Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "p-i-n diode" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Impedance Spectroscopy of Nanostructure $p-ZnGa_{2}Se_{4}//n-Si$ Heterojunction Diode
    Autorzy:
    Yahia, I.
    Fadel, M.
    Sakr, G.
    Shenouda, S.
    Yakuphanoglu, F.
    Farooq, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1493723.pdf
    Data publikacji:
    2011-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    84.37.+q
    87.63.Pn
    Opis:
    The impedance characteristics of the nanostructure $p-ZnGa_2Se_4//n-Si$ heterojunction diode were investigated by impedance spectroscopy method in the temperature range (303-503 K) and the frequency range (42 Hz-5 MHz). The real and imaginary parts of the complex impedance are changed with the frequency. Both are decreased with increasing temperature at the lower frequencies and are merged at the higher frequencies. The dielectrical relaxation mechanism of the diode was analyzed by the Cole-Cole plots. The Cole-Cole plots under various temperatures exhibit one relaxation mechanism. With increasing temperature, the radius of the Cole-Cole plots decreases, which suggests a mechanism of temperature-dependent on relaxation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 3; 563-566
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/199922.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    edge termination
    silicon carbide
    4H-SiC
    p-i-n diode
    breakdown voltage
    JTE
    Opis:
    In this work, in order to obtain breakdown voltage values of the 4H-SiC p-i-n diodes above 1.7 kV, three designs have been examined: single-zone junction termination extention (JTE), double-zone JTE and a structure with concentric rings outside each of the areas of the double-zone JTE (space-modulated JTE). The influence of geometry and the level of p-type doping in the JTE area as well as the charge as the interface between the p-type JTE area and the passivation layer on the diode breakdown voltage was studied. The effect of statistical dispersion of drift layer parameters (thickness, doping level) on diodes breakdown voltage with various JTE structures was investigated as well. The obtained results showed that the breakdown volatge values for a diode with single zone JTE are very sensitive both to the dose of JTE area and charge accumulated at the JTE/dielectric interface. The use of a double zone or space-modulated JTE structures allows for obtaining breakdown voltage above 1.7 kV for a much wider range of doping parameters and with better tolerance to positive charge at the JTE/dielectric interface, as well as better tolerance to statistical dispersion of active layer parameters compared to a single zone JTE structure.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 367-375
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
    Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements
    Autorzy:
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Sobczak, G.
    Malag, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192110.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    rezystancja termiczna
    złącze p-n
    pomiar termowizyjny
    pomiar dynamiczny
    charakterystyka spektralna
    laser diode
    thermal resistance
    p-n junction
    thermovision measurement
    dynamics measurement
    spectral characteristic
    Opis:
    W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
    In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 3-9
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies