Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "rozpływ prądów" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Rozpływ prądów trakcyjnych w tramwajowej sieci powrotnej - ocena w aspekcie zagrożeń prądami błądzącymi
Flowing of tractioncurrent in tram return circuit - estimate in aspect of straycurrentsthreat
Autorzy:
Chrabąszcz, I.
Kaniewski, A.
Prusak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/254372.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
transport szynowy
trakcja
rail transport
traction
Opis:
Ochrona podziemnych konstrukcji metalowych (PKM), np. rurociągów, mostów itp., od wpływu prądów błądzących [1, 2, 4, 8] jest zagadnieniem ważnym i ciągle aktualnym. W literaturze rozpływ prądu trakcyjnego w sieci powrotnej dotyczy ograniczonego przypadku, uwzględniającego tylko jeden pojazd na odcinku zasilania. Założono, że pojazd ten pobiera stałą wartość prądu i porusza się ze stałą prędkością. Takie ujęcie jest przydatne, ze względów poznawczych i dydaktycznych.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2010, 11-12; 82-85
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Excess current carrier distribution in the base region of the semiconductor multi-junction structure
Autorzy:
Sikorski, S.
Pultorak, J.
Jung, W.
Piotrowski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378449.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
półprzewodniki
modelowanie numeryczne
warunki brzegowe
rozpływ prądów
gęstość prądu
semiconductors
numerical modelling
boundary conditions
current distribution
current density
Opis:
A new approach to the theory of excess current carrier distribution in the homogeneous base region of the semiconductor multi-junction structure is proposed. Numerical analysis of this structure is performed taking into consideration an assumption that concentrations of excess electrons and holes in the semiconductor are equal (the neutrality principle). To obtain excess carrier distributions in this structure it is necessary to solve continuity equations of electron J n and hole J p current densities. A general solution is obtained and numerically calculated distributions of excess carriers and electrical potential for cases interesting from the point of view of their application in injection modulated thermal radiation structures destined for dynamic scene projectors are presented.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 6; 1-8
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies