Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "doping electrical properties" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
    Growth of gallium antimonide single crystals in and directions by Czochralski method
    Autorzy:
    Mirowska, A.
    Orłowski, W.
    Bańkowska, A.
    Hruban, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192038.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaSb
    monokrystalizacja
    domieszkowanie
    własności elektryczne
    crystal growth
    doping electrical properties
    Opis:
    Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
    The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 3-15
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
    Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kwestarz, M.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    wysokorezystywne monokryształy krzemu
    FZ
    domieszkowanie azotem
    high-resistivity silicon single crystals
    nitrogen doping
    Opis:
    W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
    This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The effect of fluorine and tungsten co-doping on optical, electrical and structural properties of tin (IV) oxide thin films prepared by sol–gel spin coating method
    Autorzy:
    Keskenler, E F
    Turgut, G
    Aydin, S.
    Dogan, S
    Duzgun, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/175016.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    tin (IV) oxide (SnO2)
    fluorine (F) and tungsten (W) co-doping
    sol-gel
    Opis:
    Fluorine and tungsten co-doped tin (IV) oxide (WFTO) thin films have been prepared first time by a sol–gel spin coating method. The effect of F and W co-dopant ratio on optical, electrical and structural properties of SnO2 was investigated. It was found that the optical properties of the films were obviously affected by the co-dopant ratio. When the F:W co-dopant ratio increases from 0.25:0.25 to 0.75:0.50, the transmittance in the short wavelengths slightly increases and transmittance edge shifts towards shorter wavelength. With an increase in the co-dopant ratio, the reduction and red shifts in the optical transmittance edge are very obvious at all wavelengths. Transmittance values at 550 nm for the films have varied between 79.64% and 50.20%. The indirect and direct band gap values for WFTO-1, WFTO-2, WFTO-3 and WFTO-4 samples were calculated to be 3.73, 3.79, 3.48, 3.40 eV and 4.03, 4.04, 3.98, 3.97 eV, respectively. The crystal structure of the films has been investigated by X-ray diffraction patterns. It has been observed that WFTO-1 and WFTO-2 samples have (111) preferential orientation corresponding to SnO2 cubic phase. This orientation almost disappears and changes to tetragonal phase (110) orientation for WFTO-3 and WFTO-4. To the best of our knowledge, this is the first cubic structure observation for SnO2 grown by the sol–gel technique. The electrical properties were also changed with co-doping ratio. The best optical, electrical and structural properties were obtained for mole ratio 0.75:0.50 (F:W).
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 4; 663-677
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Improvement of Electrical Properties of Hg$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Se upon Doping with Fe
    Autorzy:
    Dobrowolski, W.
    Grodzicka, E.
    Kossut, J.
    Witkowska, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921589.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    72.20.Fr
    71.55.Fr
    Opis:
    Results of measurements of electron concentration and mobility in mixed crystals of Hg$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.07) doped with resonant Fe donors (0 ≤ n$\text{}_{Fe}$ ≤ 5 × 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$) at liquid helium temperatures are presented. The data show that there is a considerable improvement of the electrical properties of the material when Fe impurities are present. The analysis of the mobility in terms of the scattering from ionized centers (accounting for possible spatial correlation of impurity charges) and the alloy scattering is in agreement with the measured data.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 681-684
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparative study of Sb₂O₃ (Sb₂O₅) and Ta₂O₅ doping effects with TeO₂ on electrical properties of δ-Bi₂O₃
    Autorzy:
    Loubbidi, L.
    Chagraoui, A.
    Villain, S.
    Bourja, L.
    Orayech, B.
    Ait Sidi Ahmed, O.
    Moussaoui, A.
    Tairi, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1154652.pdf
    Data publikacji:
    2016-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Je
    82.47.Ed
    Opis:
    In this study, Sb₂O₃ (Sb₂O₅) and Ta₂O₅ are used as co-dopants with TeO₂ to stabilize the delta phase of bismuth oxide (δ -Bi₂O₃). Some compositions with formula (1-x) BiO_{1.5}-(x/4) Sb₂Te₂O₉ and (1-x) BiO_{1.5}-(x/4) Ta₂Te₂O₉ (x=0.1, 0.2, 0.3, 0.6, and 0.9) have been synthesized by solid state reaction at 850°C and characterized by powder X-ray diffraction. The Bi_{0.9}Sb_{0.05}Te_{0.05}O_{1.575}, Bi_{0.9}Ta_{0.05}Te_{0.05}O_{1.575} and Bi_{0.8}Ta_{0.1}Te_{0.1}O_{1.65} retain a cubic fluorite structure of δ -Bi₂O₃ phase. The electric properties were studied by impedance spectroscopy. All samples were evaluated by calculating conductivities and activation energies. Various impedance model including constant phase element and the Warburg impedances have been used to interpret the Nyquist representations of electrical analyses.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 862-865
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    An overview of current research trends on graphene and it’s applications
    Autorzy:
    Krishna, R. S.
    Mishra, Jyotirmoy
    Das, Shaswat Kumar
    Mustakim, Syed Mohammed
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1068613.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    Concrete
    Doping
    Electrical
    Graphene
    Material
    Mechanical
    Properties
    Sustainability
    Opis:
    Graphene is no doubt called a wonder-material due to its outstanding superlative traits. It has its application near about in every field. Its properties are extraordinary and different from any day-to-day material. Albeit bearing such qualities, its structure is rather simple than most individuals cerebrate of. It has a thickness of an atom. It is a two-dimensional carbon arranged in a honeycomb crystal structure. It could transmute the way we view, in numerous fields of science. Its applications can be an asset to a greener environment for which Graphene engineered cement/concrete composites have an immense potential in the present times when sustainable construction materials are the need of the hour. Graphene can act as a good adsorbent for pollutant abstraction due to its high surface area. Either alone or in coalescence with different materials, it very well may be used for the debasement or deliberation of a sizably voluminous assortment of contaminants through a few strategies. Incipient heights can be achieved as the list of operations for graphene is virtually illimitable. Utilization of graphene in the coming years will give inundating difference to current technologies. This paper fixates on the applications and developments of Graphene in fields like Electronics, Batteries, Filtration, Medicine, Construction, and Composites.
    Źródło:
    World Scientific News; 2019, 132; 206-219
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies