawet powyżej 100 kHz.
    Źródło:
    Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 3; 22-24
    1507-7764
    Pojawia się w:
    Napędy i Sterowanie
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies