Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "high aspect ratio" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    The capabilities of electrodischarge microdrilling of high aspect ratio holes in ceramic materials
    Autorzy:
    Skoczypiec, S.
    Machno, M
    Bizoń, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/407299.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    microdrilling
    electrodischarge machining (WEDM)
    ceramic materials
    siliconized silicon carbide
    SiSiC
    Opis:
    In the first part of the article the review of ceramic materials drilling possibilities was presented. Among the described methods special attention is paid to electrodischarge drilling. This process have especially been predicted for machining difficult-to-cut electrically conductive materials. The second part consist of the results analysis of electrodischarge microdrilling of siliconized silicon carbide. The experiment involves the impact of current amplitude, discharge voltage and pulse time on the hole depth, side gap, linear tool wear and mean drilling speed. The results shows that electrodischarge drilling is a good alternative when machining inhomogeneous ceramic materials and gives possibility to drill high aspect ratio holes with relatively high efficiency (the drilling speed >2 mm/min).
    Źródło:
    Management and Production Engineering Review; 2015, 6, 3; 61-69
    2080-8208
    2082-1344
    Pojawia się w:
    Management and Production Engineering Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High aspect ratio graphene nanosheets cause a very low percolation threshold for polymer nanocomposites
    Autorzy:
    Jan, R.
    Habib, A.
    Abbasi, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1061875.pdf
    Data publikacji:
    2016-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Tm
    Opis:
    Liquid exfoliated, high aspect ratio (1272) graphene nanosheets (GNS) are dispersed in thermoplastic polyurethane (TPU) to prepare range of nanocomposites. A three fold increase in direct current conductivity is recorded at 0.0055 volume fraction (V_{f}) of GNS-TPU composites as compared to pristine TPU. It is suggested that the percolation threshold for conducting network achieved at low filler loadings is due to the high aspect ratio and homogeneous dispersion of GNS within the polymer. The experimental results are interpreted using interparticle distance model and modified power law. The two models predict threshold filler loading in 0.015-0.001 range volume fraction GNS based on the average values of mean length and no. of layers per nanosheet. The experimental results favor modified power law as it relies on aspect ratio of fillers. A slight deviation in our study from modified power law may be due to aggregation in as prepared GNS.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 4; 478-481
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu
    Bosch process for silicon plasma etching
    Autorzy:
    Góra, K.
    Kozłowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192230.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    proces Boscha
    ICP
    trawienie plazmowe krzemu
    współczynnik kształtu
    Bosch process
    plasma etching
    high aspect ratio
    silicon etched profile
    Opis:
    W pracy opisano wielostopniowy proces plazmowy powszechnie znany jako proces Boscha. Składa się on z wielokrotnie powtarzanych sekwencji kroków trawienia i pasywacji. Dzięki temu można otrzymać w krzemie bardzo głębokie struktury o wysokim współczynniku kształtu. Proces zaimplementowano na urządzeniu Alcatel 601E. Końcowym efektem opracowanej procedury jest wytrawiony profil o wysokim współczynniku kształtu, pionowych ścianach i gładkiej powierzchni.
    This paper reports on two step time multiplexed plasma etch process, widely known as a Bosch process. The Bosch process was implemented on Alcatel 601E plasma reactor. On the basis of this patented process we created the procedure to achieve high aspect ratio submicron trenches in silicon. A deep silicon etching Bosch process in ICP reactive ion plasma reactor was based on SF6/C4F8 chemistry. Process consists of two alternating etching and deposition cycles. In thirst step, SF6 a very effective source of F* radicals is responsible for etching. In second step C4F8 gas creates polymers layer that protect side wall from lateral etching. This technique consisting of series alternating etch and deposition cycles(each lasts only a few seconds) produces high aspect ratio features. The etch rate and thickness of deposition layer are controlled by gas flow and cycle time, respectively. Created recipe can be used to etch silicon high aspect ratio features with smooth vertical walls.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 31-34
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature Dependence of Photoluminescence from Epitaxial InGaAs/GaAs Quantum Dots with High Lateral Aspect Ratio
    Autorzy:
    Musiał, A.
    Sęk, G.
    Maryński, A.
    Podemski, P.
    Misiewicz, J.
    Löffler, A.
    Höfling, S.
    Reitzenstein, S.
    Reithmaier, J.
    Forchel, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492876.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.67.Hc
    65.80.-g
    Opis:
    Hereby, we present a study of a thermal quenching of emission from self-assembled epitaxial highly asymmetric quantum dots in InGaAs/GaAs material system for both ensemble and single dot regime. Pronounced interplay between the intensity of wetting layer and quantum dots originated emission was observed as the temperature was increased, evidencing a thermally activated energy transfer between the two parts of the system and an important role of the wetting layer in determining the optical properties of these anisotropic nanostructures. The carrier activation energies have been derived and possible carrier loss mechanisms have been analyzed. Single dot study revealed activation energies slightly varying from dot to dot due to size and shape distribution. The problem of the shape uniformity of individual quantum dot has also been addressed and possibility of additional carrier localization within the investigated structures has been found to be insignificant based on the recorded spectroscopic data.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 883-887
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies