Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "domieszkowanie" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-21 z 21
    Tytuł:
    Reaktorowa instalacja neutronowego domieszkowania monokryształów krzemu
    Autorzy:
    Jaroszewicz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/214207.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    reaktor Maria
    neutronowa modyfkacja materiałów
    materiały półprzewodnikowe
    neutronowe domieszkowanie krzemu
    Źródło:
    Postępy Techniki Jądrowej; 2012, 1; 16-25
    0551-6846
    Pojawia się w:
    Postępy Techniki Jądrowej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Domieszkowanie warstwy wierzchniej cegły węglikiem tantalu za pomocą światła lasera rubinowego
    Laser ruby doping of the surface layer of brick with the tac
    Autorzy:
    Klemm, K.
    Klemm, P.
    Rożniakowski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/362611.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Instytut Fizyki Budowli Katarzyna i Piotr Klemm
    Tematy:
    laser rubinowy
    cegła
    węglik tantalu
    domieszkowanie
    modyfikacja warstwy wierzchniej
    laser ruby
    brick
    tantalum carbide
    doping
    modified surface layer
    Opis:
    W pracy przedstawiono charakterystyczne wyniki badań domieszkowania warstwy wierzchniej cegły pochodzącej z obiektów zabytkowej Łodzi przemysłowej. Proces domieszkowania przeprowadzono za pomocą światła lasera rubinowego pracującego w układzie generacji swobodnej. Jako substancji domieszkującej użyto węglika tantalu w postaci proszku. Zaobserwowano w obszarze laserowego oddziaływania obszary w których węglik tantalu został wtopiony w warstwę wierzchnią a także obszary, w których występuje zjawisko laserowego platerowania.
    The work presents the results of experimental examinations of the chemical composition of the brick samples (covered of tantalum carbide) before laser beam interaction. The samples are genesis from Łódź old age buildings, placed Wólczańska 215 street. The electron microscopy (SEM) end Energy Dispersive X-ray methods were used. Large differences between chemical composition of the surface layer melted by laser beam and before laser exposition were observed.
    Źródło:
    Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce; 2010, T. 5, nr 3, 3; 21-25
    1734-4891
    Pojawia się w:
    Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ zanieczyszczeń na punkt potrójny rtęci
    Autorzy:
    Wełna, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1426210.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Główny Urząd Miar
    Tematy:
    potrójny punkt rtęci
    domieszkowanie
    projekty badawcze
    triple point of mercury
    doping
    research projects
    Opis:
    Artykuł jest podsumowaniem czterech miesięcy pracy badawczej w Hiszpańskim Centrum Metrologicznym (CEM). Badania były wykonane w ramach indywidualnego grantu (Researcher Mobility Grant), realizowanego w Europejskim Programie Badań Naukowych w Metrologii, współfinansowanym przez Unię Europejską. Celem tych badań było dostarczenie dodatkowych wyników do wspólnego projektu badawczego JRP SIB10 NOTED (Novel Techniques for Traceable Temperature Dissemination), poprzez wykonanie eksperymentów z domieszkowaniem komórek. Głównym zadaniem było badanie wpływu zanieczyszczeń metalicznych o znanych stężeniach na realizację punktu potrójnego rtęci i potwierdzenie poprawności wyników uzyskanych wcześniej przez CEM. W artykule omówiono przebieg prac, od wykonania komórek punktu potrójnego rtęci, poprzez domieszkowanie znanymi wartościami zanieczyszczeń, do wykonania pomiarów.
    The article is a summary of four months of scientific work in Centro Español de Metrología (CEM). Research were realised under an individual grant (Researcher Mobility Grant) performed within European Metrology Research Programme, co-funded by the European Union. The aim of this study was to provide additional results to the joint research project JRP SIB10 NOTED (Novel Techniques for Traceable Temperature Dissemination), by performing experiments with doped cells. The main task was to study the influence of metal impurities with known concentrations on the realization of the triple point of mercury and validation measurements previously performed by CEM. The article discusses the progress of work from the performance of the triple point of mercury cells, doping by impurities with known values and the measurements.
    Źródło:
    Metrologia i Probiernictwo : biuletyn Głównego Urzędu Miar; 2014, 3 (6); 31-34
    2300-8806
    Pojawia się w:
    Metrologia i Probiernictwo : biuletyn Głównego Urzędu Miar
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reversible electron charge transfer in single-wall carbon nanotubes
    Autorzy:
    Costa, S.
    Bachmatiuk, A.
    Borowiak-Palen, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/779706.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    nanorurki węglowe jednościenne
    domieszkowanie
    Raman
    SWCNT
    doping
    Opis:
    Single-wall carbon nanotubes (SWCNT) have proved to be very special materials due to their unique electronic properties. Over the last years many scientists have dedicated their research to the study of the these materials as an electronic system. Amphoteric doping effects (n-type and p-type), which can be reversed, became a very popular way of manipulating the optic and electronic properties of carbon nanotubes. In the particular case of SWCNT, the most common and widely used procedure, which changes their properties, is acid treatment applied as a purification procedure. The effect of the addition of this kind of the dopant has been widely studied but not fully understood so far. Here, we present a study, of two kinds of SWCNT, produced within different techniques: (i) chemical vapors deposition and (ii) laser ablation. The main difference between the two types is the diameter distribution of the obtained materials, which is broad in the first technique and narrow in the second. After the acid treatment it is possible to observe a diameter sensitive doping effect on both samples. Resonance Raman spectroscopy, optical absorption spectroscopy (OAS) in UV/Vis/NIR and the Fourier transform middle-infrared (FTIR) spectroscopy have been applied for the characterization of the samples.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2008, 10, 2; 1-4
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interconnections coupling through substrate for frequencies up to 100 GHz
    Autorzy:
    Gerakis, V
    Hatzopoulos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397752.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    substrate noise
    interconnect coupling
    substrate doping
    S-parameters
    Z-parameters
    zakłócenia podłożowe
    domieszkowanie substratu
    parametry rozproszenia
    parametry impedancji
    Opis:
    This work presents a study on the substrate noise coupling between two interconnects. A highly, a lightly and a uniformly doped substrate, approximating most modern technologies, are described. The three different doping profiles are simulated for various interconnect distances and different metal layers assuming a 65 nm bulk CMOS technology. A proper data analysis methodology is presented, including z and s parameters extraction and de-embedding procedure.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 144-148
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nanoproszki YAG domieszkowane cerem o właściwościach luminescencyjnych
    Ceria doped YAG nanopowders with luminescent properties
    Autorzy:
    Węglarz, H.
    Wajler, A.
    Tomaszewski, H.
    Librant, Z.
    Diduszko, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192425.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    granat itrowo-glinowy
    nanoproszek YAG
    domieszkowanie cerem
    właściwość luminescencyjna
    Opis:
    Przedmiotem prezentowanej pracy były badania procesu wytwarzania proszków granatu itrowo-glinowego domieszkowanego cerem (Ce:YAG) metodą współstrącania i prażenia oraz oznaczenie ich właściwości luminescencyjnych. Badaniom poddano proszki o dwóch poziomach zawartości domieszki aktywnej: 0,2 at.% i 2 at.%. Dla porównania, tą samą metodą wykonano proszki niedomieszkowane. Na podstawie przeprowadzonych badań stwierdzono, iż współstrącanie azotanów glinu i itru w przypadku częściowego podstawienia kationu itru cerem przebiega inaczej. Prekursor Ce:YAG składa się z trzech faz: Al5(OH)13(CO3)ܫH2O, Y(OH)3 i AlOOH, podczas gdy w przypadku proszku współstrąconego bez domieszki jedyną krystaliczną fazą jest NH4AlY0,6(CO3)1,9(OH)ܦ,8H2O. Odmienny skład prekursorów ma wpływ na przebieg ich rozkładu termicznego. Uzyskanie jednofazowego nanoproszku Ce:YAG jest możliwe dopiero po wygrzaniu prekursora w powietrzu w 1700°C/2h, podczas gdy proszek niedomieszkowany już w temperaturze 1100°C jest jednofazowym YAG. Obniżenie temperatury kalcynacji Ce:YAG można uzyskać stosując wygrzewanie w próżni. Charakterystyki emisyjne badanych proszków zależą od ich składu fazowego. W przypadku obecności faz YAM i YAP obok piku charakterystycznego dla YAG na widmach luminescencji pojawiają się dodatkowe efekty. Widmo luminescencji proszku 2% Ce:YAG wygrzanego w temperaturze 1500°C w próżni jest niemal identyczne z widmem monokryształu Ce: YAG zarówno pod względem położenia maksimum, jak i jego kształtu.
    The aim of presented work was to study formation processes of ceria-doped yttrium aluminium garnet (Ce:YAG) powders by co-precipitation and calcination. Two levels of active ion doping (0.2 at.% and 2 at.%) were studied. For comparison, undoped YAG precursors powders were prepared using the same preparation route. As found, co-precipitation process of powders doped with ceria follows another path than the powders undoped, which results in another phase composition of powders precursors. XRD shows that Ce:YAG precursor is a mixture of Al5(OH)13(CO3)ܫH2O, Y(OH)3 and AlOOH while udoped YAG precursor consists of only one crystalline phase - NH4AlY06(CO3)19(OH)ܦ,8H2O. Difference in composition of precursors influence on their thermal decomposition (Fig. 2-3). Single phase YAG powder was obtained by calcination of undoped precursor at 1100°C in air (Fig. 4). For the same result ceria doped precursor had to be annealed to much higher temperature - 1700°C (Fig. 5-6). Single phase Ce: YAG has been obtained for ceria doped powders by annealing in vacuum at 1500°C (Fig. 9). Emission characteristics of powders depends on powders phase compositions. When YAM and YAP phases are detected in powders additional peaks connected with these phases are observed in luminescence spectra (Fig. 13-14). Emission characteristics of 2% Ce:YAG powder annealed in vacuum at 1500°C is almost identical (both, in shape and maximum position) to the observed for Ce:YAG monocrystal (Fig. 15).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 2, 2; 5-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
    Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kwestarz, M.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    wysokorezystywne monokryształy krzemu
    FZ
    domieszkowanie azotem
    high-resistivity silicon single crystals
    nitrogen doping
    Opis:
    W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
    This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dye decomposition on P25 with enhanced adsorptivity
    Autorzy:
    Janus, M.
    Wawrzyniak, B.
    Tryba, B.
    Morawski, A.W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/779704.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    fotokatalizator
    N-domieszkowanie
    dwutlenek tytanu
    barwnik azowy
    visible-light active photocatalyst
    N-doped
    titanium dioxide
    azo dye
    Opis:
    The preparation method and the activity of the TiO2-P25/N doped photocatalyst based on commercial titanium dioxide (TiO2 AeroxideŽ P-25 Degussa, Germany) are presented. For the TiO2-P25/N preparation TiO2-P25 and gaseous ammonia were kept in a pressure reactor (10 bars) for 4 hours at the temperature of 200°C. This modification process changed the chemical structure of the TiO2 surface. The formation of NH4+ groups was confirmed by the FTIR measurements. Two bands in the range of ca. 1430 - 1440 cm-1 attributed to bending vibrations of NH4+ could be observed on the FTIR spectra of the catalysts modified with ammonia and the band attributed to the hydroxyl groups at 3300 - 3500 cm-1, which were not reduced after N-doping. The photocatalytic activity of the photocatalysts was checked through the decomposition of two dyes under visible light irradiation. The modified TiO2 thus prepared samples were more active than TiO2-P25 for the decomposition of dyes under visible light irradiation.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2008, 10, 2; 11-16
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Potentialities of modification of metal oxide varistor microstructures
    Możliwości modyfikacji mikrostruktury warystorów tlenkowych
    Autorzy:
    Mielcarek, W.
    Prociow, K.
    Warycha, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192094.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warystor ZnO
    mikrostruktura
    ceramika półprzewodnikowa
    domieszkowanie
    Bi2O3
    ZnO varistor
    microstructure
    semiconducting ceramic
    doping
    Opis:
    The electrical properties of varistors, similarly like posistors and other devices made of semiconducting ceramic, are controlled by grain boundaries. In varistor conductivity the main role play potential barriers which arise at grain boundaries during varistor sintering. The I-V behavior of varistor ceramic is such that during conduction the varistor voltage remains relatively constant while a current changes are of several orders of magnitude. Varistor is produced by sintering a mixture of ZnO with a small addition of Bi2O3 and other metal oxides. Varistor microstructure composes of ZnO grains. Each ZnO grain acts as it has a semiconducting junction at the grain boundary. The non-linear electrical behavior occurs at the boundary of each ZnO grain. The junctions between grains are separated by an intergranular phase. The best varistor performance is attained when the Bi-rich intergranular layer is of nanometer size. When the intergranular phase is in a shape of agglomerates embedding Bi2O3 crystal phases and spinel grains it forms areas excluded from conduction. The problem has been studied with emphasis on determining the relation between ZnO dopants and microstructure evolution. It was established that the vulnerability of varistor ceramic for formation of agglomerates depend on the composition of additive oxides. With SrO, MnO and PbO varistor ceramic is more susceptible for formation of agglomerates, while Co2O3, Sb2O3 and SnO2 facilitates the homogenous distribution of additives in varistor body. Elimination of an electrically inactive areas from varistor body would enable the decrease of the amount of additives (e.g. the amount of Bi2O3 would decrease from 1 mol % to 0.2 mol %) and bring about the diminishment of the cost of varistor processing along with improvement of varistor performance.
    Własności elektryczne warystorów, podobnie jak pozystorów i innych wyrobów z ceramiki półprzewodnikowej, są kontrolowane przez ukształtowanie granicy ziaren. Ceramika warystorowa ZnO swoje niewłaściwości elektryczne zawdzięcza domieszce małej ilości innych tlenków metali. Mikrostruktura warystora rozwija się podczas spiekania. Głównym elementem mikrostruktury warystora są ziarna ZnO odseparowane od siebie cienką , bogatą w bizmut, warstwą międzyziarnową. Najlepsze własności elektryczne warystor wykazuje wtedy, kiedy warstwa ta jest możliwie cienka. Jeżeli warstwa ta jest w formie aglomeratów, a w dodatku zawiera w sobie wykrystalizowany Bi2O3 lub krystality innych związków to tworzy obszar wykluczony z przewodnictwa. W warystorze o takiej strukturze w czasie przepływu prądu dochodzi do miejscowych przegrzań i zakłóceń w działaniu. W pracy udowodniono doświadczalnie, że spiekając wstępnie tlenek bizmutu z tlenkami innych metali można wpływać na kształt warstwy miedzyziarnowej, a więc i na elektryczne własności warystora. Przeprowadzone doświadczenia dowiodły, że jeżeli Bi2O3 przed dodaniem do warystora spieczemy wstępnie z tlenkami Co, Sb lub Sn to tak zmodyfikowany tlenek bizmutu sprzyja równomiernemu rozprowadzeniu domieszek w warystorze przyczyniając się do eliminacji ze struktury warystora obszarów nieaktywnych elektrycznie. Natomiast wstępne modyfikowanie tlenku bizmutu tlenkami tzw. szkłotwórczymi jak PbO, SrO i MnO nie przynosi podobnego efektu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 86-98
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
    Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
    Autorzy:
    Mirowska, A.
    Orłowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192328.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaSb
    metoda Cz
    Te
    Si
    Zn
    koncentracja domieszek
    GDMS
    Cz method
    doping
    dopant concentration
    Opis:
    Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
    Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 17-32
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
    Growth of gallium antimonide single crystals in and directions by Czochralski method
    Autorzy:
    Mirowska, A.
    Orłowski, W.
    Bańkowska, A.
    Hruban, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192038.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaSb
    monokrystalizacja
    domieszkowanie
    własności elektryczne
    crystal growth
    doping electrical properties
    Opis:
    Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
    The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 3-15
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Biomateriały implantacyjne dotowane srebrem – próby wstępne. Cz.1 – Materiały gipsowe
    Silver containing biomaterials – preliminary studies. Part 1 – Gypsum implants
    Autorzy:
    Jaegermann, Z.
    Michałowski, S.
    Ciołek, L.
    Wiśniewski, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/391884.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Tematy:
    implantologia
    implant
    gips
    domieszkowanie
    biomateriał
    właściwości bakteriobójcze
    nanosrebro
    implantology
    gypsum
    doping
    biomaterial
    bactericidal properties
    nanosilver
    Opis:
    Celem prac nad implantacyjnymi biomateriałami dotowanymi srebrem było opracowanie wstępnych założeń otrzymywania materiałów gipsowych i kalcytowych wykazujących działanie bakteriobójcze. Opis wyników prowadzonych prac podzielono na dwie części, które ukażą się w kolejnych numerach czasopisma. Istotą zadania opisanego w niniejszym artykule było dobranie sposobu dotowania materiałów gipsowych nanocząstkami srebra i przeprowadzenie badań skuteczności przeciwbakteryjnej otrzymanych materiałów. Do przygotowania materiałów gipsowych wykorzystano półwodny siarczan wapnia odmiany α oraz roztwory koloidalne srebra. Przygotowano pięć rodzajów próbek gipsowych i przeprowadzono badania ich właściwości fizycznych. Badania skuteczności przeciwbakteryjnej dla wybranych próbek przeprowadzono metodą rozcieńczeń z wykorzystaniem pałeczki ropy błękitnej Pseudomonas aeruginosa i gronkowca złocistego Staphylococcus aureus. Wyniki przeprowadzonych wstępnych badań wykazały, że zastosowana metoda otrzymywania materiałów gipsowych zawierających srebro daje szansę na uzyskanie materiałów wykazujących działanie przeciwbakteryjne w stosunku do użytych mikroorganizmów. Udowodniono również, że działanie przeciwbakteryjne badanych próbek zależy zarówno od ich składu chemicznego, jak i od rodzaju użytych bakterii.
    The aim of the work on implant biomaterials containing silver was to develop initial assumptions on the production of gypsum and calcite materials showing bactericidal effect. The description of results was divided into two parts, which will appear in consecutive issues of the magazine. The essence of the research described in this article consisted in choosing the method of adding of silver nanoparticles to gypsum material, as well as in testing antimicrobial efficacy of the materials obtained. Calcium sulfate hemihydrate and colloidal silver solutions were used for the preparation of gypsum implants. Five types of gypsum samples were prepared and their physical properties were tested. Antimicrobial activity studies of selected samples were performed by dilution method using Pseudomonas aeruginosa and Staphylococcus aureus. The results of preliminary studies have shown that the method of silver doping of gypsum materials is a way of obtaining implants with antibacterial activity, in the case of microorganisms used in the research. It was also shown that the antibacterial effect of test samples depended on both the chemical composition and the type of bacteria applied.
    Źródło:
    Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2015, R. 8, nr 22, 22; 23-33
    1899-3230
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ocena wpływu dodatku popiołu lotnego na szczelność betonu z cementem hutniczym CEM IIIA 32,5 N
    Autorzy:
    Szcześniak, Anna.
    Powiązania:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2017, nr 4, s. 143-153
    Współwytwórcy:
    Zychowicz, Jacek (budownictwo). Autor
    Stolarski, Adam. Autor
    Data publikacji:
    2017
    Tematy:
    Beton cementowy
    Domieszkowanie
    Popiół lotny
    Właściwości fizyczne
    Artykuł problemowy
    Artykuł z czasopisma naukowego
    Artykuł z czasopisma technicznego
    Opis:
    Rysunki, tabele.
    Bibliografia, wykaz norm na stronach 152-153.
    Dostawca treści:
    Bibliografia CBW
    Artykuł
    Tytuł:
    Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
    Evaluation of growth conditions for 3 gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
    Autorzy:
    Mirowska, A.
    Orłowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192136.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaSb
    metoda Czochralskiego
    domieszkowanie
    segregacja
    defekty
    in situ synthesis
    Czochralski method
    doping
    segregation
    defects
    Opis:
    Zbadano możliwość zwiększenia (do 3 cali) średnicy monokryształów antymonku galu (GaSb) w układzie termicznym niskociśnieniowego urządzenia wykorzystywanego do otrzymywania kryształów o średnicy 2 cale. Zmodyfikowano technologiczne warunki procesu krystalizacji umożliwiając otrzymanie kryształów o ciężarze ~ 1,9 kg i stabilnej średnicy. Opracowano warunki otrzymywania monokryształów antymonku galu o średnicy 3 cale zmodyfikowaną metodą Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na przebieg procesu monokrystalizacji oraz własności otrzymywanych kryształów. Przeprowadzono procesy krystalizacji zmodyfikowaną metodą Czochralskiego, jak też proces zintegrowany (synteza in-situ połączona z monokrystalizacją) uzyskując kryształy GaSb domieszkowane tellurem o koncentracji elektronów w zakresie od 2 x 1017cm-3 do 2 x 1018cm-3 . Zbadano koncentrację domieszki (metodą GDMS - Glow Discharge Mass Spectroscopy) rozkłady własności elektrycznych (pomiary hallowskie) i strukturalnych (pomiary EPD - Etch Pit Density) otrzymanych kryształów.
    The possibility of growing gallium antimonide (GaSb) single crystals measuring 3 inches in diameter in a thermal system previously used for growing 2 - inch crystals was checked. Technological parameters modified for bigger crystals allowed obtaining GaSb crystals weighting ~ 1,9 kg and having a stable diameter ~ 80 mm. An integrated process of in-situ synthesis, modified Czochralski crystal growth as well as recrystallization process were performed. The influence of technological parameters on crystal growth was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals with the carrier concentration ranging between 2 x 1017cm-3 and 2 x1018cm-3 - were obtained. Electrical parameters were determined by Hall measurements, whereas the dopant concentration was estimated by carrying out the GDMS analysis and the structural quality by measuring the etch pit density (dislocation density).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 58-73
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni
    Determination of nitrogen concentration in Czochralski silicon crystals from the far infrared absorption spectra
    Autorzy:
    Możdżonek, M.
    Zabierowski, P.
    Majerowski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192279.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    monokryształ krzemu
    domieszkowanie kryształów krzemu
    metoda Czochralskiego
    widmo absorpcyjne
    daleka podczerwień
    Opis:
    Monokryształy krzemu otrzymane metodą Czochralskiego (Cz - Si) domieszkowano azotem poprzez wzrost w atmosferze Ar + N2. Wykonując pomiary absorpcji optycznej po izotermicznych wygrzewaniach zbadano proces generacji płytkich donorów termicznych (STDs) związanych z kompleksami N[indeks dolny]i-O[indeks dolny]mi. Określono warunki procesów termicznych, w których koncentracja defektów ulega nasyceniu ( 650°C min. Igodz. lub 600°C min. 3 godz.). Przedstawiono metodę określania koncentracji azotu w monokryształach Cz - Si w zakresie l x 10[indeks górny]13 ≥ [N] < 5 x 10[indeks górny]14 at.cm-³ opartą o pomiar absorpcji w zakresie dalekiej podczerwieni w niskich temperaturach.
    The nitrogen doping of Czochralski silicon crystals was accomplished by adding a small amount of N[sub]2 gas to the argon ambient in the growth chamber. The generation process of shallow thermal donors (STDs) attributed to N[sub]i-O[sub]mi complexes with the measurement of their optical absorption after isothermal annealing was investigated. On the basis of the obtained results, we proposed the annealing conditions when concentration of complexes reaches a saturated value (650°C, min. 1 h or 600°C, min. 3 h). We have defined the method for the quantitative measurement of nitrogen in CZ silicon crystals by means of low temperature Fourier transform infrared spectroscopy (LT-FTIR), based on measurement in the far-infrared range. This method can be used for the detection of the nitrogen concentration in the range of 1 x l0[sup]13 - 5 x l0[sup]14 at.cm-³.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 31-46
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ domieszkowania halogenkami metali alkalicznych na właściwości warstw perowskitowych w ogniwach słonecznych
    The impact of alkali metal halide doping on the properties of perovskite layers in solar cells
    Autorzy:
    Szwanda, Agata
    Starowicz, Zbigniew
    Janicki, Jarosław
    Fryczkowski, Ryszard
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/24964490.pdf
    Data publikacji:
    2023-12
    Wydawca:
    Uniwersytet Bielsko-Bialski
    Tematy:
    perowskity
    ogniwa słoneczne
    halogenki metali
    domieszkowanie
    perovskite
    solar cells
    metal halides
    doping
    Opis:
    Perovskite cells are a new generation of solar cells that have gained significant attention in the field of photovoltaics due to their unique properties and potential benefits. Perovskites are a class of materials that have a characteristic crystal structure known as the perovskite structure. The typical chemical formula of perovskite is ABX3, where 'A' and 'B' are cations that differ in size, and 'X' is an anion, most often halogen. Doping with alkali metals in perovskite materials has shown a significant improvement in the efficiency of the solar cell, which is confirmed by numerous scientific studies. The addition of rubidium bromide and other alkali metals, such as lithium, sodium and potassium, affects the microstructure, electronic and optical properties of perovskites, which is crucial for the efficiency and stability of solar cells. The paper presents research results on doping with alkali metals for inorganic perovskite cells based on CsPbBr3. The process of doping with alkali metals was carried out in various stages of creating a Perovskite cell. The work presents the influence of the dopant on the structure of the perovskite and the obtained cell, as well as its optical and electrical properties. The conducted research indicates a positive effect of the addition of rubidium bromide, both in the phase of creating the lead bromide layer and during the application of cesium bromide. The most promising is the admixture of 9% rubidium bromide in the cesium bromide layer. In this way, the applied dopant is located in the perovskite structure, changing its optical and electrical properties.
    Źródło:
    Polish Journal of Materials and Environmental Engineering; 2023, 6(26); 66-78
    2720-1252
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Materials and Environmental Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie ditlenku tytanu domieszkowanego niemetalami w ogniwach fotowoltaicznych
    Application of non-metal doped titanium dioxide in photovoltaic cells
    Autorzy:
    Siuzdak, K.
    Vignau, L.
    Lisowska-Oleksiak, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/160061.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    barwnikowe ogniwa fotowoltaiczne
    ogniwa fotowoltaiczne o odwróconej strukturze
    ditlenek tytanu
    domieszkowanie niemetalami
    dye sensitized solar cells
    organic inverted solar cells
    titanium dioxide
    non-metal doping
    Opis:
    Nowe, fotoaktywne materiały mają szczególne znaczenie w badaniach nad otrzymaniem wydajnych ogniw tzw. trzeciej generacji. W przypadku dwóch tego rodzaju urządzeń: barwnikowych ogniw fotowoltaicznych (ang. dye sensitized solar cells, DSSC) [1] czy ogniw organicznych o tzw. strukturze odwróconej (ang. inverted organic solar cells, I-PV) [2] bardzo ważną rolę odgrywa ditlenek tytanu. W ogniwach typu DSSC oraz I-PV zaproponowano wykorzystanie ditlenku tytanu domieszkowanego siarką (S-TiO2), azotem (N-TiO2) oraz jodem (I-TiO2) [3] – materiałów, które charakteryzują się węższą przerwą energetyczną niż czysty TiO2 i wykazują aktywność w świetle widzialnym. Domieszkowany TiO2 zastosowano jako cienką warstwę buforową (100 nm) w ogniwach organicznych o odwróconej strukturze, a jako warstwę porowatą (3 μm) w barwnikowych ogniwach fotowoltaicznych. Wykorzystanie N-TiO2 oraz I-TiO2 w ogniwach typu I-PV prowadzi do otrzymania wyższych wydajności konwersji energii promieniowania na energię elektryczną (odpowiednio PCE = 1,67% oraz 1,20%), niż gdy warstwę buforową ogniwa tworzył czysty ditlenek tytanu (PCE = 1,00%). Ponadto dla urządzeń z domieszkowanym TiO2 obserwuje się większą stabilność, która przejawiała się w zachowaniu wartości poszczególnych parametrów ogniwa (Voc, ISC, FF, PCE) przez najdłuższy okres czasu. Dla ogniw DSSC o konfiguracji FTO/X-TiO2/N3/elektrolit/Pt/FTO (X – atom domieszki, N3 – standardowy, handlowo dostępny barwnik), w których jedyną zmienną był rodzaj materiału anodowego, najwyższe wydajności otrzymano dla I-TiO2 (3,23%) oraz S-TiO2 (2,95%), a PCE dla urządzenia z warstwą czystego TiO2 wynosiło 1,69%.
    New photoactive materials are of particular importance in studies on the third generation of photovoltaic cells. In the case of two such devices: dye sensitized solar cells (DSSC) [1] or inverted organic photovoltaic cells (I-PV) [2] titanium dioxide plays very important role. There are proposed application of titanium dioxide doped with sulfur (S-TiO2), nitrogen (N-TiO2) and iodine (I-TiO2) [3] – materials that have a narrower bandgap energy than pure titania and exhibit photoactivity under visible light. Doped titania dioxide was used as a thin buffer layer (100 nm) in inverted organic cells and as a porous layer (3 μm) in dye sensitized solar cells. The application of N-TiO2 and I-TiO2 in I-PV, leads to the higher photoconversion efficiency of radiation energy into electricity (PCE = 1.67% and 1.20%, respectively) in comparison to cells when buffer layer is made of pure titanium dioxide (PCE = 1.00%). Moreover, for devices with doped TiO2 there is observed greater stability, which is manifested as maintenance of photovoltaic parameters values (Voc, ISC, FF, PCE) for the longest period of time. For DSSC cells with configuration: FTO/X-TiO2/N3/ elektrolyte/Pt/FTO (X – dopant atom, N3 – a standard, commercially available dye), in which the only variable was the type of anode material, the highest efficiency was obtained for I-TiO2 (3.23%) and S-TiO2 (2.95%), and PCE for the device with a layer of pure TiO2 was 1.69%.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 35-36
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Podatność modyfikowanych powłok SiO2 na zasiedlenie przez bakterie
    The susceptibility of modified SiO2 coatings to bacterial colonization
    Autorzy:
    Porębska, K.
    Jakubowski, W.
    Sobczyk-Guzenda, A.
    Pietrzyk, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/284750.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
    Tematy:
    powłoki SiO2
    zol-żel
    domieszkowanie Zn
    powłoki antybakteryjne
    powłoki hydrofobowe
    SiO2 coating
    sol-gel
    Zn doping
    anti-bacterial coatings
    hydrophobic coatings
    Opis:
    Zasiedlanie przez bakterie powierzchni różnych materiałów może być zarówno źródłem infekcji jak również stanowić przeszkodę dla prawidłowego funkcjonowania niektórych konstrukcji i urządzeń biomedycznych. Wytwarzanie powłok antybakteryjnych może być skuteczną metodą zabezpieczania powierzchni przed ich kolonizacją przez bakterie. W niniejszej pracy modyfikowane powłoki SiO2 wytwarzano metodą zol-żel na podłożach szklanych i stalowych. Zole przygotowano na bazie tetraetoxysilanu (TEOS), modyfikując ich właściwości za pomocą methyltrimethoxysilanu (MTMS) i domieszki azotanu cynku. Właściwości antybakteryjne powłok sprawdzono poprzez zbadanie ich podatności na kolonizację przez bakterie Escherichia coli. Stwierdzono, że dodatek antybakteryjny w postaci azotanu cynku ogranicza podatność na zasiedlanie bakterii a hydrofobowość nie ma zasadniczego wpływu na poziom zasiedlenia bakterii E.coli.
    Colonization of surfaces of materials by bacteria can be a source of infection, as well as an obstacle for the proper functioning of some of the biomedical equipment. Preparation of anti-bacterial coating may be an effective method of protecting of the surface prior to colonization by the bacteria. In this paper, modified SiO2 coating have been prepared by the sol-gel method on glass and stainless steel substrates. As the precursor of sols tetraethoxysilan (TEOS) was used. The properties of sols were modified using additives of methyltrimethoxysilan (MTMS) and zinc nitrate. Antibacterial properties of coatings were determined by examining of their susceptibility to colonization by the bacteria Escherichia coli. It was found that the addition of zinc nitrate reduces the risk of bacterial colonization and hydrophobicity is not essential to the level of E. coli colonization.
    Źródło:
    Engineering of Biomaterials; 2014, 17, no. 128-129; 67-71
    1429-7248
    Pojawia się w:
    Engineering of Biomaterials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method
    Emisja polowa i charakterystyka mikrostruktury warstw diamentowych nanoszonych przy użyciu metody HF CVD
    Autorzy:
    Jarzyńska, D.
    Staryga, E.
    Znamirowski, Z.
    Fabisiak, K.
    Gotszalk, T.
    Woszczyna, M.
    Strzelecki, W.
    Dłużniewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296561.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    warstwa diamentowa
    domieszkowanie
    emisja elektronowa
    diamond film
    doping
    electron emission
    Opis:
    Electron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.
    Przeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 13-26
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania właściwości fizykochemicznych i cytotoksyczności in vitro bioszkieł dotowanych Mg, Sr, Au
    Study on physicochemical properties and in vitro cytotoxicity of bioglasses doped with Mg, Sr, Au
    Autorzy:
    Ciołek, L.
    Karaś, J.
    Olszyna, A.
    Zaczyńska, E.
    Czarny, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/392258.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Tematy:
    biomateriał
    bioszkło
    domieszkowanie
    właściwości fizykochemiczne
    aktywność biologiczna
    cytotoksyczność
    metoda zol-żel
    biomaterial
    bioglass
    doping
    physical and chemical properties
    biological activity
    cytotoxicity
    sol-gel method
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki badań wytworzonych bioszkieł w układzie CaO-SiO2-P2O5 dotowanych Mg lub Sr, lub Au. W ramach przeprowadzonych badań określono morfologię otrzymanych bioszkieł, a także ich bioaktywność w warunkach in vitro oraz oddziaływanie cytotoksyczne na komórki L929. Ponadto, bioszkło dotowane Au poddano badaniu przy użyciu mikroskopu transmisyjnego z analizą EDS. Stwierdzono, że wytworzone bioszkła in vitro w kontakcie z symulowanym płynem fizjologicznym (SBF) są bioaktywne oraz nie oddziałują cytotoksycznie na komórki L929
    This paper presents the results of research on bioglasses in the system CaO-SiO2-P2O5 doped with Mg, Sr and Au. Within the study the morphology of the bioglasses and in vitro bioactivity and cytotoxic effect on L929 cells were determined. Au doped bioglass was examined using transmission electron microscopy with EDS analysis. It was found that the produced bioglasses were bioactive in contact with simulated body fluid (SBF) and were no toxic on L929 cells in vitro tests.
    Źródło:
    Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2014, R. 7, nr 16, 16; 17-28
    1899-3230
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synthesis Of Fe Doped LiMn2O4 Cathode Materials For Li Battery By Solid State Reaction
    Synteza materiału katodowego LiMn2O4 domieszkowanego Fe metodą reakcji w fazie stałej do zastosowania w bateriach Li
    Autorzy:
    Horata, N.
    Hashizume, T.
    Saiki, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355902.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    doped LiMn2O4
    lithium ion battery
    cathode material
    solid state reaction
    domieszkowanie LiMn2O4
    bateria litowo-jonowa
    materiały katodowe
    reakcja w fazie stałej
    Opis:
    LiFe0.1Mn1.9O4 is expected as a cathode material for the rechargeable lithium-ion batteries. LiMn2O4 has been received attention because this has advantages such as low cost and low toxicity compared with other cathode materials of LiCoO2 and LiNiO2. However, LiMn2O4 has some problems such as small capacity and no long life. LiMn2O4 is phase transformation at around human life temperature. One of the methods to overcome this problem is to stabilize the spinel structure by substituting Mn site ion in LiMn2O4 with transition metals (Al, Mg, Ti, Ni, Fe, etc.). LiFe0.1Mn1.9O4 spinel was synthesized from Li2CO3, Fe2O3 and MnO22 powder. The purpose of this study is to report the optimal condition of Fe doped LiFe0.1Mn1.9O4. Li2CO3, Fe2O3, and MnO2 mixture powder was heated up to 1173 K by TG-DTA. Li2CO3 was thermal decomposed, and CO2 gas evolved, and formed Li2O at about 800 K. LiFe0.1Mn1.9O4 was synthesized from a consecutive reaction Li2O, Fe2O3 and MnO2 at 723 ~ 1023 K. Active energy is calculated to 178 kJmol−1 at 723 ~ 1023 K. The X-ray powder diffraction pattern of the LiFe0.1Mn1.9O4 heated mixture powder at 1023 K for 32 h in air flow was observed.
    LiFe0.1Mn1.9O4 jest obiecującym materiałem katodowym do zastosowania w bateriach litowo-jonowych z możliwością wielokrotnego ładowania. LiMn2O4 cieszy się dużym zainteresowaniem z powodu niskiego kosztu otrzymywania oraz niskiej toksyczności w porównaniu z innymi materiałami katodowymi typu LiCoO2 and LiNiO2 czy LiNiO2. Jednak LiMn2O4 posiada również wady: niską pojemność i krótką żywotność. Dodatkowo, przemiana fazowa LiMn2O4 zachodzi w temperaturze pokojowej. Jedną z metod rozwiązania tego problemu jest stabilizacja struktury spinelu poprzez podstawienie jonu Mn w sieci LiMn2O4 metalami przejściowymi (Al, Mg, Ti, Ni, Fe, itp.). Spinel LiFe0.1Mn1.9O4 syntezowano z proszków Li2CO3, Fe2O3 i MnO22. Celem badań było znalezienie optymalnych warunków syntezy spinelu LiFe0.1Mn1.9O4 domieszkowanego Fe. Mieszaninę proszków Li2CO3, Fe2O3 i MnO2 poddano analizie TG-DTA. W temperaturze 800 K Li2CO3 uległ rozkładowi termicznemu, w wyniku czego powstało CO2 i Li2O. LiFe0.1Mn1.9O4 zsyntezowano w wyniku reakcji następczej pomiędzy Li2O, Fe2O3 i MnO2 w temperaturze 723 ~ 1023 K. Energię aktywacji oszacowano na 178 kJmol−1 w zakresie temperatur 723 ~ 1023 K. Przeprowadzono także analizę XRD proszku LiFe0.1Mn1.9O4 wygrzewanego w 1023 K przez 32 godz. w warunkach przepływu powietrza.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 949-951
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-21 z 21

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies