Wszystkie pola: optoelectronic sensor - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Fast optoelectronic sensor of water concentration
Autorzy:: Nowak, J. L.
Magryta, P.
Stacewicz, T.
Kumala, W.
Malinowski, S. P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174478.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: humidity
hygrometer
laser spectroscopy
absorption
Opis:: A prototype optoelectronic hygrometer, based on absorption of laser light tuned to a specific rovibronic absorption line of H2O at 1364.68961 nm is described. Target application is meteorology, in particular precise and fast measurements of small-scale humidity fluctuations in turbulent atmospheric flows. Tests of the prototype instrument performed in the atmospheric boundary layer have proven the advantage of this optoelectronic sensor over typical, commercially available UV hygrometers designed for similar applications.
Źródło:: Optica Applicata; 2016, 46, 4; 607-618
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:: Optica Applicata
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Two-Channel Optoelectronic Sensor Employing Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy
Autorzy:: Wojtas, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1493278.pdf
Data publikacji:: 2011-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 07.07.Df
42.25.Dd
42.55.Px
42.60.Da
42.62.Fi
Opis:: In the paper, a description of two-channel of optoelectronic sensor basing on cavity enhanced absorption spectroscopy is presented. In contrast to the typical cavity enhanced absorption spectroscopy systems, here a special optical system is applied. It provides possibility to direct more than one beam of laser radiation into a cavity. Thus, special lasers controller system and photoreceiver were developed as well. The setup includes two pulsed laser diodes. The optical signals from the lasers are registered with one special constructed photoreceiver, which is characterized by wide range of the detected wavelengths. Moreover, there was applied time division multiplexing technique, well-known in the telecommunication systems. Every laser is assigned to the suitable channel - the strictly determined temporary window. In this window, the signal from the exits of the optical cavity is registered. In the system, optical signal from many laser sources can be measured and value of absorption coefficient at a few different wavelengths can be determined parallel. Typical cavity enhanced absorption spectroscopy system is designed to measure only one gas concentration, while the developed setup provides possibility to detect a trace concentration of two gases at the same time.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 4; 763-766
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Problems of optoelectronic sensor in application for armed vehicle staff safety and ergonomic improvement
Autorzy:: Mirosław, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/245162.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
Tematy:: optoelectronics system
safety and ergonomic
camouflage
battle field robotisation
Opis:: The right information at the right time is crucial in task execution and survival on the battlefield. In the contemporary combat systems the optoelectronics system located in observational heads, periscopes etc. are responsible for providing adequate information for the vehicle commander, driver and gunner. The rapid development of photonic technologies and the process of battlefield robotisation make them become ubiquitous. Thanks to optoelectronics technology, the safety of the soldiers and their mental comfort can be based on not only the thickness of the armour plate, but also on active protection systems and the situational awareness. Systems of sensors installed on the accompanying vehicles -"drones" and ground platforms allow for early detection and location of threats. Remote-controlled unmanned armed systems are becoming increasingly popular and briefly will provide advanced fire units. Omnidirectional surveillance systems make transparent armour plate for the crew seeing what is happening around the vehicle. Countering observation and detection systems consisting of an active opponent camouflage -changing object signature This also applies optoelectronic circuits. In the article, the author presents the concept of surveillance systems and the construction of situational awareness and radio-electronic war with the use of optoelectronic systems and the problems that prevent the development of these systems in Poland. The aim of this article is to draw attention to the potential that these systems have. The author’s task is to underline the need of a long-term development program for these systems dedicated to Polish Land Forces.
Źródło:: Journal of KONES; 2015, 22, 1; 315-318
1231-4005
2354-0133
Pojawia się w:: Journal of KONES
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optoelektroniczny czujnik NO₂
Optoelectronic NO₂ sensor
Autorzy:: Wojtas, J.
Bielecki, Z.
Nowakowski, M.
Mikołajczyk, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/208538.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:: czujnik optoelektroniczny
CEAS
pomiar koncentracji gazu
wykrywanie NO2
optoelectronic sensor
gas concentration measurement
NO2 detection
Opis:: W artykule przedstawiono optoelektroniczny czujnik ditlenku azotu, w którym zastosowano technikę CEAS. Dzięki temu uzyskano dużą czułość, pozwalającą na wykrywanie śladowych koncentracji badanego gazu. W czujniku zastosowano polski niebieski laser półprzewodnikowy firmy TopGaN generujący impulsy o długości fali 414 nm. Koncentracja NO2 określana była na podstawie czasu zaniku natężenia promieniowania magazynowanego we wnęce optycznej. Uzyskano czułość detekcji poniżej 1ppb.
We present a nitrogen dioxide optoelectronic sensor. One of the most sensitive laser absorption methods, i.e., Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy (CEAS) was used in the sensor. The Polish blue diode laser (TopGaN) working at 414 nm as a light source was applied. The absorbing gas concentration was determined by the measurement of the decay time of the light pulse trapped in the optical cavity. The detection limit better than 1 ppb was obtained.
Źródło:: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 293-302
1234-5865
Pojawia się w:: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ niskiej temperatury na pracę czujnika optoelektronicznego OPT101
Influence of low temperature on OPT101 optoelectronic sensor operation
Autorzy:: Pająkowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/155976.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: czujnik optyczny
fotodioda
niskie temperatury
optical sensor
photodiode
low temperatures
Opis:: W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania czujnika optoelektronicznego OPT101, który jest fotodiodą zintegrowaną z wewnętrznym wzmacniaczem operacyjnym. Czujnik jest przetwornikiem natężenie oświetlenia/napięcie. Przedstawiono charakterystyki napięcia na wyjściu czujnika VO w funkcji temperatury T dla różnych wartości natężenia oświetlenia. Przedstawiono wyniki badań prądu fotodiody ID w funkcji temperatury i natężenia oświetlenia. Przebadano wzmocnienie wewnętrznego wzmacniacza operacyjnego. Pokazano wpływ temperatury na pasmo częstotliwościowe wewnętrznego wzmacniacza.
The paper presents results of tests on behaviour of an OPT101 optoelectronic sensor (Figs. 1, 2) being a photodiode integrated with an internal operational amplifier. The sensor is a converter of luminous emittance to voltage. Fig. 3 shows a measuring position. The sensor was tested at temperature TX, and the model sensor was at temperature T = 20 °C. In Figs. 4 and Fig. 5 there are presented characteristics of voltage VI at the sensor output as a function of temperature T for five different values of the voltage at the sensor model output VM. There are also included the results of determining the photodiode current ID as a function of temperature for five different values of VM (Fig. 8). The internal amplifier gain was also tested and it was proved that the amplifier gain in low temperatures close to 77K depended strongly on the current of the feedback loop consisting of the internal operational amplifier; the higher the current, the lower the amplification decrease (Fig. 10). In the paper there is also discussed the influence of the temperature on the internal amplifier frequency band (Fig. 11). In the summary there is stated that, when taking into consideration the maximum relative error of 3% , it is possible to use the sensor in the temperature range from -180 °C to 20 °C.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 12, 12; 1537-1539
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Optoelektroniczny przetwornik E/U operujący w 77K
An optoelectronic light to voltage converter operating at 77K
Autorzy:: Pająkowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/152870.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: czujnik optyczny
fotodioda
niskie temperatury
optoelectronic sensor
photodiode
low temperature
Opis:: W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody BPW34S w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K Przedstawiono zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych BiFET w niskiej temperaturze. Zaproponowano rozwiązanie kriogenicznego przetwornika E/U (natężenie oświetlenia/napięcie) pracującego w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K, z użyciem fotodiody BPW34S i wzmacniacza TL081 wykonanego w technologii BiFET. Porównano wyniki badań temperaturowych kriogenicznego przetwornika E/U z wynikami badań nad pracą scalonego czujnika optoelektronicznego OPT101 w temperaturach z zakresu od 77 K do 300 K. Pokazano pracę skonstruowanego przetwornika E/U mogącego operować w 77 K.
The paper presents the results of performance tests of a BPW34S photodiode in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 2). Also the results of tests of a BiFET operational amplifier are presented: the open loop gain and gain bandwidth of TL081 in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 4). There is introduced a cryogenic light to voltage converter operating within the above mentioned temperature range. (Fig. 5). In the cryogenic light to voltage converter there are used the BPW34S photodiode and TL081 BiFET operational amplifier. The stand for testing characteristics of electric parameters of electronic elements in low temperatures is shown in the block diagram (Fig. 7) and the photo (Fig. 9). It was proved that the cryogenic light to voltage converter could operate in temperature range 77 K to 300 K with a relative error less than 6% (Tab. 1) (Fig. 8). Finally, the results of low temperature tests of the designed converter with the results of tests of the optoelectronic sensor OPT101 are compared (Fig. 10, 11). There is also presented the spectral sensitivity of the tested light sensors (Fig. 12). The presented solutions can be used in devices working in temperature of 77 K in e.g. high-temperature superconductivity equipment.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 8, 8; 583-586
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Applying CEAS method to UV, VIS, and IR spectroscopy sensors
Autorzy:: Wojtas, J.
Mikołajczyk, J.
Nowakowski, M.
Rutecka, B.
Medrzycki, R.
Bielecki, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/200113.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: CEAS
N2O
NO
NO2 detection
optoelectronic sensor
Opis:: In the paper, several applications of Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy (CEAS) for trace mater detection are described. NO2 sensor was constructed using this technique with blue-violet lasers (395–440 nm). The sensor sensitivity reaches the level of single ppb and it was applied in security portal. For detection of two gases at the same time, two-channel sensor was constructed. Used method allows a significant reduction in the cost of optoelectronic CEAS sensor designed to measure of concentrations of many gases simultaneously. Successful monitoring of N2O and NO in the air requires high precision mid-infrared spectroscopy. The constructed sensors are able to measure concentration at ppb level. These sensors might be used for monitoring of atmospheric purity as well as for detection of explosives.
Źródło:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 4; 415-418
0239-7528
Pojawia się w:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Very Sensitive Optical System with the Concentration and Decomposition Unit for Explosive Trace Detection
Autorzy:: Zakrzewska, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/220790.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: explosives trace detection
NO2 optoelectronic sensor
concentration and thermal decomposition
Opis:: The vapour pressure of most explosives is very low. Therefore, the explosive trace detection is very difficult. To overcome the problem, concentration units can be applied. At the Institute of Optoelectronics MUT, an explosive vapour concentration and decomposition unit to operate with an optoelectronic sensor of nitrogen dioxide has been developed. This unit provides an adsorption of explosive vapours from the analysed air and then their thermal decomposition. The thermal decomposition is mainly a chemical reaction, which consists in breaking up compounds into two or more simple compounds or elements. During the heating process most explosive particles, based on nitro aromatics and alkyl nitrate, release NO2 molecules and other products of pyrolysis. In this paper, the most common methods for the NO2 detection were presented. Also, an application of the concentration and decomposition unit in the NO2 optoelectronic sensor has been discussed.
Źródło:: Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 1; 101-110
0860-8229
Pojawia się w:: Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Bramka bezpieczeństwa z optoelektronicznym czujnikiem NO2
Project of security portals for explosives detection using CEAS sensor
Autorzy:: Wawer, J.
Bielecki, Z.
Mikołajczyk, J.
Wojtas, J.
Mędrzycki, R.
Nowakowski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/155348.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: czujnik optoelektroniczny
CEAS
detekcja NO2
bramka bezpieczeństwa
optoelectronic sensor
NO2 detection
security portal
Opis:: W pracy przedstawiono projekt bramki bezpieczeństwa umożliwiającej wykrywanie śladowych ilości par wybranych materiałów wybuchowych. W tym celu opracowano optoelektroniczny sensor ditlenku azotu. W sensorze tym zastosowano metodę spektroskopii strat we wnęce optycznej, zaliczanej do metod o najwyższej czułości. Prezentowany system może być stosowany do kontroli wejść w strategicznych obiektach państwowych i wojskowych oraz użyteczności publicznej, szczególnie o dużym nasileniu ruchu, takich jak lotniska, porty, dworce, stacje metra, itp.
This paper presents a security gateway that allows detection of trace amounts of selected explosives. Most explosives are nitro compounds containing the group-NO2 (Fig. 1) which decompose emitting trace amounts of nitrogen oxides. The optoelectronic sensor designed to detect nitrogen dioxide operates on a basis of the Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy (CEAS) method. The CEAS technique is a modification of Cavity Ring Down Spectroscopy (CRDS) technique. It is based on off-axis arrangement of an optical cavity. The gas concentration in this method is determined by measuring the intensity of optical radiation reaching the detector (photomultiplier tube) caused by absorption of radiation λ = 416 nm, Fig. 2, of the gas filling the optical cavity. Fig. 3 shows the measuring system. Preliminary measurement results are illustrated in Fig. 6 which shows the dependence of the decay time of optical radiation in the optical cavity on the concentration of NO2 in the gas filling the cavity. The NO2 detection limit is set at 1 ppb, with the uncertainty of 10%. The presented portal is likely to become a very effective tool for explosives detection. Therefore it could be used to control entries of important objects e.g. airports, government buildings, skyscrapers, military bases, and so on. (Project of the security portals for explosives detection using CEAS sensor).
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2012, R. 58, nr 3, 3; 245-248
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Wielokanałowy, optoelektroniczny system do pomiaru stężenia gazów
The multichannel, optoelectronic gas sensor system based on interferometric nanostructures with gasochromic thin films
Autorzy:: Maciak, E.
Opilski, Z.
Pustelny, T.
Urbańczyk, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/154779.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: optyczny czujnik gazu
optoelektroniczny system pomiarowy
nanostruktura sensorowa
optical gas sensor
optoelectronic gas sensor system
sensing nanostructure
optical interferometric structure
Opis:: W pracy przedstawiono nowatorski wielokanałowy, optoelektroniczny system pomiarowy i sposób pomiaru stężenia gazów przemysłowych i toksycznych. Mierzony analit gazowy może być różny w zależności od zastosowanej interferencyjnej nanostruktury sensorowej. Pomiar odbywa się w gazowym środowisku pomiarowym. Niniejsze rozwiązanie optoelektronicznego, gazowego systemu pomiarowego wykorzystuje interferencyjne, optyczne nanostruktury sensorowe zawierające w swej konstrukcji cienkie warstwy receptorowe z optycznie czynnych materiałów. Zatem, optyczna głowica sensorowa zmienia swoje parametry optyczne w wyniku oddziaływania z badanym analitem gazowym.
In the paper the multichannel, optoelectronic gas sensor system based on interferometric, gasochromic nanostructures is presented. The silicon colour sensor TCS230 detects the intensity and change of colour coordinates RGB of an optical signal resulting from exposure of the sensing structure to a specific type of gas. Using multichannel measurement, one can simultaneously detect different gas or analyte molecules in the sample by immobilizing different optical receptor thin films (nanostructures) at different channels. Each optical sensing channel consists of three parts: the input port which includes a broadband light source: "warm" white LED, multi-layered sensing nanostructure: interferometric and gasochromic, the output port including a silicon colour sensor TCS230 detecting the intensity and change of colour coordinates RGB of an optical signal resulting from the sensing structure exposure to a specific type of gas. At the sensing window, on the glass substrate there are immobilized nanostructures being chemo-optical, gasochromic and interferometric transducer receptors, which can selectively interact with a specific type of gas molecules present in the gas mixture. When a physical-chemical binding process takes place on the sensing window of the measuring channel, an interferometric colour of the sensing element (nanostructure) changes and colour coordinates of the measured optical signal change as well. The change of the colour coordinates is proportional to the change of the effective refractive index of the receptor structure (particularly refractive index of the resonance cavity). By measuring the intensity change of the optical signal RGB, the refractive index change ?n taking place in the measuring window can be calculated and the concentration of a specific gas in the gas mixture can be measured.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 7, 7; 799-802
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "optoelectronic sensor" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język