Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "monokryształy" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 27
Tytuł:
Jan Czochralski – pionier światowej elektroniki i inżynierii materiałowej
Autorzy:
Jakubiak, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/608282.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Historii im. Tadeusza Manteuffla PAN w Warszawie
Tematy:
biography
discovery
electronics
materials engineering
single crystals
collaboration
biografia
odkrycia naukowe
elektronika
inżynieria materiałowa
monokryształy
kolaboracja
Opis:
The purpose of this paper is to present a biography of Jan Czochralski – one of the world famous scientist of the twentieth century. His main discovery was a method of obtaining single crystals or monocrystalline; the method is nowadays used for production of VLSI/ ULSI circuits. After the Second World War, Czochralski was accused of collaboration with the Germans. The accusation was groundless. In 2019, the Czochralski Method received the IEEE Milestone Award.
Artykuł ma na celu przedstawienie sylwetki Jana Czochralskiego, światowej sławy naukowca XX w. Jego głównym osiągnięciem było wynalezienie metody uzyskiwania monokryształów, do dziś stosowanej w produkcji układów scalonych wielkiej skali integracji. Po zakończeniu II wojny światowej Czochralski całkowicie bezpostawnie został oskarżony o kolaborację z Niemcami. W 2019 r. the Institute of Electrical and Electronics Engineers przyznał metodzie Czochralskiego najwyższej rangi miano Milestone (Kamień Milowy).
Źródło:
Dzieje Najnowsze; 2020, 52, 2
0419-8824
Pojawia się w:
Dzieje Najnowsze
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparative study of the color centers in some fluoride single crystals
Autorzy:
Kaczmarek, Sławomir M.
Bensalah, Amina.
Boulon, Georges.
Kwaśny, Mirosław.
Warchoł, Stanisław.
Drozdowski, Winicjusz.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2005, nr 1, s. 29-44
Data publikacji:
2005
Tematy:
Monokryształy badanie
Absorpcja
Opis:
Porównawcze badania centrów barwnych niektórych monokryształów fluorków.
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Badania generacji impulsowej monokryształów KGW domieszkowanych Er|3|+ i Yb|3|+ do mikrolaserów "bezpiecznych dla wzroku"
Autorzy:
Mierczyk, Zygmunt (1956- ).
Młyńczak, Jarosław.
Kopczyński, Krzysztof.
Majchrowski, Andrzej.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2007, nr 1, s. 179-188
Data publikacji:
2007
Tematy:
Monokryształy badanie
Lasery
Opis:
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Influence of ~^-radiation on Dy[3+] doped LiNbO[3] single crystals
Autorzy:
Kaczmarek, S. M.
Łukasiewicz, T.
Pracka, I.
Jabłoński, R.
Boulon, G.
Kaczmarek, B.
Warchoł, S.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 1998, nr 7-8, s. 101-112
Data publikacji:
1998
Tematy:
Monokryształy
Kryształy
Promieniowanie
Chemia
Opis:
Wpływ promieniowania gamma na domieszkowane Dy[3+] monokryształy LiNbO[3].
Rys.; bibliogr.; Abstr., Rez., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Badania generacyjne monokryształów KGW domieszkowanych Er|3+ i Yb|3+ do mikrolaserów cw "bezpiecznych dla wzroku"
Autorzy:
Mierczyk, Zygmunt (1956- ).
Młyńczak, Jarosław.
Kopczyński, Krzysztof.
Majchrowski, Andrzej.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2006, nr 4, s. 7-20
Data publikacji:
2006
Tematy:
Monokryształy badanie
Lasery badanie
Optoelektronika
Opis:
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Badanie własności optycznych i spektroskopowych monokryształów wolframianów domieszkowanych jonami Er i Yb -- nowych ośrodków aktywnych do mikrolaserów "bezpiecznych dla oka"
Autorzy:
Mierczyk, Zygmunt (1956- ).
Młyńczak, Jarosław.
Kopczyński, Krzysztof.
Majchrowski, Andrzej.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2005, nr 12, s. 53-77
Data publikacji:
2005
Tematy:
Monokryształy badanie
Lasery
Opis:
Rys., tab.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Growth and characterization of Cr:SrGdGa[3]O[7] and Cr:SrLaGa[3]O[7] single crystals
Autorzy:
Kaczmarek, Sławomir Maksymilian.
Berkowski, Marek.
Jabłoński, Ryszard.
Pracka, Izabella.
Kwaśny, Mirosław.
Świrkowicz, Marek.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 1998, nr 7-8, s. 141-150
Data publikacji:
1998
Tematy:
Monokryształy
Kryształy
Opis:
Wzrost i charakteryzacja monokryształów Cr:SrGdGa[3]O[7] oraz Cr:SrLaGa[3]O[7].
Rys.; bibliogr.; Abstr., Rez., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
Autorzy:
Kamiński, P.
Kwestarz, M.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
wysokorezystywne monokryształy krzemu
FZ
domieszkowanie azotem
high-resistivity silicon single crystals
nitrogen doping
Opis:
W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie własności optycznych i spektroskopowych ośrodków aktywnych domieszkowanych jonami Er|3+ i Yb|3+ do mikrolaserów "bezpiecznych dla oka"
Autorzy:
Młyńczak, Jarosław.
Kopczyński, Krzysztof.
Mierczyk, Jadwiga.
Majchrowski, Andrzej.
Włodarski, Maksymilian.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2008, nr 1, s. 51-69
Data publikacji:
2008
Tematy:
Monokryształy badanie
Lasery badanie
Optoelektronika
Opis:
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Numerical Simulation of Directional Solidification Process of Single Crystal Ni- Based Superalloy Casting
Autorzy:
Szeliga, D.
Kubiak, K.
Sieniawski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/383046.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
single crystal
superalloys
nickel based superalloys
ProCAST
casting defects
numerical simulation
monokryształy
superstopy
nikiel
wady odlewu
symulacja numeryczna
Opis:
The analysis of influence of mould withdrawal rate on the solidification process of CMSX-4 single crystal castings produced by Bridgman method was presented in this paper. The predicted values of temperature gradient, solidification and cooling rate, were determined at the longitudinal section of casting blade withdrawn at rate from 1 to 6mm/min using ProCAST software. It was found that the increase of withdrawal rate of ceramic mould results in the decrease of temperature gradient and the growth of cooling rate, along blade height. Based on results of solidification parameter G/R (temperature gradient/solidification rate), maximum withdrawal rate of ceramic mould (3.5 mm/min), which ensures lower susceptibility to formation process of new grain defects in single crystal, was established. It was proved that these defects can be formed in the bottom part of casting at withdrawal rate of 4 mm/min. The increase of withdrawal rate to 5 and 6 mm/min results in additional growth of susceptibility of defects formation along the whole height of airfoil.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2017, 17, 2; 111-118
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure and properties of Zn-Ti0.2-Cu0.15 single crystal containing eutectic precipitates
Struktura i własności monokryształów Zn-Ti0.2-Cu0.15 zawierających wydzielenia eutektyczne
Autorzy:
Boczkal, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356973.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
hexagonal single crystals
primary phase
eutectic precipitates
monokryształy
faza podstawowa
własności eutektyczne
Opis:
Some structure observations for the Zn-Ti0.2Cu0.15 single crystal obtained by the Bridgman method are presented. The structure contains (Zn) - phase with inclusions of Zn16Ti inter-metallic compound. The Zn16Ti intermetallic compound is localized within the eutectic precipitates. A morphology of the Zn16Ti compound varies according to the solidification condition imposed during the single crystal growth. The block, great size particles are a characteristic element for the alloy which composition is situated nearly the eutectic point in the phase diagram. These particles were not observed previously in the hypoeutectic Zn-Ti alloys. Mechanical properties of the obtained single crystals are also investigated. Critical resolved shear stress (CRSS) during deformation in a basal slip system (0001)<11-20>is determined. The changes of the CRSS for the Zn-Ti.0.2Cu0.15 single crystals within the range of temperatures from 200K to 370K are presented. The obtained data are compared with previously investigated results for the (Zn) single crystals containing lower (hypoeutectic) titanium addition.
W pracy przedstawiono wyniki badań strukturalnych i mechanicznych monokryształów Zn-Ti0.2Cu0.15 otrzymanych metodą Bridgmana. Struktura badanego stopu składała się z monokrystalicznej osnowy - fazy (Zn) oraz cząstek fazy międzymetalicznej Zni6Ti. Cząstki fazy międzymetalicznej Zn16Ti zlokalizowane były wewnątrz eutektyki Morfologia fazy Znj6H ulegała zmianom w zależności od warunków krystalizacji zastosowanych podczas wzrostu monokryształów. Blokowe cząstki o dużych rozmiarach stanowiły charakteiystyczny element struktury stopu o składzie zbliżonym do punktu eutektycznego na diagramie fazowym, i nie były wcześniej obserwowane dla monokryształów podeutektycznych stopów Zn-Ti oraz Zn-Ti-Cu. Zbadano własności mechaniczne otrzymanych monokryształów. Wyznaczono krytyczne naprężenie ścinające (KNŚ) osiągane podczas deformacji próbek w systemie łatwego poślizgu (0001 )< 11 -20>. KNŚ kiyształów Zn-Ti0.2Cu0.15 wyznaczane w za- kresie temperatury od 200K do 370K osiągało wartości odpowiednio od 12 MPa do 6 MPa. Uzyskane wyniki porównano z rezultatami wcześniejszych badań na monokryształach (Zn) z podeutektyczną zawartością tytanu.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1019-1022
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
GAMMA-induced sensibilization of lasing properties of Y[3]AL[5]O[12] single crystals doped with Er[3+]ions
Autorzy:
Kaczmarek, Sławomir.
Matkovskij, A.O.
Sugak, D.YU.
Durygin, A.N.
Kopczyński, Krzysztof.
Mierczyk, Zygmunt (1956- ).
Frukacz, Zygmunt.
Łukasiewicz, Tadeusz.
Šachov, A.P.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 1996, nr 8, s. 85-91
Data publikacji:
1996
Tematy:
Promieniowanie
Krystalografia
Monokryształy
Opis:
Rys.; Wpływ promieniowania gamma na optyczne i laserowe własności monokryształów Y[3]Al[5]O[12] domieszkowych jonami Er[3+]; bibliogr.; Abstr., Rez., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 27

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies