Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "przetwornik międzypalczasty" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis
    Akustyczne mody płytowe w płytkach z kryształu GaN wyciętych prostopadle do osi krystalograficznej Z
    Autorzy:
    Sadura, J.
    Brzozowski, E.
    Łysakowska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192012.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    bulk GaN crystal
    surface acoustic wave (SAW)
    bulk acoustic wave (BAW)
    acoustic plate mode (APM)
    interdigital transducer (IDT)
    SAW filter
    objętościowy kryształ GaN
    akustyczna fala powierzchniow (AFP)
    akustyczna fala objętościowa (AFO)
    akustyczny mod płytowy (AMP)
    przetwornik międzypalczasty (PM)
    filtr z AFP
    Opis:
    The chosen parameters acoustic plate modes (APMs) in GaN crystal plates were calculated and measured. It was found that the spectrum of APMs consists of two areas. In the first area, just above the surface acoustic wave (SAW) passband, the insertion loss of APMs is much higher than in the SAW passband. In the second area, the insertion loss of APMs is decreased, reaching a minimum value at a frequency about two times higher than the resonance frequency of SAW. Because the energy of the longitudinal component of mechanical displacement in this mode is concentrated near both planes of the GaN plate, it can be used in APM sensors.
    Obliczono i zmierzono wybrane parametry akustycznych modów płytowych (AMP) w płytkach z kryształu GaN. Stwierdzono, że spektrum AMP składa się z dwóch obszarów. W pierwszym obszarze, tuż powyżej pasma akustycznej fali powierzchniowej (AFP) tłumienność wtrąceniowa jest dużo wyższa w porównaniu do tłumienności w paśmie AFP. W drugim obszarze tłumienność wtrąceniowa AMP maleje osiągając wartość minimalną przy częstotliwości około dwa razy większej niż częstotliwość AFP. Ponieważ energia podłużnej składowej przemieszczeń mechanicznych tego modu jest skoncentrowana w pobliżu obydwu powierzchni płytki GaN, może być on wykorzystany w czujnikach z AMP.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 4-6
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wykorzystanie zjawiska powierzchniowej fali akustycznej w aplikacjach systemów mikroprzepływowych – przegląd rozwiązań
    Applications of microfluidic system based on surface acoustic wave phenomenon – overeview
    Autorzy:
    Nowek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192274.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    akustyczna fala powierzchniowa
    przetwornik międzypalczasty
    akustoforeza
    mikroprzepływy
    lab-on-a-chip
    surface acoustic wave
    interdigital transducer
    acoustophoresis
    micro flow cytometer
    lab-on-chip
    Opis:
    W artykule dokonano przeglądu najbardziej interesujących rozwiązań z zakresu systemów mikroprzepływowychwykorzystujących zjawisko akustycznych fal powierzchniowych (AFP). Przemieszczanie obiektów o skali wielkości porównywalnej z rozmiarami komórek, oddzielenie ich z próbek o złożonym składzie oraz kontrola ich położenia w obszarze mikrosystemu są ważnym elementem metodyki badawczej w zakresie biomedycznych badań podstawowych. Jest to obecnie bardzo dynamicznie rozwijająca się dziedzina, która jest szczególnie cenna w aspekcie aplikacji w systemach Lab on Chip, gdzie możliwość nieinwazyjnego manipulowania obiektem badań jest szczególnie pożądana. Zastosowania, które są obecnie przedmiotem badań obejmują zagadnienia z zakresu segregowania cząstek z zawiesiny w cieczy, ich oddzielania oraz manipulowania pojedynczymi cząstkami w obszarze mikrokanału.
    In this paper the most interesting solutions in the field of microfluidic systems using surface acoustic waves (SAW) are reviewed. Moving objects, of a size scale comparable to the size of cells, their separation from the samples having a complex composition and control of their position in the area of a microchannel, constitute an important element of the methodology of biomedical basic research. Nowadays it has become a rapidly growing branch of science, which is particularly attractive in terms of its applicability to Lab on Chip systems, in the case of which the non-invasive manipulation of the studied object is a key issue. The applications that are currently examined include problems related to the separation of particles from a suspension in a liquid and the manipulation of individual particles in the area of a microchannel.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 27-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Experimental validation of the sensing capabilities of tunable interdigital transducer
    Dostrajalny przetwornik międzypalczasty, T-IDT, badania eksperymentalne zdolności do wykrywania uszkodzeń
    Autorzy:
    Mańka, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/329638.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Towarzystwo Diagnostyki Technicznej PAN
    Tematy:
    IDT
    Lamb wave
    transducer
    SHM
    NDT
    przetwornik międzypalczasty
    fale Lamba
    monitorowanie stanu konstrukcji
    badania nieniszczące
    Opis:
    Modern systems and methods of Structural Health Monitoring (SHM) and Non Destructive Testing (NDT) require new types of transducers. In this paper, a new type of Lamb Wave transducer, the Tunable Interdigital Transducer (T-IDT), developed at AGH University of Science and Technology, is presented and its sensing capabilities are discussed based on experimental tests. The properties of the proposed transducer are similar to those of a traditional Interdigital Transducer (IDT), except for its ability to change the wavelength to which the transducer is tuned without introducing any physical changes in the electrode layout. In the paper, three sets of experiments are presented. The first two determine the ability of the transducer to measure the distance of damage from the transducer. The last set of experiments investigates the angular sensitivity of the proposed transducer for modelled damage. The presented results are compared to ones obtained with a traditional IDT.
    Nowoczesne systemy i metody Monitorowania Stanu Konstrukcji (ang. SHM) oraz techniki Badań Nieniszczących (ang. NDT) wymagają opracowywania coraz to nowszych typów przetworników. W artykule został przedstawiony nowy typ przetwornika do badań z wykorzystaniem fal powierzchniowych Lamb’a, opracowany na Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie a nazwany przez jego twórców Dostrajalnym Przetwornikiem Międzypalczastym (ang. T-IDT). Właściwości prezentowanego przetwornika T-IDT są zbliżone do właściwości tradycyjnego IDT z jedną różnicą mianowicie przetwornik T-IDT może zostać dostrojony do określonej długości fali bez potrzeby wprowadzania zmian w jego strukturze. W artykule zostały przedstawione trzy serie eksperymentów dotyczących badań zdolności przetwornika do wykrywania uszkodzeń. W pierwszych dwóch seriach badana była zdolność przetwornika do wykrywania i określenia odległości uszkodzenia od przetwornika. Natomiast trzecia seria badań dotyczyła czułości przetwornika na uszkodzenie w zależności od jego pozycji kątowej względem przetwornika. Wszystkie wyniki eksperymentów uzyskane z zastosowaniem przetworników T-IDT zostały porównane z wynikami uzyskanymi z wykorzystaniem tradycyjnych przetworników IDT.
    Źródło:
    Diagnostyka; 2018, 19, 1; 49-56
    1641-6414
    2449-5220
    Pojawia się w:
    Diagnostyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies