Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "domieszkowanie" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 21
Tytuł:
Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method
Emisja polowa i charakterystyka mikrostruktury warstw diamentowych nanoszonych przy użyciu metody HF CVD
Autorzy:
Jarzyńska, D.
Staryga, E.
Znamirowski, Z.
Fabisiak, K.
Gotszalk, T.
Woszczyna, M.
Strzelecki, W.
Dłużniewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296561.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
warstwa diamentowa
domieszkowanie
emisja elektronowa
diamond film
doping
electron emission
Opis:
Electron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.
Przeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 13-26
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni
Determination of nitrogen concentration in Czochralski silicon crystals from the far infrared absorption spectra
Autorzy:
Możdżonek, M.
Zabierowski, P.
Majerowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192279.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
monokryształ krzemu
domieszkowanie kryształów krzemu
metoda Czochralskiego
widmo absorpcyjne
daleka podczerwień
Opis:
Monokryształy krzemu otrzymane metodą Czochralskiego (Cz - Si) domieszkowano azotem poprzez wzrost w atmosferze Ar + N2. Wykonując pomiary absorpcji optycznej po izotermicznych wygrzewaniach zbadano proces generacji płytkich donorów termicznych (STDs) związanych z kompleksami N[indeks dolny]i-O[indeks dolny]mi. Określono warunki procesów termicznych, w których koncentracja defektów ulega nasyceniu ( 650°C min. Igodz. lub 600°C min. 3 godz.). Przedstawiono metodę określania koncentracji azotu w monokryształach Cz - Si w zakresie l x 10[indeks górny]13 ≥ [N] < 5 x 10[indeks górny]14 at.cm-³ opartą o pomiar absorpcji w zakresie dalekiej podczerwieni w niskich temperaturach.
The nitrogen doping of Czochralski silicon crystals was accomplished by adding a small amount of N[sub]2 gas to the argon ambient in the growth chamber. The generation process of shallow thermal donors (STDs) attributed to N[sub]i-O[sub]mi complexes with the measurement of their optical absorption after isothermal annealing was investigated. On the basis of the obtained results, we proposed the annealing conditions when concentration of complexes reaches a saturated value (650°C, min. 1 h or 600°C, min. 3 h). We have defined the method for the quantitative measurement of nitrogen in CZ silicon crystals by means of low temperature Fourier transform infrared spectroscopy (LT-FTIR), based on measurement in the far-infrared range. This method can be used for the detection of the nitrogen concentration in the range of 1 x l0[sup]13 - 5 x l0[sup]14 at.cm-³.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 31-46
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dye decomposition on P25 with enhanced adsorptivity
Autorzy:
Janus, M.
Wawrzyniak, B.
Tryba, B.
Morawski, A.W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/779704.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
fotokatalizator
N-domieszkowanie
dwutlenek tytanu
barwnik azowy
visible-light active photocatalyst
N-doped
titanium dioxide
azo dye
Opis:
The preparation method and the activity of the TiO2-P25/N doped photocatalyst based on commercial titanium dioxide (TiO2 AeroxideŽ P-25 Degussa, Germany) are presented. For the TiO2-P25/N preparation TiO2-P25 and gaseous ammonia were kept in a pressure reactor (10 bars) for 4 hours at the temperature of 200°C. This modification process changed the chemical structure of the TiO2 surface. The formation of NH4+ groups was confirmed by the FTIR measurements. Two bands in the range of ca. 1430 - 1440 cm-1 attributed to bending vibrations of NH4+ could be observed on the FTIR spectra of the catalysts modified with ammonia and the band attributed to the hydroxyl groups at 3300 - 3500 cm-1, which were not reduced after N-doping. The photocatalytic activity of the photocatalysts was checked through the decomposition of two dyes under visible light irradiation. The modified TiO2 thus prepared samples were more active than TiO2-P25 for the decomposition of dyes under visible light irradiation.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2008, 10, 2; 11-16
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanoproszki YAG domieszkowane cerem o właściwościach luminescencyjnych
Ceria doped YAG nanopowders with luminescent properties
Autorzy:
Węglarz, H.
Wajler, A.
Tomaszewski, H.
Librant, Z.
Diduszko, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192425.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
granat itrowo-glinowy
nanoproszek YAG
domieszkowanie cerem
właściwość luminescencyjna
Opis:
Przedmiotem prezentowanej pracy były badania procesu wytwarzania proszków granatu itrowo-glinowego domieszkowanego cerem (Ce:YAG) metodą współstrącania i prażenia oraz oznaczenie ich właściwości luminescencyjnych. Badaniom poddano proszki o dwóch poziomach zawartości domieszki aktywnej: 0,2 at.% i 2 at.%. Dla porównania, tą samą metodą wykonano proszki niedomieszkowane. Na podstawie przeprowadzonych badań stwierdzono, iż współstrącanie azotanów glinu i itru w przypadku częściowego podstawienia kationu itru cerem przebiega inaczej. Prekursor Ce:YAG składa się z trzech faz: Al5(OH)13(CO3)ܫH2O, Y(OH)3 i AlOOH, podczas gdy w przypadku proszku współstrąconego bez domieszki jedyną krystaliczną fazą jest NH4AlY0,6(CO3)1,9(OH)ܦ,8H2O. Odmienny skład prekursorów ma wpływ na przebieg ich rozkładu termicznego. Uzyskanie jednofazowego nanoproszku Ce:YAG jest możliwe dopiero po wygrzaniu prekursora w powietrzu w 1700°C/2h, podczas gdy proszek niedomieszkowany już w temperaturze 1100°C jest jednofazowym YAG. Obniżenie temperatury kalcynacji Ce:YAG można uzyskać stosując wygrzewanie w próżni. Charakterystyki emisyjne badanych proszków zależą od ich składu fazowego. W przypadku obecności faz YAM i YAP obok piku charakterystycznego dla YAG na widmach luminescencji pojawiają się dodatkowe efekty. Widmo luminescencji proszku 2% Ce:YAG wygrzanego w temperaturze 1500°C w próżni jest niemal identyczne z widmem monokryształu Ce: YAG zarówno pod względem położenia maksimum, jak i jego kształtu.
The aim of presented work was to study formation processes of ceria-doped yttrium aluminium garnet (Ce:YAG) powders by co-precipitation and calcination. Two levels of active ion doping (0.2 at.% and 2 at.%) were studied. For comparison, undoped YAG precursors powders were prepared using the same preparation route. As found, co-precipitation process of powders doped with ceria follows another path than the powders undoped, which results in another phase composition of powders precursors. XRD shows that Ce:YAG precursor is a mixture of Al5(OH)13(CO3)ܫH2O, Y(OH)3 and AlOOH while udoped YAG precursor consists of only one crystalline phase - NH4AlY06(CO3)19(OH)ܦ,8H2O. Difference in composition of precursors influence on their thermal decomposition (Fig. 2-3). Single phase YAG powder was obtained by calcination of undoped precursor at 1100°C in air (Fig. 4). For the same result ceria doped precursor had to be annealed to much higher temperature - 1700°C (Fig. 5-6). Single phase Ce: YAG has been obtained for ceria doped powders by annealing in vacuum at 1500°C (Fig. 9). Emission characteristics of powders depends on powders phase compositions. When YAM and YAP phases are detected in powders additional peaks connected with these phases are observed in luminescence spectra (Fig. 13-14). Emission characteristics of 2% Ce:YAG powder annealed in vacuum at 1500°C is almost identical (both, in shape and maximum position) to the observed for Ce:YAG monocrystal (Fig. 15).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 2, 2; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reversible electron charge transfer in single-wall carbon nanotubes
Autorzy:
Costa, S.
Bachmatiuk, A.
Borowiak-Palen, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/779706.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
nanorurki węglowe jednościenne
domieszkowanie
Raman
SWCNT
doping
Opis:
Single-wall carbon nanotubes (SWCNT) have proved to be very special materials due to their unique electronic properties. Over the last years many scientists have dedicated their research to the study of the these materials as an electronic system. Amphoteric doping effects (n-type and p-type), which can be reversed, became a very popular way of manipulating the optic and electronic properties of carbon nanotubes. In the particular case of SWCNT, the most common and widely used procedure, which changes their properties, is acid treatment applied as a purification procedure. The effect of the addition of this kind of the dopant has been widely studied but not fully understood so far. Here, we present a study, of two kinds of SWCNT, produced within different techniques: (i) chemical vapors deposition and (ii) laser ablation. The main difference between the two types is the diameter distribution of the obtained materials, which is broad in the first technique and narrow in the second. After the acid treatment it is possible to observe a diameter sensitive doping effect on both samples. Resonance Raman spectroscopy, optical absorption spectroscopy (OAS) in UV/Vis/NIR and the Fourier transform middle-infrared (FTIR) spectroscopy have been applied for the characterization of the samples.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2008, 10, 2; 1-4
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Potentialities of modification of metal oxide varistor microstructures
Możliwości modyfikacji mikrostruktury warystorów tlenkowych
Autorzy:
Mielcarek, W.
Prociow, K.
Warycha, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192094.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
warystor ZnO
mikrostruktura
ceramika półprzewodnikowa
domieszkowanie
Bi2O3
ZnO varistor
microstructure
semiconducting ceramic
doping
Opis:
The electrical properties of varistors, similarly like posistors and other devices made of semiconducting ceramic, are controlled by grain boundaries. In varistor conductivity the main role play potential barriers which arise at grain boundaries during varistor sintering. The I-V behavior of varistor ceramic is such that during conduction the varistor voltage remains relatively constant while a current changes are of several orders of magnitude. Varistor is produced by sintering a mixture of ZnO with a small addition of Bi2O3 and other metal oxides. Varistor microstructure composes of ZnO grains. Each ZnO grain acts as it has a semiconducting junction at the grain boundary. The non-linear electrical behavior occurs at the boundary of each ZnO grain. The junctions between grains are separated by an intergranular phase. The best varistor performance is attained when the Bi-rich intergranular layer is of nanometer size. When the intergranular phase is in a shape of agglomerates embedding Bi2O3 crystal phases and spinel grains it forms areas excluded from conduction. The problem has been studied with emphasis on determining the relation between ZnO dopants and microstructure evolution. It was established that the vulnerability of varistor ceramic for formation of agglomerates depend on the composition of additive oxides. With SrO, MnO and PbO varistor ceramic is more susceptible for formation of agglomerates, while Co2O3, Sb2O3 and SnO2 facilitates the homogenous distribution of additives in varistor body. Elimination of an electrically inactive areas from varistor body would enable the decrease of the amount of additives (e.g. the amount of Bi2O3 would decrease from 1 mol % to 0.2 mol %) and bring about the diminishment of the cost of varistor processing along with improvement of varistor performance.
Własności elektryczne warystorów, podobnie jak pozystorów i innych wyrobów z ceramiki półprzewodnikowej, są kontrolowane przez ukształtowanie granicy ziaren. Ceramika warystorowa ZnO swoje niewłaściwości elektryczne zawdzięcza domieszce małej ilości innych tlenków metali. Mikrostruktura warystora rozwija się podczas spiekania. Głównym elementem mikrostruktury warystora są ziarna ZnO odseparowane od siebie cienką , bogatą w bizmut, warstwą międzyziarnową. Najlepsze własności elektryczne warystor wykazuje wtedy, kiedy warstwa ta jest możliwie cienka. Jeżeli warstwa ta jest w formie aglomeratów, a w dodatku zawiera w sobie wykrystalizowany Bi2O3 lub krystality innych związków to tworzy obszar wykluczony z przewodnictwa. W warystorze o takiej strukturze w czasie przepływu prądu dochodzi do miejscowych przegrzań i zakłóceń w działaniu. W pracy udowodniono doświadczalnie, że spiekając wstępnie tlenek bizmutu z tlenkami innych metali można wpływać na kształt warstwy miedzyziarnowej, a więc i na elektryczne własności warystora. Przeprowadzone doświadczenia dowiodły, że jeżeli Bi2O3 przed dodaniem do warystora spieczemy wstępnie z tlenkami Co, Sb lub Sn to tak zmodyfikowany tlenek bizmutu sprzyja równomiernemu rozprowadzeniu domieszek w warystorze przyczyniając się do eliminacji ze struktury warystora obszarów nieaktywnych elektrycznie. Natomiast wstępne modyfikowanie tlenku bizmutu tlenkami tzw. szkłotwórczymi jak PbO, SrO i MnO nie przynosi podobnego efektu.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 86-98
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
Growth of gallium antimonide single crystals in and directions by Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Bańkowska, A.
Hruban, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192038.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
monokrystalizacja
domieszkowanie
własności elektryczne
crystal growth
doping electrical properties
Opis:
Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 3-15
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192328.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Cz
Te
Si
Zn
koncentracja domieszek
GDMS
Cz method
doping
dopant concentration
Opis:
Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Domieszkowanie warstwy wierzchniej cegły węglikiem tantalu za pomocą światła lasera rubinowego
Laser ruby doping of the surface layer of brick with the tac
Autorzy:
Klemm, K.
Klemm, P.
Rożniakowski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/362611.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Fizyki Budowli Katarzyna i Piotr Klemm
Tematy:
laser rubinowy
cegła
węglik tantalu
domieszkowanie
modyfikacja warstwy wierzchniej
laser ruby
brick
tantalum carbide
doping
modified surface layer
Opis:
W pracy przedstawiono charakterystyczne wyniki badań domieszkowania warstwy wierzchniej cegły pochodzącej z obiektów zabytkowej Łodzi przemysłowej. Proces domieszkowania przeprowadzono za pomocą światła lasera rubinowego pracującego w układzie generacji swobodnej. Jako substancji domieszkującej użyto węglika tantalu w postaci proszku. Zaobserwowano w obszarze laserowego oddziaływania obszary w których węglik tantalu został wtopiony w warstwę wierzchnią a także obszary, w których występuje zjawisko laserowego platerowania.
The work presents the results of experimental examinations of the chemical composition of the brick samples (covered of tantalum carbide) before laser beam interaction. The samples are genesis from Łódź old age buildings, placed Wólczańska 215 street. The electron microscopy (SEM) end Energy Dispersive X-ray methods were used. Large differences between chemical composition of the surface layer melted by laser beam and before laser exposition were observed.
Źródło:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce; 2010, T. 5, nr 3, 3; 21-25
1734-4891
Pojawia się w:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Evaluation of growth conditions for 3 gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192136.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Czochralskiego
domieszkowanie
segregacja
defekty
in situ synthesis
Czochralski method
doping
segregation
defects
Opis:
Zbadano możliwość zwiększenia (do 3 cali) średnicy monokryształów antymonku galu (GaSb) w układzie termicznym niskociśnieniowego urządzenia wykorzystywanego do otrzymywania kryształów o średnicy 2 cale. Zmodyfikowano technologiczne warunki procesu krystalizacji umożliwiając otrzymanie kryształów o ciężarze ~ 1,9 kg i stabilnej średnicy. Opracowano warunki otrzymywania monokryształów antymonku galu o średnicy 3 cale zmodyfikowaną metodą Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na przebieg procesu monokrystalizacji oraz własności otrzymywanych kryształów. Przeprowadzono procesy krystalizacji zmodyfikowaną metodą Czochralskiego, jak też proces zintegrowany (synteza in-situ połączona z monokrystalizacją) uzyskując kryształy GaSb domieszkowane tellurem o koncentracji elektronów w zakresie od 2 x 1017cm-3 do 2 x 1018cm-3 . Zbadano koncentrację domieszki (metodą GDMS - Glow Discharge Mass Spectroscopy) rozkłady własności elektrycznych (pomiary hallowskie) i strukturalnych (pomiary EPD - Etch Pit Density) otrzymanych kryształów.
The possibility of growing gallium antimonide (GaSb) single crystals measuring 3 inches in diameter in a thermal system previously used for growing 2 - inch crystals was checked. Technological parameters modified for bigger crystals allowed obtaining GaSb crystals weighting ~ 1,9 kg and having a stable diameter ~ 80 mm. An integrated process of in-situ synthesis, modified Czochralski crystal growth as well as recrystallization process were performed. The influence of technological parameters on crystal growth was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals with the carrier concentration ranging between 2 x 1017cm-3 and 2 x1018cm-3 - were obtained. Electrical parameters were determined by Hall measurements, whereas the dopant concentration was estimated by carrying out the GDMS analysis and the structural quality by measuring the etch pit density (dislocation density).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 58-73
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reaktorowa instalacja neutronowego domieszkowania monokryształów krzemu
Autorzy:
Jaroszewicz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/214207.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
reaktor Maria
neutronowa modyfkacja materiałów
materiały półprzewodnikowe
neutronowe domieszkowanie krzemu
Źródło:
Postępy Techniki Jądrowej; 2012, 1; 16-25
0551-6846
Pojawia się w:
Postępy Techniki Jądrowej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie ditlenku tytanu domieszkowanego niemetalami w ogniwach fotowoltaicznych
Application of non-metal doped titanium dioxide in photovoltaic cells
Autorzy:
Siuzdak, K.
Vignau, L.
Lisowska-Oleksiak, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160061.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
barwnikowe ogniwa fotowoltaiczne
ogniwa fotowoltaiczne o odwróconej strukturze
ditlenek tytanu
domieszkowanie niemetalami
dye sensitized solar cells
organic inverted solar cells
titanium dioxide
non-metal doping
Opis:
Nowe, fotoaktywne materiały mają szczególne znaczenie w badaniach nad otrzymaniem wydajnych ogniw tzw. trzeciej generacji. W przypadku dwóch tego rodzaju urządzeń: barwnikowych ogniw fotowoltaicznych (ang. dye sensitized solar cells, DSSC) [1] czy ogniw organicznych o tzw. strukturze odwróconej (ang. inverted organic solar cells, I-PV) [2] bardzo ważną rolę odgrywa ditlenek tytanu. W ogniwach typu DSSC oraz I-PV zaproponowano wykorzystanie ditlenku tytanu domieszkowanego siarką (S-TiO2), azotem (N-TiO2) oraz jodem (I-TiO2) [3] – materiałów, które charakteryzują się węższą przerwą energetyczną niż czysty TiO2 i wykazują aktywność w świetle widzialnym. Domieszkowany TiO2 zastosowano jako cienką warstwę buforową (100 nm) w ogniwach organicznych o odwróconej strukturze, a jako warstwę porowatą (3 μm) w barwnikowych ogniwach fotowoltaicznych. Wykorzystanie N-TiO2 oraz I-TiO2 w ogniwach typu I-PV prowadzi do otrzymania wyższych wydajności konwersji energii promieniowania na energię elektryczną (odpowiednio PCE = 1,67% oraz 1,20%), niż gdy warstwę buforową ogniwa tworzył czysty ditlenek tytanu (PCE = 1,00%). Ponadto dla urządzeń z domieszkowanym TiO2 obserwuje się większą stabilność, która przejawiała się w zachowaniu wartości poszczególnych parametrów ogniwa (Voc, ISC, FF, PCE) przez najdłuższy okres czasu. Dla ogniw DSSC o konfiguracji FTO/X-TiO2/N3/elektrolit/Pt/FTO (X – atom domieszki, N3 – standardowy, handlowo dostępny barwnik), w których jedyną zmienną był rodzaj materiału anodowego, najwyższe wydajności otrzymano dla I-TiO2 (3,23%) oraz S-TiO2 (2,95%), a PCE dla urządzenia z warstwą czystego TiO2 wynosiło 1,69%.
New photoactive materials are of particular importance in studies on the third generation of photovoltaic cells. In the case of two such devices: dye sensitized solar cells (DSSC) [1] or inverted organic photovoltaic cells (I-PV) [2] titanium dioxide plays very important role. There are proposed application of titanium dioxide doped with sulfur (S-TiO2), nitrogen (N-TiO2) and iodine (I-TiO2) [3] – materials that have a narrower bandgap energy than pure titania and exhibit photoactivity under visible light. Doped titania dioxide was used as a thin buffer layer (100 nm) in inverted organic cells and as a porous layer (3 μm) in dye sensitized solar cells. The application of N-TiO2 and I-TiO2 in I-PV, leads to the higher photoconversion efficiency of radiation energy into electricity (PCE = 1.67% and 1.20%, respectively) in comparison to cells when buffer layer is made of pure titanium dioxide (PCE = 1.00%). Moreover, for devices with doped TiO2 there is observed greater stability, which is manifested as maintenance of photovoltaic parameters values (Voc, ISC, FF, PCE) for the longest period of time. For DSSC cells with configuration: FTO/X-TiO2/N3/ elektrolyte/Pt/FTO (X – dopant atom, N3 – a standard, commercially available dye), in which the only variable was the type of anode material, the highest efficiency was obtained for I-TiO2 (3.23%) and S-TiO2 (2.95%), and PCE for the device with a layer of pure TiO2 was 1.69%.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 35-36
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania właściwości fizykochemicznych i cytotoksyczności in vitro bioszkieł dotowanych Mg, Sr, Au
Study on physicochemical properties and in vitro cytotoxicity of bioglasses doped with Mg, Sr, Au
Autorzy:
Ciołek, L.
Karaś, J.
Olszyna, A.
Zaczyńska, E.
Czarny, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/392258.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Tematy:
biomateriał
bioszkło
domieszkowanie
właściwości fizykochemiczne
aktywność biologiczna
cytotoksyczność
metoda zol-żel
biomaterial
bioglass
doping
physical and chemical properties
biological activity
cytotoxicity
sol-gel method
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań wytworzonych bioszkieł w układzie CaO-SiO2-P2O5 dotowanych Mg lub Sr, lub Au. W ramach przeprowadzonych badań określono morfologię otrzymanych bioszkieł, a także ich bioaktywność w warunkach in vitro oraz oddziaływanie cytotoksyczne na komórki L929. Ponadto, bioszkło dotowane Au poddano badaniu przy użyciu mikroskopu transmisyjnego z analizą EDS. Stwierdzono, że wytworzone bioszkła in vitro w kontakcie z symulowanym płynem fizjologicznym (SBF) są bioaktywne oraz nie oddziałują cytotoksycznie na komórki L929
This paper presents the results of research on bioglasses in the system CaO-SiO2-P2O5 doped with Mg, Sr and Au. Within the study the morphology of the bioglasses and in vitro bioactivity and cytotoxic effect on L929 cells were determined. Au doped bioglass was examined using transmission electron microscopy with EDS analysis. It was found that the produced bioglasses were bioactive in contact with simulated body fluid (SBF) and were no toxic on L929 cells in vitro tests.
Źródło:
Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2014, R. 7, nr 16, 16; 17-28
1899-3230
Pojawia się w:
Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interconnections coupling through substrate for frequencies up to 100 GHz
Autorzy:
Gerakis, V
Hatzopoulos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397752.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
substrate noise
interconnect coupling
substrate doping
S-parameters
Z-parameters
zakłócenia podłożowe
domieszkowanie substratu
parametry rozproszenia
parametry impedancji
Opis:
This work presents a study on the substrate noise coupling between two interconnects. A highly, a lightly and a uniformly doped substrate, approximating most modern technologies, are described. The three different doping profiles are simulated for various interconnect distances and different metal layers assuming a 65 nm bulk CMOS technology. A proper data analysis methodology is presented, including z and s parameters extraction and de-embedding procedure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 144-148
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Podatność modyfikowanych powłok SiO2 na zasiedlenie przez bakterie
The susceptibility of modified SiO2 coatings to bacterial colonization
Autorzy:
Porębska, K.
Jakubowski, W.
Sobczyk-Guzenda, A.
Pietrzyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/284750.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:
powłoki SiO2
zol-żel
domieszkowanie Zn
powłoki antybakteryjne
powłoki hydrofobowe
SiO2 coating
sol-gel
Zn doping
anti-bacterial coatings
hydrophobic coatings
Opis:
Zasiedlanie przez bakterie powierzchni różnych materiałów może być zarówno źródłem infekcji jak również stanowić przeszkodę dla prawidłowego funkcjonowania niektórych konstrukcji i urządzeń biomedycznych. Wytwarzanie powłok antybakteryjnych może być skuteczną metodą zabezpieczania powierzchni przed ich kolonizacją przez bakterie. W niniejszej pracy modyfikowane powłoki SiO2 wytwarzano metodą zol-żel na podłożach szklanych i stalowych. Zole przygotowano na bazie tetraetoxysilanu (TEOS), modyfikując ich właściwości za pomocą methyltrimethoxysilanu (MTMS) i domieszki azotanu cynku. Właściwości antybakteryjne powłok sprawdzono poprzez zbadanie ich podatności na kolonizację przez bakterie Escherichia coli. Stwierdzono, że dodatek antybakteryjny w postaci azotanu cynku ogranicza podatność na zasiedlanie bakterii a hydrofobowość nie ma zasadniczego wpływu na poziom zasiedlenia bakterii E.coli.
Colonization of surfaces of materials by bacteria can be a source of infection, as well as an obstacle for the proper functioning of some of the biomedical equipment. Preparation of anti-bacterial coating may be an effective method of protecting of the surface prior to colonization by the bacteria. In this paper, modified SiO2 coating have been prepared by the sol-gel method on glass and stainless steel substrates. As the precursor of sols tetraethoxysilan (TEOS) was used. The properties of sols were modified using additives of methyltrimethoxysilan (MTMS) and zinc nitrate. Antibacterial properties of coatings were determined by examining of their susceptibility to colonization by the bacteria Escherichia coli. It was found that the addition of zinc nitrate reduces the risk of bacterial colonization and hydrophobicity is not essential to the level of E. coli colonization.
Źródło:
Engineering of Biomaterials; 2014, 17, no. 128-129; 67-71
1429-7248
Pojawia się w:
Engineering of Biomaterials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies